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금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트 및 이의 이용

  • 기술번호 : KST2015048491
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 화학식 M(Ⅳ)SiO2(HPO4)2ㆍn H2O 로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(Metal(Ⅳ) Silicate Phosphate, MSP) 및 이의 이용에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이를 포함하는 유기/무기 복합 전해질막, 이를 포함하는 전극, 상기 유기/무기 복합 전해질막 및/또는 상기 전극을 포함하는 막전극 접합체(MEA), 및 이러한 막전극 접합체를 구비하는 연료전지에 관한 것이다.
Int. CL C01B 25/26 (2006.01) H01M 4/02 (2006.01) C01B 33/00 (2006.01)
CPC C01B 25/26(2013.01) C01B 25/26(2013.01) C01B 25/26(2013.01) C01B 25/26(2013.01)
출원번호/일자 1020070050177 (2007.05.23)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1105566-0000 (2012.01.05)
공개번호/일자 10-2008-0103189 (2008.11.27) 문서열기
공고번호/일자 (20120117) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.05.26)
심사청구항수 19

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 원정혜 대한민국 대전 유성구
2 신정규 대한민국 대전 유성구
3 최성호 대한민국 대전 서구
4 이봉근 대한민국 대전시 유성구
5 장재혁 대한민국 대전 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 정순성 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층 (역삼동, 타워***빌딩)(새온특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.05.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0377998-15
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2009.05.26 수리 (Accepted) 1-1-2009-0314230-39
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2010.08.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2010.09.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0055477-12
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.04.01 수리 (Accepted) 1-1-2011-0241011-16
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2011.04.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0192285-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2011.06.10 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2011-0438126-11
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2011.06.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0438127-67
9 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.06.30 수리 (Accepted) 1-1-2011-0502637-76
10 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2011.12.07 수리 (Accepted) 1-1-2011-0969988-50
11 등록결정서
Decision to grant		 2011.12.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0751088-29
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
(a) 금속(Ⅳ) 알콕사이드 또는 금속(Ⅳ) 염; 금속과 배위결합하는 리간드; 및 산(acid)을 혼합하는 단계; (b) 상기 (a) 단계의 혼합물에 실리콘 알콕사이드; 및 산을 첨가하여 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액을 준비하는 단계; 및 (c) 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액에 인산 또는 폴리인산을 첨가, 혼합하는 단계를 포함하여 제조되는 것이 특징인 하기 화학식 1로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)
2 2
제1항에 있어서, 상기 M은 Zr인 것이 특징인 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트
3 3
삭제
4 4
유기 고분자 및 하기 화학식 1로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)를 포함하되, (i) 상기 유기 고분자 또는 이의 용액; 및 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트 또는 이의 용액을 혼합하여 이들의 혼합물을 준비하는 단계; 및 (ii) 상기 혼합물을 사용하여 막을 성형하는 단계를 포함하여 제조되는 것을 특징으로 하는 유기/무기 복합 전해질막
