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반도체 레이저 다이오드

  • 기술번호 : KST2015048150
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요약 본 발명은 반도체 레이저 다이오드에 관한 것으로서, InGaN으로 이루어지는 활성층과 AlGaN으로 이루어지는 전자 차단층 사이에 Ⅲ-족 조성에 경사를 준 경사 중간층(Graded Interlayer)을 형성하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 의하면, 활성층과 전자 차단층 사이의 에너지 밴드의 갑작스러운 경도 및 격자상수의 차이를 완화시킬 수 있으며, 그로 인해 활성층과 전자 차단층의 계면을 따라 생성되는 크랙을 방지할 수 있어 반도체 레이저 다이오드의 특성을 향상시킬 수 있다.LD, 벽개면, EBL, 크랙, 조성, 경사
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070033774 (2007.04.05)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1330898-0000 (2013.11.12)
공개번호/일자 10-2008-0090669 (2008.10.09) 문서열기
공고번호/일자 (20131118) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.10.13)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최윤호 대한민국 서울특별시 성북구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정종옥 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)
2 조현동 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 (도곡동, 덕영빌딩)(노벨국제특허법률사무소)
3 진천웅 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층 노벨국제특허법률사무소 (도곡동, 덕영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.05 수리 (Accepted) 1-1-2007-0264213-87
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.10.13 수리 (Accepted) 1-1-2011-0799834-40
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.05.14 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.06.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0047921-20
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.03.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0185557-34
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.05.16 수리 (Accepted) 1-1-2013-0433457-26
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.05.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0433468-28
11 등록결정서
Decision to grant
2013.09.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0633962-54
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판의 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, InGaN으로 이루어진 활성층, 경사 중간층(Graded Interlayer), AlGaN으로 이루어지는 전자 차단층(EBL) 및 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고,상기 p-웨이브 가이드층부터 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사(mesa) 식각 되어 n-컨택트층의 일부가 노출되어 있고,상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 중앙 부분이 돌출되어 있는 p-클래드층이 형성되어 있으며, 상기 돌출된 p-클래드층의 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 리지(ridge)를 이루고 있고,상기 리지의 측면과 상기 p-클래드층의 상부에 보호막이 형성되어 있고,상기 p-컨택트층 및 상기 보호막의 일부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 노출된 n-컨택트층 상부에 n-패드 전극이 형성되고,상기 경사 중간층은 InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x ≤0
2 2
도전성 기판의 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, InGaN으로 이루어지는 활성층, 경사 중간층, AlGaN으로 이루어지는 EBL 및 p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고,상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 중앙 부분이 돌출되어 있는 p-클래드층이 형성되어 있으며, 상기 돌출된 p-클래드층의 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 리지를 이루고 있고,상기 리지의 측면과 상기 p-클래드층의 상부에 보호막이 형성되어 있고,상기 p-컨택트층 및 상기 보호막의 일부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 도전성 기판 하부에 n-패드 전극이 형성되고, 상기 경사 중간층은 InxAlyGa1-x-yN(0 ≤ x ≤0
3 3
삭제
4 4
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삭제
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제1항 또는 제2항에 있어서,상기 경사 중간층은 n-타입, p-타입, 언도프 타입 중 어느 하나의 도핑 타입인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
지정국 정보가 없습니다
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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US07701992 US 미국 FAMILY
2 US20080247435 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2008247435 US 미국 DOCDBFAMILY
2 US7701992 US 미국 DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.