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제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체 기판과 제2 도전형 반도체층 사이의 계면에 형성된 p-n 접합으로 이루어진 p-n 구조상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성되는 반사방지막상기 반사방지막 상에 형성되고, 상기 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 연결되는 전면전극 및표면에 소정의 음각 패턴을 포함하며 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되는 후면전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 제1 도전형 반도체 기판과 상기 후면전극의 계면에는 p+층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 후면전극의 표면에는 스트라이프형, 격자형 또는 동심원형의 음각 패턴이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제1항에 있어서,상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
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스크린 프린팅을 이용한 태양전지의 후면전극 형성방법에 있어서, 반도체 기판에 소정 음각 패턴을 갖도록 후면전극 형성용 페이스트를 인쇄하는 단계 및 상기 페이스트가 인쇄된 반도체 기판을 열처리하는 단계를 포함하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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7
제6항에 있어서,상기 페이스트 인쇄시에 사용되는 스크린 메쉬는, 지지체 및 상기 지지체를 통해 페이스트가 통과하지 못하도록 상기 지지체 상에 형성되는 비인쇄 라인을 포함하되, 상기 비인쇄 라인 간의 간격이 상기 후면전극의 음각부에 대응하는 부분에서 상기 후면전극의 양각부에 대응하는 부분에서보다 더 작게 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제7항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 비인쇄 라인의 폭은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제7항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 상기 후면전극의 음각부에 대응하는 부분에서의 비인쇄 라인 간의 간격은 수 ~ 80㎛인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제7항에 있어서,상기 스크린 메쉬의 상기 후면전극의 양각부에 대응하는 부분에서의 비인쇄 라인 간의 간격은 80㎛ 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제6항에 있어서,상기 음각 패턴은 스트라이프형, 격자형 또는 동심원형의 음각 패턴인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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12
제6항에 있어서,상기 페이스트는 알루미늄을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제6항에 있어서,상기 페이스트는 점도는 50 ~ 1500 poise인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제6항에 있어서,상기 페이스트는 점도는 200 ~ 700 poise인 것을 특징으로 하는 태양전지의 후면전극 형성방법
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제6항 내지 제14항 중 어느 한 항에 따른 후면전극 형성방법을 포함하는 태양전지의 제조방법
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제15항에 따른 제조방법을 이용하여 제조된 태양전지
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