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기판의 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer : EBL), p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고;상기 p-웨이브 가이드층부터 상기 n-컨택트층의 일부분까지 메사(mesa) 식각 되어 n-컨택트층의 일부가 노출되어 있고;상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 중앙 부분이 돌출되어 있는 p-클래드층이 형성되어 있으며, 상기 돌출된 p-클래드층의 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 리지(Ridge)를 이루고 있고;상기 리지의 측면과 상기 p-클래드층의 상부에 보호막이 형성되어 있고;벽개면(Cleavage Facet) 부근의 리지(Ridge) 및 상기 리지 하부의 p-클래드층의 일부가 식각되어 윈도우(Window)를 이루고 있고;상기 p-컨택트층 및 상기 보호막의 일부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 노출된 n-컨택트층 상부에 n-패드 전극이 형성되어 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
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기판의 상부에 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer : EBL), p-웨이브 가이드층이 순차적으로 적층되어 있고;상기 p-웨이브 가이드층의 상부에는 중앙 부분이 돌출되어 있는 p-클래드층이 형성되어 있으며, 상기 돌출된 p-클래드층의 상부에는 p-컨택트층이 형성되어 리지(Ridge)를 이루고 있고;상기 리지의 측면과 상기 p-클래드층의 상부에 보호막이 형성되어 있고;벽개면(Cleavage Facet) 부근의 리지(Ridge) 및 상기 리지 하부의 p-클래드층의 일부가 식각되어 윈도우(Window)를 이루고 있고;상기 p-컨택트층 및 상기 보호막의 일부를 감싸며 p-패드 전극이 형성되어 있고, 상기 기판 하부에 n-패드 전극이 형성되어 이루어지는 반도체 레이저 다이오드
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기판의 상부에 순차적으로 형성되는 n-컨택트층, n-클래드층, n-웨이브 가이드층, 활성층, 전자 차단층(Electron Blocking Layer : EBL), p-웨이브 가이드층으로 이루어지는 적층구조물과;상기 적층구조물의 p-웨이브 가이드층 상부에 중앙 부분이 돌출되어 형성된 p-클래드층 및 상기 돌출된 p-클래드층 상부에 형성된 p-컨택트층으로 이루어지는 리지(Ridge) 구조를 포함하여 이루어지며, 상기 리지 구조는 벽개면 부근에 형성된 영역이 식각되어 윈도우(Window)를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제2항에 있어서,상기 기판은 n-GaN으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 윈도우는 프론트 벽개면 또는 백 벽개면 중 적어도 어느 하나의 벽개면 부근에 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 윈도우의 길이는 1㎛ ~ 300㎛인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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7
제1항 내지 제4항 중 어느 하나의 항에 있어서,상기 활성층으로부터 상기 윈도우까지의 거리는 1000Å ~ 5000Å인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 다이오드
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