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질화물계 화합물 반도체가 성장된 기판;상기 기판 상에 레이저 다이오드에 전류를 주입하기 위한 금속 전극(metal electrode);레이저 빛을 발진하는 리지(ridge); 및,상기 리지 라인 사이에 형성된 포스트를 포함하고,상기 포스트는,클리빙 라인(cleaving line)을 경계로 엇갈리게 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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제 1 항에 있어서, 상기 포스트는,상기 리지보다 높게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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제 1 항에 있어서, 상기 포스트는,상기 리지의 폭보다 넓은 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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제 2 항 또는 제 3 항에 있어서, 상기 포스트는,높이와 폭이 4 ∼ 160㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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삭제
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제 1 항에 있어서, 상기 포스트는,유전체인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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제 6 항에 있어서, 상기 유전체는,SiO2, SiN2, TiO2 중 적어도 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼
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질화물계 화합물 반도체가 성장된 기판 상에 금속 전극 라인을 형성하는 단계;상기 금속 전극 라인을 포함한 전체 구조상에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 유전체막을 형성하는 단계;상기 유전체 막을 패터닝하여 포스트를 형성하는 단계;n-사이드(side) 스크라이빙(scribing)하는 단계; 및p-사이드(side) 브레이킹(breaking)하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 절단방법
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제 8 항에 있어서, 상기 포스트를 형성하는 단계는,상기 유전체막을 마스크로 하여 패터닝하는 단계와,상기 패터닝된 유전체막을 노광하여 포스트로 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 절단방법
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제 8 항에 있어서, 상기 포스트를 형성하는 단계는,클리빙 라인(cleaving line)을 경계로 엇갈리게 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼의 절단방법
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