5 5
제4항에 있어서, 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)는 상기 유기 고분자 매트릭스에 분산되어 있는 것이 특징인 유기/무기 복합 전해질막
6 6
제4항에 있어서, 상기 유기 고분자는 폴리아릴렌에테르(polyaryleneether, PAE), 폴리에테르에테르케톤 (polyetheretherketone, PEEK), 폴리에테르에테르술폰 (polyetherethersulfone, PEES), 폴리테트라플루오르에틸렌(polytetrafluoroethylene, PTFE), 폴리비닐리덴플루오라이드(polyvinylidenefluoride, PVDF), 나피온(Nafion), 폴리아졸(polyazole), 폴리비닐알콜(polyvinylalcohol, PVA), 폴리페닐렌 옥사이드(polyphenylene oxide), 폴리페닐렌 설파이드(polyphenylene sulfide), 폴리술폰, 폴리카보네이트, 폴리스티렌, 폴리이미드(polyimide), 폴리아미드(polyamide), 폴리퀴녹살린, (포스페이티드) 폴리포스파젠 및 폴리벤즈이미다졸로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 고분자인 것이 특징인 유기/무기 복합 전해질막
7 7
제6항에 있어서, 상기 유기 고분자는 설폰산기, 인산기, 히드록시기, 및 카르복실산기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수소이온 교환기를 갖는 유기 고분자인 것을 특징으로 하는 유기/무기 복합 전해질막
8 8
제4항에 있어서, 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트는 상기 유기 고분자 100 중량부 대비 0
9 9
삭제
10 10
유기 고분자 및 하기 화학식 1로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)를 포함하되, (i) 상기 유기 고분자 또는 이의 용액; 및 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액을 혼합하여 이들의 혼합물을 준비하는 단계; 및 (ii) 상기 혼합물을 사용하여 막을 성형한 후, 인산 처리하는 단계를 포함하여 제조되는 것이 특징인 유기/무기 복합 전해질막
11 11
제10항에 있어서, 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액은 (a) 금속(Ⅳ) 알콕사이드 또는 금속(Ⅳ) 염; 금속과 배위결합하는 리간드; 및 산(acid)을 혼합하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계의 혼합물에 실리콘 알콕사이드; 및 산을 첨가하는 단계를 포함하여 제조되는 것이 특징인 유기/무기 복합 전해질막
12 12
기체 확산층의 일면 또는 양면 상에 하기 화학식 1로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)가 포함된 촉매층이 형성되되, 촉매, 유기 고분자, 용매 및 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트를 포함하는 혼합용액을 기체 확산층에 도포 및 건조시켜 제조되는 것이 특징인 전극
13 13
제12항에 있어서, 상기 촉매층은 촉매와 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)를 기체 확산층 상에 고정 및 연결하는 수소이온 전도성 유기 고분자를 포함하는 것이 특징인 전극
14 14
제13항에 있어서, 상기 유기 고분자는 설폰산기, 인산기, 히드록시기, 및 카르복실산기로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상의 수소이온 교환기를 갖는 유기 고분자인 것이 특징인 전극
15 15
제12항에 있어서, 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트는 촉매층에 사용되는 유기 고분자 100 중량부 대비 0
16 16
삭제
17 17
기체 확산층의 일면 또는 양면 상에 하기 화학식 1로 표시되는 금속(Ⅳ)-실리케이트-포스페이트(MSP)가 포함된 촉매층이 형성되되, 촉매, 유기 고분자, 용매 및 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액을 포함하는 혼합용액을 가스 확산층에 도포 및 건조시킨 후, 인산 처리하여 제조되는 것이 특징인 전극
18 18
제17항에 있어서, 상기 금속(Ⅳ)-실리케이트 전구체 용액은 (a) 금속(Ⅳ) 알콕사이드 또는 금속(Ⅳ) 염; 금속과 배위결합하는 리간드; 및 산(acid)을 혼합하는 단계; 및 (b) 상기 (a) 단계의 혼합물에 실리콘 알콕사이드; 및 산을 첨가하는 단계를 포함하여 제조되는 것이 특징인 전극
19 19
캐소드; 애노드; 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 위치하는 전해질막을 포함하는 막전극 접합체에 있어서, (i) 상기 전해질막은 제4항 내지 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항의 유기/무기 복합 전해질막; 또는 (ii) 상기 캐소드, 또는 애노드, 또는 이들 모두는 제12항 내지 제15항, 제17항 및 제18항 중 어느 한 항의 전극; 또는 상기 (i)과 (ii) 모두인 것이 특징인 막전극 접합체(MEA)
20 20
제19항에 있어서, 상기 캐소드; 애노드; 및 상기 캐소드와 애노드 사이에 위치하는 전해질막을 밀착시킨 상태에서 100 내지 400℃로 열압착하여 제조되는 것이 특징인 막전극 접합체
21 21
제19항의 막전극 접합체(MEA)를 포함하는 연료전지
22 22
제21항에 있어서, 상기 연료전지는 고분자 전해질 연료전지, 직접 액체 연료전지, 직접 메탄올 연료전지, 직접 개미산 연료전지, 직접 에탄올 연료전지 또는 직접 디메틸에테르 연료전지인 것이 특징인 연료전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.