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박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015048077
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 금속 패턴의 연성을 향상시킨 박막 트랜지스터 어레이 및 그 제조방법에 관한 것이다.본 발명의 실시 예에 따른 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법은 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자, 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스 및 솔벤트를 포함한 코팅액을 마련하는 단계; 상기 코팅액을 플렉서블 기판상에 코팅하는 단계; 상기 코팅액을 큐어링하여 상기 플렉서블 기판상에 코팅막을 형성하는 단계; 및 상기 코팅막을 패터닝하여 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01)
출원번호/일자 1020070035591 (2007.04.11)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1383924-0000 (2014.04.03)
공개번호/일자 10-2008-0092120 (2008.10.15) 문서열기
공고번호/일자 (20140414) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 발송처리완료
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.03)
심사청구항수 23

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 박미경 대한민국 경기 파주시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.11 수리 (Accepted) 1-1-2007-0277589-21
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2007.08.21 수리 (Accepted) 1-1-2007-0601865-96
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.04.03 수리 (Accepted) 1-1-2012-0265838-32
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2012.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2012-0711444-42
9 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.06.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
10 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.07.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0052242-90
11 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0576687-21
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0945966-74
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0945968-65
14 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0041146-85
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
플렉서블 기판; 및상기 플렉서블 기판 상에 형성되고 스캔 신호가 공급되는 다수의 게이트 라인들 및 상기 플렉서블 기판 상에서 상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호가 공급되는 다수의 데이터 라인들을 포함하는 박막 트랜지스터를 구비하고,상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들은 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자, 및 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
2 2
삭제
3 3
제 1 항에 있어서,상기 박막 트랜지스터는상기 게이트 라인에 연결된 게이트 전극;상기 데이터 라인에 연결된 소스 전극; 및상기 소스 전극과 분리된 드레인 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
4 4
제 3 항에 있어서,상기 드레인 전극과 접속된 화소 전극을 더 구비하고;상기 화소 전극은 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자, 및 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
5 5
제 3 항에 있어서,상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Ni, Ag, Au, Pt, Mo 합금, Cu 합금 및 Al 합금 중 1 종 이상의 금속 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
6 6
제 4 항에 있어서,상기 화소 전극은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO), Al, AlNd 및 Mo 중 1 종 이상의 금속 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
7 7
제 1 항에 있어서,상기 전도성 고분자 매트릭스는 폴리 아세틸렌(poly acetylene), 폴리 티오펜(poly thiophene), 폴리(3-아크릴 티오펜)(poly(3-acryl thiophene)), 폴리 피롤(poly pyrrole), 폴리(파라-페닐렌 비닐렌)(poly(para-penylene vinylene)), 폴리(에틸렌 비닐렌)(poly(ethylene vinylene)), 폴리(파라-페닐렌)(poly(para-penylene)), 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylene dioxythiopene)) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
8 8
제 1 항에 있어서,상기 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자의 크기는 50nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
9 9
제 1 항에 있어서,상기 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자는 50nm 크기와 20nm 크기의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
10 10
제 9 항에 있어서,상기 50nm 크기의 입자와 20nm 크기의 입자의 혼합비는 7:3 또는 8:2인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이
11 11
말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자, 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스 및 솔벤트를 포함한 코팅액을 마련하는 단계; 및플렉서블 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계를 포함하고,상기 박막 트랜지스터를 형성하는 단계는,상기 코팅액으로 상기 플렉서블 기판 상에 스캔 신호가 공급되는 다수의 게이트 라인들을 형성하는 단계; 및상기 코팅액으로 상기 플렉서블 기판 상에서 상기 게이트 라인들과 교차하고 데이터 신호가 공급되는 다수의 데이터 라인들을 형성하는 단계를 포함하고, 상기 데이터 라인들과 상기 게이트 라인들은 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자 및 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
12 12
제 11 항에 있어서,상기 게이트 라인들 및 데이터 라인들을 형성하는 단계는,상기 코팅액을 플렉서블 기판상에 코팅하는 단계;상기 코팅액을 큐어링하여 상기 플렉서블 기판상에 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막을 패터닝하여 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
13 13
제 11 항에 있어서,상기 게이트 라인은상기 게이트 라인에 연결된 상기 박막 트랜지스터의 게이트 전극과 동시에 형성되고,상기 데이터 라인은상기 데이터 라인에 연결된 상기 박막 트랜지스터의 소스 전극 및 상기 소스 전극과 분리된 상기 박막 트랜지스터의 드레인 전극과 동시에 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 드레인 전극과 접속된 화소 전극을 형성하는 단계를 더 포함하고;상기 화소 전극은 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자, 및 상기 활성화 산소에 결합된 전도성 고분자 매트릭스를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 게이트 라인, 상기 게이트 전극, 상기 데이터 라인, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은Mo, Ti, Cu, AlNd, Al, Cr, Ni, Ag, Au, Pt, Mo 합금, Cu 합금 및 Al 합금 중 1 종 이상의 금속 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
16 16
제 14 항에 있어서,상기 화소 전극은 인듐 틴 옥사이드(Indium Tin Oxide : ITO), 틴 옥사이드(Tin Oxide : TO), 인듐 징크 옥사이드(Indium Zinc Oxide : IZO), 인듐 틴 징크 옥사이드(Indium Tin Zinc Oxide : ITZO), Al, AlNd 및 Mo 중 1 종 이상의 금속 나노 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
17 17
제 11 항에 있어서,상기 전도성 고분자 매트릭스는 폴리 아세틸렌(poly acetylene), 폴리 티오펜(poly thiophene), 폴리(3-아크릴 티오펜)(poly(3-acryl thiophene)), 폴리 피롤(poly pyrrole), 폴리(파라-페닐렌 비닐렌)(poly(para-penylene vinylene)), 폴리(에틸렌 비닐렌)(poly(ethylene vinylene)), 폴리(파라-페닐렌)(poly(para-penylene)), 폴리(3,4-에틸렌 디옥시티오펜)(poly(3,4-ethylene dioxythiopene)) 중 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
18 18
제 11 항에 있어서,상기 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자의 크기는 50nm이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
19 19
제 11 항에 있어서,상기 말단기에 활성화 산소가 결합된 금속 나노입자는 50nm 크기와 20nm 크기의 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
20 20
제 19 항에 있어서,상기 50nm 크기의 입자와 20nm 크기의 입자의 혼합비는 7:3 또는 8:2인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
21 21
제 11 항에 있어서,상기 코팅액을 마련하는 단계는상기 말단기에 활성화 산소를 구비하는 금속 나노입자를 형성하는 단계를 더 포함하고, 상기 말단기에 활성화 산소를 구비하는 금속 나노입자를 형성하는 단계는금속 나노입자를 산화시키는 단계; 및 상기 금속 나노입자를 탈수소화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
22 22
제 21 항에 있어서,상기 금속 나노입자를 산화시키는 단계는알킬산(CnH2n+1COOH)을 통해 이루어지는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
23 23
제 22 항에 있어서,상기 알킬산은 올레산(0leic acid ; C17H33COOH)을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
24 24
제 11 항에 있어서,상기 코팅액 중 상기 말단기에 활성화 산소를 구비하는 금속 나노입자의 함량비는 20 중량% 이상 내지 50 중량 % 이하인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 어레이의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.