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반도체 레이저 소자 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015048520
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요약 본 발명은 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 관한 것으로 특히, 반도체 레이저 소자의 수율과 양산성을 향상시킬 수 있는 반도체 레이저 소자 및 그 제조방법에 관한 것이다. 이러한 본 발명은, 발광층을 포함하며, 상측에 릿지 구조를 가지는 다층구조의 반도체층과; 상기 반도체층의 릿지 구조에 대하여 수직방향으로 벽개되는 벽개면과; 상기 벽개면측의 상기 릿지 구조의 양측에 형성되는 크랙방지홈을 포함하여 구성되는 것이 바람직하다.레이저, 크랙, 반도체, 벽개, LD.
Int. CL H01S 3/0941 (2006.01)
CPC H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01) H01S 3/09415(2013.01)
출원번호/일자 1020070057919 (2007.06.13)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1351031-0000 (2014.01.03)
공개번호/일자 10-2008-0109510 (2008.12.17) 문서열기
공고번호/일자 (20140113) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2011.12.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 송희석 대한민국 경기 안산시 상록구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김용인 대한민국 서울특별시 송파구 올림픽로 ** (잠실현대빌딩 *층)(특허법인(유한)케이비케이)
2 박영복 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, *층(역삼동, 삼화빌딩)(특허법인 두성)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.13 수리 (Accepted) 1-1-2007-0428570-63
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2011.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2011-1026955-71
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2012.08.21 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2012.09.21 수리 (Accepted) 9-1-2012-0073697-41
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.05.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0329824-64
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.07.09 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0616493-52
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.07.09 수리 (Accepted) 1-1-2013-0616494-08
11 등록결정서
Decision to grant
2013.10.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0744414-26
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
n-형 반도체층, 상기 n-형 반도체층 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 전자장벽층 및 상기 전자장벽층 상에 위치하는 p-형 반도체층을 포함하며, 상측에 릿지 구조를 가지는 다층구조의 반도체층과;상기 반도체층의 릿지 구조에 대하여 수직방향으로 벽개되는 벽개면과;상기 벽개면측의 상기 릿지 구조의 양측에 형성되고, 깊이가 상기 p-형 반도체층에서 적어도 상기 전자장벽층까지 이르도록 형성되는 크랙방지홈을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
2 2
제 1항에 있어서, 상기 반도체층 상의 릿지 구조 양측에는 지지패드가 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
3 3
제 2항에 있어서, 상기 크랙방지홈은, 상기 지지패드에 인접하게 형성된 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
4 4
삭제
5 5
삭제
6 6
n-형 패드와;상기 n-형 패드 상에 위치하고, 상측에 릿지 구조를 가지며, n-형 반도체층과, 상기 n-형 반도체층 상에 위치하는 발광층과, 상기 발광층 상에 위치하는 전자장벽층과, 상기 전자장벽층 상에 위치하는 p-형 반도체층을 포함하여 구성되는 다층구조의 반도체층과;상기 반도체층의 릿지 구조에 대하여 수직방향으로 벽개되는 벽개면과;상기 반도체층 상의 릿지 구조의 양측에 위치하는 지지패드와;상기 반도체층 상의 지지패드 및 벽개면에 인접한 곳에 형성되며, 깊이가 상기 p-형 반도체층에서 적어도 상기 전자장벽층까지 이르도록 형성되는 크랙방지홈과;상기 반도체층 상에 위치하는 p-형 패드를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자
7 7
기판 상에, n-형 반도체층, 상기 n-형 반도체층 상에 위치하는 발광층, 상기 발광층 상에 위치하는 전자장벽층 및 상기 전자장벽층 상에 위치하는 p-형 반도체층을 포함하며, 릿지 구조를 가지는 다층구조의 반도체층을 형성하는 단계와;상기 반도체층의 릿지 구조의 양측에 지지패드를 형성하는 단계와;상기 지지패드에 인접한 상기 반도체층 상의 소자 구분영역에 깊이가 상기 p-형 반도체층에서 적어도 상기 전자장벽층까지 이르도록 형성되는 크랙방지홈을 형성하는 단계와;상기 지지패드를 포함하는 반도체층 상에 p-형 패드를 형성하는 단계와;상기 기판의 하측에 n-형 패드를 형성하는 단계와;상기 소자 구분영역을 벽개하는 단계를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 소자의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.