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박막 트랜지스터의 제조 방법과, 액정표시장치의 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015048099
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은, 나노 와이어를 이용한 나노 와이어 박막 트랜지스터 및 액정표시장치에 있어서,채널 영역에 일방향으로 정렬됨과 동시에, 상기 채널 영역에만 선택적으로 나노 와이어 반도체층을 형성함으로써, 개구율을 높이고 응답 속도를 증가시킬 수 있는 표시장치를 구현하는 것을 목적으로 한다.상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 양쪽친매성의 자기 정렬 단층박막을 형성하고, 상기 자기 정렬 단층박막의 엔드 그룹과 반발력을 가지는 용매를 이용하여 나노 와이어 반도체층을 솔루션 베이스로 형성함을 특징으로 한다.박막 트랜지스터, 액정표시장치, 나노 와이어, 반도체층
Int. CL B82Y 30/00 (2011.01) G02F 1/136 (2006.01)
CPC G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01) G02F 1/1362(2013.01)
출원번호/일자 1020070041320 (2007.04.27)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1362143-0000 (2014.02.06)
공개번호/일자 10-2008-0096186 (2008.10.30) 문서열기
공고번호/일자 (20140213) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.04.13)
심사청구항수 20

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김재현 대한민국 경기도 수원시 장안구
2 채기성 대한민국 인천광역시 연수구
3 이보현 대한민국 서울 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0320302-45
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.04.13 수리 (Accepted) 1-1-2012-0293533-13
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2012.04.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0293532-78
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.07.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.08.07 수리 (Accepted) 9-1-2013-0062579-49
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.08.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0576693-06
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.10.21 수리 (Accepted) 1-1-2013-0948691-38
12 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.10.21 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0948683-73
13 등록결정서
Decision to grant		 2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0041149-11
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판 상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상기 게이트 전극 상부와 대응되며 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하는 정렬 전극을 형성하는 단계;상기 정렬 전극을 포함한 상기 절연막 중 상기 채널 영역을 제외한 나머지 상에, 계면 활성을 갖는 분자로 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계; 상기 자기 정렬 단층박막 사이로 노출된 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계; 및상기 정렬 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 상기 나노 와이어 분산 용액 내의 나노 와이어를 일방향으로 정렬하여, 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 반도체층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
2 2
기판 상에 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하는 정렬 전극을 형성하는 단계;상기 정렬 전극을 포함한 상기 기판 중 상기 채널 영역을 제외한 나머지 상에, 계면 활성을 갖는 분자로 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계; 상기 자기 정렬 단층박막 사이로 노출된 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계;상기 정렬 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 상기 나노 와이어 분산 용액 내의 나노 와이어를 일방향으로 정렬하여, 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 반도체층을 형성하는 단계; 상기 나노 와이어 반도체층 및 정렬 전극을 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계; 및상기 절연막 상에 상기 채널 영역과 대응되도록 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
3 3
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자는 양쪽 친매성인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
4 4
제 3 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자 중 상기 기판과 결합하지 않는 엔드 그룹은 소수성 작용기를 가지고, 상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
5 5
제 3 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자 중 상기 기판과 결합하지 않는 엔드 그룹은 친수성 작용기를 가지고, 상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 소수성 용매인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
6 6
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 자기 정렬 단층박막은 상기 계면 활성을 갖는 분자가 용해된 용액에 상기 기판을 침저시켜서 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
7 7
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 자기 정렬 단층박막은, 마이크로 컨택 프린팅(micro-contact printing) 방식, 임프린팅 방식, 롤 프린팅(roll printing) 방식, 잉크젯(Inkjet) 방식 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
8 8
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9 9
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 도포하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 극성 용매인 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
10 10
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계는, 슬릿 코팅법 또는 잉크젯 방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
11 11
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12 12
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13 13
삭제
14 14
제 1 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층 상부에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터의 제조 방법
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16 16
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20 20
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22 22
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23 23
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30 30
기판 상에 복수의 게이트 라인 및 상기 게이트 라인에 접속된 게이트 전극과, 상기 게이트 라인의 일단에 구비된 게이트 패드를 형성하는 단계;상기 게이트 라인 및 게이트 전극과 게이트 패드를 포함한 기판 전면에 절연막을 형성하는 단계;상기 절연막 상에 상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하는 복수의 데이터 라인과 및 상기 데이터 라인에 접속되어 상기 게이트 전극 상부에 대응되는 영역에 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하는 정렬 전극과, 상기 데이터 라인의 일단에 구비된 데이터 패드를 형성하는 단계;상기 정렬 전극을 포함한 상기 절연막 중 상기 채널 영역을 제외한 나머지 상에, 계면 활성을 갖는 분자로 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계; 상기 자기 정렬 단층박막 사이로 노출된 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계; 상기 정렬 전극 사이에 형성된 전기장에 의해 상기 나노 와이어 분산 용액 내의 나노 와이어를 일방향으로 정렬하여, 상기 채널 영역 상에 나노 와이어 반도체층을 형성하는 단계; 상기 정렬 전극 및 나노 와이어 반도체층을 포함한 기판 전면에 패시베이션(passivation)막을 형성하는 단계;상기 패시베이션막을 선택적으로 제거하여 상기 정렬 전극의 일부를 노출시키는 제 1 컨택홀과, 상기 게이트 패드 및 데이터 패드의 일부를 노출시키는 제 2 및 제 3 컨택홀을 형성하는 단계; 및상기 제 1 컨택홀을 통해 상기 정렬 전극에 접속되는 화소 전극과 상기 제 2 및 제 3 컨택홀을 통해 게이트 패드 및 데이터 패드에 접속되는 패드 전극을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
31 31
제 30 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자는 양쪽 친매성인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
32 32
제 31 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자 중에서 상기 기판과 결합하지 않는 엔드 그룹은 소수성 작용기를 가지고, 상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 친수성 용매인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
33 33
제 31 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 계면 활성을 갖는 분자 중에서 상기 기판과 결합하지 않는 엔드 그룹은 친수성 작용기를 가지고, 상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 소수성 용매인 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
34 34
제 30 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 자기 정렬 단층박막은 상기 계면 활성을 갖는 분자가 용해된 용액에 상기 기판을 침저시켜서 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
35 35
제 30 항에 있어서,상기 자기 정렬 단층박막을 형성하는 단계에서, 상기 자기 정렬 단층박막은, 마이크로 컨택 프린팅(micro-contact printing) 방식, 임프린팅 방식, 롤 프린팅(roll printing) 방식, 잉크젯(Inkjet) 방식 중 어느 하나의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
36 36
삭제
37 37
제 30 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계에서, 상기 나노 와이어 분산 용액의 용매는 극성 용매인 것을 특징으로 액정표시장치의 제조 방법
38 38
제 30 항에 있어서,상기 나노 와이어 분산 용액을 형성하는 단계는, 슬릿 코팅법 또는 잉크젯 방식으로 실시되는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
39 39
삭제
40 40
제 30 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층을 형성한 이후에 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
41 41
삭제
42 42
제 40 항에 있어서,상기 나노 와이어 반도체층 상부에 보호막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시장치의 제조 방법
43 43
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44 44
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45 45
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46 46
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47 47
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48 48
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49 49
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