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표면에 유기물이 부착되어 있는 웨이퍼를 계면활성제를 이용하여 세정하는 단계;질소에 의해 버블(bubble)이 발생되는 초순수로 상기 웨이퍼를 세정하여 상기 웨이퍼 표면에 부착되어 있는 상기 계면활성제와 상기 유기물간의 반응물을 제거하는 단계; 및메가소닉이 인가된 오존수로 상기 웨이퍼를 세정하여 상기 웨이퍼 표면에 잔존하는 상기 유기물 및 계면활성제를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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제1항에 있어서, 상기 계면활성제를 이용하여 세정하는 단계는 초순수와 계면활성제 혼합비를 1:10 ~ 1:100으로 혼합한 계면활성제 세정액을 이용하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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제1항에 있어서, 상기 질소에 의해 버블이 발생되는 초순수로 세정하는 단계는 초순수에 10LPM ~ 100LPM의 질소를 공급하여 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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제1항에 있어서, 상기 오존수는 20ppm 이상의 오존을 포함하는 초순수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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제1항에 있어서, 상기 오존수의 온도는 상온인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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제1항에 있어서, 상기 메가소닉이 인가된 오존수로 세정하는 단계 이후,NH4OH, H2O2 및 H2O가 혼합된 용액인 APM(Ammonia Peroxide Mixture)을 이용하여 상기 웨이퍼를 세정하는 단계; 및상기 웨이퍼를 린스하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 세정 방법
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