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(S1) 실리콘 웨이퍼의 일면에 실리콘나이트라이드 식각방지층을 형성하는 단계;(S2) 상기 식각방지층이 형성된 실리콘 웨이퍼를 텍스쳐링하여 식각방지층이 형성된 반대면에 요철을 형성하는 단계;(S3) 상기 실리콘 웨이퍼의 요철이 형성된 면에 상기 실리콘 웨이퍼의 도전형과 반대 도전형의 에미터층을 형성하는 단계;(S4) 상기 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;(S5) 상기 반사방지막을 관통하며 상기 에미터층에 연결되도록 전면전극을 형성하는 단계; 및(S6) 상기 식각방지층을 관통하며 실리콘 웨이퍼와 연결되도록 후면전극을 형성하는 단계를 포함하고,상기 (S6) 단계는 후면전극 형성용 페이스트를 상기 식각방지층 위에 도포한 후 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 실리콘 웨이퍼는 p형 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 식각방지층은 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 형성되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (S2) 단계는 상기 실리콘 웨이퍼를 알칼리 용액으로 처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제4항에 있어서, 상기 알칼리 용액은 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 수산화암모늄으로 이루어진 군에서 선택되는 알칼리 물질을 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 반사방지막은 실리콘나이트라이드를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서,상기 (S4) 단계는 플라즈마 화학기상증착법(PECVD), 화학기상증착법(CVD) 및 스퍼터링으로 이루어지는 군에서 선택되는 방법에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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8
제1항에 있어서, 상기 (S5) 단계는 전면전극 형성용 페이스트를 반사방지막 위에 도포한 후 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제8항에 있어서, 상기 전면전극 형성용 페이스트는 은, 글라스 프릿 및 바인더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 후면전극 형성용 페이스트는 알루미늄, 글라스 프릿 및 바인더를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항에 있어서, 상기 (S5) 단계는, 전면전극 형성용 페이스트를 상기 반사방지막 위에 도포한 후, 열처리함에 의해 실시되는 것을 특징으로 하는 태양전지의 제조방법
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제1항 내지 제9항, 제11항 및 제12항 중 어느 한 항에 따른 태양전지의 제조방법을 이용하여 제조되는 태양전지
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