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박막형 태양전지와 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015048177
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요약 본 발명은 박막형 태양전지 및 그 제조방법에 관한 것으로서, 특히 광기전력 변환 영역을 가지는 태양전지 셀에 적용되어 넓은 범위의 태양광 파장을 흡수할 수 있고 그로 인해 광전 변환 효율을 극대화시킨 태양전지에 관한 것이다.구체적으로 본 발명은 p형 반도체층과 n형 반도체층 사이에, 상기 p형 반도체층의 입자상에 대한 상기 n형 반도체층의 입자상의 경사기능을 갖는 i형 반도체층을 포함하는 박막형 태양전지에 관한 것으로서 보다 단순한 공정으로 높은 광전 변환 효율을 가지는 효과를 얻을 수 있다.박막형 태양전지, 광기전력, 태양광, p형 반도체층, n형 반도체층, i형 반도체층, 경사기능
Int. CL H01L 31/075 (2006.01)
CPC H01L 31/0445(2013.01)
출원번호/일자 1020070041509 (2007.04.27)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0861548-0000 (2008.09.26)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20081002) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.04.27)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김범성 대한민국 경기 안양시 동안구
2 김화년 대한민국 경기 부천시 소사구
3 이해석 대한민국 서울 서초구
4 윤정흠 대한민국 경기 남양주시
5 이헌민 대한민국 경기 성남시 분당구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0321422-94
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0014477-69
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0165074-63
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2008-0374160-92
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.05.26 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0374158-00
7 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
8 등록결정서
Decision to grant
2008.09.18 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0482686-97
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
입자상이 비정질인 p형 반도체층과 입자상이 결정질인 n형 반도체층 사이에, 상기 p형 반도체층의 입자상에 대한 상기 n형 반도체층의 입자상의 경사기능을 갖는 i형 반도체층을 포함하는 박막형 태양전지
2 2
제 1항에 있어서, 상기 경사기능은 비정질상에 대한 결정질상의 비로 표시할 때 최하 0 부터 0
3 3
삭제
4 4
제 1항에 있어서, 상기 결정질은 미세결정, 다결정, 나노결정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
5 5
제 1항에 있어서, 상기 p형 반도체층과 i형 반도체층 사이에는 버퍼층을 포함하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
6 6
제 1항에 있어서, 상기 i형 반도체층은 상기 경사기능에 따라 밴드갭 에너지가 증가 또는 감소하는 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지
7 7
p-i-n형 반도체층이 적어도 하나 이상 포함된 박막형 태양전지의 제조방법에 있어서,입자상이 비정질인 p형 반도체층과 입자상이 결정질인 n형 반도체층 사이에, 상기 p형 반도체층의 입자상에 대한 상기 n형 반도체층의 입자상의 경사기능이 비정질상에 대한 결정질상의 비로 표시할 때 최하 0 부터 0
8 8
제 7항에 있어서, 상기 n형 반도체층의 결정질은 미세결정, 다결정, 나노결정 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 박막형 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.