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기판 상에 버퍼층을 형성하는 단계;버퍼층 상에 선택 성장용 마스크를 형성하는 단계;상기 마스크를 이용하여, 성장 방향으로 폭이 좁아지는 경사면을 가지는 질화물 결정층을 선택적으로 성장하는 단계;상기 질화물 결정층 상에 상기 질화물 결정층보다 얇은 두께를 가지는 다층 구조의 질화물 반도체층을 형성하는 단계;상기 질화물 반도체층 상에 제1전극을 형성하는 단계;상기 제1전극 상에 보조기판을 부착하는 단계;상기 질화물 결정층으로부터 기판을 분리하는 단계;상기 기판이 분리된 질화물 결정층 상에 제2전극을 형성하는 단계; 상기 보조기판을 분리하는 단계; 및상기 질화물 결정층 및 질화물 반도체층을 포함하는 구조를 벽개하여 거울면을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층은, 금속, 질화물, 산화물 중 어느 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 보조기판을 부착하는 단계에서, 상기 보조기판은 사파이어, 금속, 반도체 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 질화물 결정층은, HVPE 법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 마스크는 띠 형태를 가지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 5항에 있어서, 상기 띠 형태의 마스크는, 질화물 반도체층의 [1-100] 결정 방향에 평행하도록 정렬되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 다층 구조의 질화물 반도체층을 형성하는 단계는,제1클래드층을 형성하는 단계와;상기 제1클래드층 상에 제1광가이드층을 형성하는 단계와;상기 제1광가이드층 상에 활성층을 형성하는 단계와;상기 활성층 상에 제2광가이드층을 형성하는 단계와;상기 제2광가이드층 상에 제2클래드층을 형성하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 7항에 있어서, 상기 제2클래드층을 광 도파로용 띠 형 구조로 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 띠 형 구조의 상면만을 노출시키는 전류 협착층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 벽개에 의하여 이루어지는 면에 보호막, 저반사막 또는 고반사막을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 거울면을 형성하는 단계는, 기계적 스크라이빙 또는 레이저 빔을 이용한 스크라이빙 하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 버퍼층을 형성하는 단계는, 금속층을 형성하는 단계; 및 상기 금속층을 질화 또는 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 1항에 있어서, 상기 보조기판을 부착하는 단계는, 접착제를 이용하여 부착하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 보조기판을 분리하는 단계는, 상기 접착제를 용해시킴으로써 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조방법
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