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스크린 프린팅을 이용한 태양전지의 선택적 에미터 형성방법에 있어서,지지체 및 상기 지지체를 통해 도펀트 페이스트가 통과하지 못하도록 상기 지지체 상에 형성되는 비인쇄 라인을 포함하되, 상기 비인쇄 라인 간의 간격이 인쇄 대상 반도체 기판의 헤비 도핑되어야 할 제1 영역에 대응하는 부분에서 상기 반도체 기판의 라이트 도핑되어야 할 제2 영역에 대응하는 부분에서보다 더 크도록 스크린 메쉬를 준비하는 단계;상기 스크린 메쉬를 상기 반도체 기판 위에 위치시킨 후, 도펀트 페이스트를 스크린 프린터를 이용하여 상기 반도체 기판 위에 인쇄해서, 상기 제1 영역 도포된 도펀트 페이스트의 높이가 상기 제2 영역에 도포된 도펀트 페이스트의 높이보다 높게 형성하는 단계; 및 상기 도펀트 페이스트가 인쇄된 반도체 기판을 열처리하여 도펀트를 확산시키는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제1항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 비인쇄 라인의 폭은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제1항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 상기 반도체 기판의 제1 영역에 대응하는 부분에서의 상기 비인쇄 라인 간의 간격은 80㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제1항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 상기 반도체 기판의 제2 영역에 대응하는 부분에서의 상기 비인쇄 라인 간의 간격은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제1항에 있어서,상기 반도체 기판은 p형 반도체 기판인 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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제5항에 있어서,상기 도펀트는 P, As, Sb로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 선택적 에미터 형성방법
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태양전지의 선택적 에미터 형성을 위해 반도체 기판 위에 도펀트 페이스트를 스크린 프린팅하는데 사용되는 스크린 메쉬에 있어서, 지지체 및 상기 지지체를 통해 상기 도펀트 페이스트가 통과하지 못하도록 상기 지지체 상에 형성되는 비인쇄 라인을 포함하되,상기 비인쇄 라인 간의 간격은, 상기 반도체 기판의 헤비 도핑되어야 할 제1 영역에 대응하는 부분에서 상기 반도체 기판의 라이트 도핑되어야 할 제2 영역에 대응하는 부분에서보다 더 크게 형성되고,상기 비인쇄 라인의 폭은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 스크린 메쉬
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제7항에 있어서,상기 반도체 기판의 제1 영역에 대응하는 부분에서의 상기 비인쇄 라인 간의 간격은 80㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 스크린 메쉬
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제7항에 있어서,상기 반도체 기판의 제2 영역에 대응하는 부분에서의 상기 비인쇄 라인 간의 간격은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 스크린 메쉬
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제1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 따른 선택적 에미터 형성방법을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제11항에 따른 태양전지의 제조방법을 이용하여 제조되는 태양전지
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