맞춤기술찾기

홈으로 가기
맞춤기술찾기
이전대상기술
프린트하기

이전대상기술

태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015048282
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
상담신청 PDF 받기
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것이다. 본 발명의 태양전지는, 제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체 기판과 제2 도전형 반도체층 사이의 계면에 형성된 p-n 접합으로 이루어진 p-n 구조 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성되고, 40 nm ~ 100 nm의 두께를 갖는 SiNx:H 박막으로 이루어진 제1 반사방지막 상기 제1 반사방지막 상에 형성되고, 실리콘산화질화막으로 이루어진 제2 반사방지막 소정 패턴에 따라 상기 제2 반사방지막 상에 형성되고, 상기 제1 및 제2 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 연결되는 전면전극 및 상기 제1 도전형 반도체 기판을 사이에 두고 상기 전면전극과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 연결되도록 형성된 후면전극을 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 태양전지는 조사되는 빛에 대한 반사율을 최소화하고 실리콘 기판의 결함이 부동화되어 우수한 광전변환효율을 나타낸다. 태양전지, 광기전력효과, 반도체, p-n 접합, 반사방지막, 광전 변환효율
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/0216 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC
출원번호/일자 1020070054112 (2007.06.01)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0900443-0000 (2009.05.26)
공개번호/일자 10-2008-0045598 (2008.05.23) 문서열기
공고번호/일자 (20090601) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060114282   |   2006.11.20
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.06.01)
심사청구항수 22

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 이성은 대한민국 대전 유성구
2 박현정 대한민국 대전 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0405082-11
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.02.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.02.29 수리 (Accepted) 9-1-2008-0011791-76
4 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status		 2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.09.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0490455-90
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2008.11.24 수리 (Accepted) 1-1-2008-0809341-30
8 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2008.11.24 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0809340-95
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.03.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0128006-02
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형 반도체 기판, 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 형성되고 상기 제1 도전형 반도체 기판과 반대 도전형을 가지는 제2 도전형 반도체층 및 상기 제1 도전형 반도체 기판과 제2 도전형 반도체층 사이의 계면에 형성된 p-n 접합으로 이루어진 p-n 구조 상기 제2 도전형의 반도체층 상에 형성되고, 40 nm ~ 100 nm의 두께를 갖는 SiNx:H 박막으로 이루어진 제1 반사방지막 상기 제1 반사방지막 상에 형성되고, 실리콘산화질화막으로 이루어진 제2 반사방지막 소정 패턴에 따라 상기 제2 반사방지막 상에 형성되고, 상기 제1 및 제2 반사방지막을 관통하여 제2 도전형 반도체층과 연결되는 전면전극 및 상기 제1 도전형 반도체 기판을 사이에 두고 상기 전면전극과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 연결되도록 형성된 후면전극을 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
2 2
제1항에 있어서, 상기 제1 반사방지막은 1
3 3
제1항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 10 nm ~200 nm의 두께를 가지는 것을 특징으로 하는 태양전지
4 4
제1항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 1
5 5
제1항에 있어서, 상기 제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 경계 계면에서 불연속적인 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 태양전지
6 6
제1항에 있어서, 상기 제1 반사방지막은 PECVD법 또는 CVD법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
7 7
제1항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 PECVD법 또는 CVD법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
8 8
제1항에 있어서, 상기 제1 반사방지막과 제2 반사방지막은 PECVD법에 의해 인시튜 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
9 9
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지
10 10
제1항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 상기 후면전극의 계면에는 상기 제1 도전형 반도체 기판보다 농도가 높은 불순물을 포함하는 BSF(Back Surface Field) 층이 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지
11 11
(S1) 제1 도전형 반도체 기판 상에 그에 반대 도전형의 제2 도전형 반도체층을 형성하여 그 계면에 p-n 접합을 형성하는 단계 (S2) 상기 제2 도전형 반도체층 상에 40 nm ~ 100 nm의 두께를 갖는 SiNx:H 박막으로 이루어지는 제1 반사방지막을 형성하는 단계 (S3) 상기 제1 반사방지막 상에 실리콘산화질화막으로 이루어지는 제2 반사방지막을 형성하는 단계 (S4) 상기 제2 반사방지막 상에 제2 도전형 반도체층에 연결되는 전면전극을 형성하는 단계 (S5) 상기 제1 도전형 반도체 기판을 사이에 두고 상기 전면전극과 반대측에, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 연결되도록 후면전극을 형성하는 단계를 포함하는 태양전지의 제조방법
12 12
제11항에 있어서, 상기 제1 반사방지막은 1
13 13
제11항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 10 nm ~ 200 nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
14 14
제11항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 1
15 15
제11항에 있어서, 상기 제1 반사방지막 및 제2 반사방지막은 경계 계면에서 불연속적인 굴절률을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
16 16
제11항에 있어서, 상기 제1 반사방지막은 PECVD법 또는 CVD법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
17 17
제11항에 있어서, 상기 제2 반사방지막은 PECVD법 또는 CVD법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
18 18
제11항에 있어서, 상기 제1 반사방지막과 제2 반사방지막은 PECVD법에 의해 인시튜 공정으로 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
19 19
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판은 p형 실리콘 기판이고, 상기 제2 도전형 반도체층은 n형 이미터층인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
20 20
제11항에 있어서, 상기 제1 도전형 반도체 기판과 상기 후면전극의 계면에는 상기 제1 도전형 반도체 기판보다 농도가 높은 불순물을 포함하는 BSF(Back Surface Field) 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
21 21
제11항에 있어서, 상기 (S4) 단계에서 상기 전면전극은 전면전극 형성용 페이스트를 제2 반사방지막 상에 소정 패턴으로 도포한 후 열처리함에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
22 22
제11항에 있어서, 상기 (S5) 단계에서 상기 후면전극은 후면전극 형성용 페이스트를 상기 제1 도전형 반도체 기판 상에 소정 패턴으로 도포한 후 열처리함에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101563785 CN 중국 FAMILY
2 EP02095429 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP02095429 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 TW200830567 TW 대만 FAMILY
5 TWI398004 TW 대만 FAMILY
6 US20100071762 US 미국 FAMILY
7 US20110023960 US 미국 FAMILY
8 WO2008062934 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN101563785 CN 중국 DOCDBFAMILY
2 CN101563785 CN 중국 DOCDBFAMILY
3 EP2095429 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
4 EP2095429 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
5 EP2095429 EP 유럽특허청(EPO) DOCDBFAMILY
6 TW200830567 TW 대만 DOCDBFAMILY
7 TWI398004 TW 대만 DOCDBFAMILY
8 US2010071762 US 미국 DOCDBFAMILY
9 US2011023960 US 미국 DOCDBFAMILY
10 WO2008062934 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
국가 R&D 정보가 없습니다.