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벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015048584
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 후면 접촉층 상에 n 형 반도체층을 형성하는 단계, 상기 n 형 반도체층 전면 및 측면에 입사광의 반사를 최소화시키기 위한 반사방지층을 형성하는 단계, 상기 n 형 반도체층의 적어도 일부와 접촉하는 전극, 및 상기 후면 접촉층 하면의 적어도 일부와 접촉하는 전극을 형성하는 단계, 및 열처리하여 상기 n 형 반도체층이 상기 후면 접촉층으로 도핑되어 p-n 접합을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는, 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법 및 이에 따라 제조된 벌크형 실리콘 태양 전지가 제공된다. 종래 태양 전지의 제조에 있어서 필수적이었던 PECVD, 포스포러스 옥시클로라이드(Phosphorus Oxychloride, POCl3) 확산 공정 등을 생략함으로써, 태양 전지의 제조 공정이 단순화되고 그 비용이 절감된다. 태양 전지, PECVD, 포스포러스 옥시클로라이드, 열처리, p-n 접합
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01) H01L 31/0224 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020070063306 (2007.06.26)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1321538-0000 (2013.10.17)
공개번호/일자 10-2008-0114080 (2008.12.31) 문서열기
공고번호/일자 (20131025) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.03.20)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종환 대한민국 경기도 성남시 분당구
2 윤주환 대한민국 경기 부천시 원미구
3 정일형 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application		 2007.06.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0465916-79
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)		 2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219335-97
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)		 2012.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2012-0226310-90
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2013.04.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2013.05.08 수리 (Accepted) 9-1-2013-0033175-38
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2013.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0454231-09
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2013.08.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0755615-18
11 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2013.08.20 수리 (Accepted) 1-1-2013-0755616-53
12 등록결정서
Decision to grant		 2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0668568-87
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
후면 접촉층 상에 형성된 n 형 반도체층의 표면에 입사광의 반사를 최소화시키기 위한 반사방지층을 형성하는 단계;상기 반사방지층 및 상기 후면 접촉층에 각각 접촉하는 전극을 형성하는 단계; 및 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 반사방지층이 실리콘을 산화하여 형성되는 실리콘 산화물을 포함하고, 상기 열처리하는 단계에서, 상기 후면 접촉층의 재질이 상기 n 형 반도체층의 일부에 확산하여 p형 반도체층을 형성하는 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 n 형 반도체층은 초크랄스키(Czochralski, Cz) 실리콘 단결정 성장법으로 형성되고 표면 요철 구조를 가지는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법
3 3
제 1 항에 있어서, 상기 후면 접촉층의 재질은 알루미늄 (Al) 또는 붕소 (B) 인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법
4 4
후면 접촉층 상에 형성된 n 형 반도체층의 표면에 입사광의 반사를 최소화시키기 위한 반사방지층을 형성하는 단계;상기 반사방지층 및 상기 후면 접촉층에 각각 접촉하는 전극을 형성하는 단계; 및 열처리하는 단계를 포함하고, 상기 열처리하는 단계에서, 상기 후면 접촉층의 재질이 상기 n 형 반도체층의 일부에 확산하여 p형 반도체층을 형성하고, 상기 반사방지층에 접촉하는 상기 전극이 상기 반사방지층을 뚫고 들어가 상기 n형 반도체층과 전기적인 접촉을 형성하는 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법
5 5
제 1 항에 있어서, 상기 전극의 재질은, 은 (Ag) 인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지의 제조 방법
6 6
후면 접촉층과 상기 후면 접촉층 상에 순차로 형성되며 실리콘을 포함하는 p형 반도체층 및 n형 반도체층;상기 n 형 반도체층의 표면에 형성되어 입사광의 반사를 최소화시키며 실리콘의 산화에 의하여 형성되는 실리콘 산화물을 포함하는 반사방지층;상기 n 형 반도체층의 일부에 접촉하는 전극; 및상기 후면 접촉층의 일부에 접촉하는 전극을 포함하는 벌크형 실리콘 태양 전지
7 7
제 6 항에 있어서, 상기 n 형 반도체층은 초크랄스키(Czochralski, Cz) 실리콘 단결정 성장법으로 형성되고 표면 요철 구조를 가지는 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지
8 8
제 6 항에 있어서, 상기 후면 접촉층의 재질은 알루미늄 (Al) 또는 붕소 (B) 인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지
9 9
삭제
10 10
제 6 항에 있어서, 상기 전극의 재질은, 은 (Ag) 인 것을 특징으로 하는 벌크형 실리콘 태양 전지
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.