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기판 상에 복수의 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에 접속된 게이트 전극과, 상기 게이트 라인의 일단에 구비된 게이트 패드를 형성하는 단계;상기 게이트 라인 및 게이트 전극과 게이트 패드를 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상기 게이트 전극에 대응되고 한 쌍으로 이루어지며 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하는 복수의 정렬 전극과, 상기 정렬 전극 중 어느 하나와 접속되며 신호를 인가하는 복수의 제 1 신호 라인 및 다른 하나의 정렬 전극에 접속되는 복수의 제 2 신호라인과, 상기 제 1 신호 라인을 전기적으로 연결하는 제 1 쇼팅 라인(shorting line) 및 상기 제 2 신호 라인을 전기적으로 연결하는 제 2 쇼팅 라인을 형성하는 단계;상기 기판 상에 나노 와이어가 분산된 나노 와이어 분산 용액을 도포하는 단계;상기 정렬 전극 사이에 전기장을 형성하여 상기 채널 영역에 일방향으로 정렬된 나노 와이어 반도체층을 형성하는 단계;상기 나노 와이어 반도체층을 제외한 상기 정렬 전극과 상기 제 1 및 제 2 신호 라인과 상기 제 1 및 제 2 쇼팅 라인을 제거하는 단계;상기 기판 상에 상기 나노 와이어 반도체층에 접속되는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극에 접속하는 복수의 데이터 라인과 상기 데이터 라인의 일단에 구비된 데이터 패드를 형성하는 단계;상기 나노 와이어 반도체층과 상기 데이터 라인과 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계;상기 패시베이션막을 선택적으로 제거하여 상기 드레인 전극의 일부를 노출시키는 제 1 컨택홀과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 일부를 노출시키는 제 2 및 제 3 컨택홀을 형성하는 단계;상기 제 1 컨택홀을 통해 상기 드레인 전극에 접속되는 화소 전극과 상기 제 2 및 제 3 컨택홀을 통해 게이트 패드 및 데이터 패드에 접속되는 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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기판 상에 복수의 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에 접속된 게이트 전극과, 상기 게이트 라인의 일단에 구비된 게이트 패드를 형성하는 단계;상기 게이트 라인 및 게이트 전극과 게이트 패드를 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상기 게이트 전극에 대응되고 한 쌍으로 이루어지며 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하는 복수의 정렬 전극과, 상기 정렬 전극 중 어느 하나와 접속되며 신호를 인가하는 복수의 제 1 신호 라인 및 다른 하나의 정렬 전극에 접속되는 복수의 제 2 신호라인과, 상기 제 1 신호 라인을 전기적으로 연결하는 제 1 쇼팅 라인(shorting line) 및 상기 제 2 신호 라인을 전기적으로 연결하는 제 2 쇼팅 라인을 형성하는 단계;상기 기판 상에 나노 와이어가 분산된 나노 와이어 분산 용액을 도포하는 단계;상기 정렬 전극 사이에 전기장을 형성하여 상기 채널 영역에 일방향으로 정렬된 나노 와이어 반도체층을 형성하는 단계;상기 제 2 신호 라인 및 상기 제 1 및 제 2 쇼팅 라인을 선택적으로 제거하는 단계;상기 나노 와이어 반도체층과 정렬 전극을 포함한 기판 전면에 패시베이션막을 형성하는 단계;상기 패시베이션막을 선택적으로 제거하여 상기 정렬 전극의 일부를 노출시키는 제 1 컨택홀과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 일부를 노출시키는 제 2 및 제 3 컨택홀을 형성하는 단계;상기 제 1 컨택홀을 통해 상기 정렬 전극에 접속되는 화소 전극과 상기 제 2 및 제 3 컨택홀을 통해 게이트 패드 및 데이터 패드에 접속되는 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 정렬 전극과, 제 1 및 제 2 신호 라인과, 제 1 및 제 2 쇼팅 라인을 제거하는 단계는 포토리소그래피법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 2 항에 있어서,상기 제 2 신호 라인 및 상기 제 1 및 제 2 쇼팅 라인을 선택적으로 제거하는 단계는 포토리소그래피법을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층을 형성한 후, 상기 나노 와이어 반도체층 상부에 선택적으로 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 보호막은 무기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 6 항에 있어서,상기 보호막은 실리콘옥사이드(SiO2) 또는 실리콘나이트라이드(SiNx)인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 5 항에 있어서,상기 보호막은 유기절연막인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 8 항에 있어서,상기 보호막은 PVP(PolyVinyl Phenol), 폴리이미드, BCB(BenzoCyclo Butene), 파릴렌(parylene), 포토아크릴(photoacryl) 중 어느 하나로 이루어 진 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 기판은 유리 재질 또는 플라스틱 재질의 기판을 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층을 형성한 후, 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 도포하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 극성 용매를 이용하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 도포하는 단계는, 슬릿 노즐 분사 방식 또는 잉크젯 방식 중 어느 하나의 방법으로 도포하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 13 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 상기 채널 영역에 선택적으로 도포하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 정렬 전극은 구리(Cu),알루미늄(Al),은(Ag), 구리와 티타늄의 합금(Cu/Ti), 구리와 크롬의 합금(Cu/Cr), 알루미늄과 티타늄의 합금(Al/Ti), 알루미늄과 크롬의 합금(Al/Cr), 은과 티타늄의 합금(Ag/Ti), 은과 크롬의 합금(Ag/Cr) 중 어느 하나의 재질로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 데이터 라인 및 데이터 패드를 형성하는 단계는, 구리, 몰리브덴, 크롬, 알루미늄 중 어느 한 금속의 단일층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 데이터 라인 및 데이터 패드를 형성하는 단계는, 크롬/알루미늄/몰리브덴 또는 몰리브덴/알루미늄/몰리브덴의 적층 구조로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항에 있어서,상기 소스 전극 및 드레인 전극은 나노 와이어 반도체층에 접속하도록 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층은 반도체성 나노 와이어로 형성하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
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