| 1 |
1
감광성 수지 조성물 100 중량부에 대해
a) 알칼리 가용성 수지 3 내지 30 중량부;
b) 감광제 1 내지 10 중량부;
c) 하기 화학식 1 내지 2로 표시되는 밀착성 개선제 0
|
| 2 |
2
청구항 1에 있어서, 상기 a) 알칼리 가용성 수지 화합물은 중량 평균 분자량 2500 내지 15000 범위의 노볼락 수지인 것인 감광성 수지 조성물
|
| 3 |
3
청구항 1에 있어서, 상기 b) 감광제는 퀴논디아지드류 및 폴리페놀류의 에스테르화 반응 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
|
| 4 |
4
청구항 3에 있어서, 상기 퀴논디아지드류는 1,2-디아지도나프토퀴논-4-술포닐클로라이드, 1,2-디아지도나프토퀴논-5-술포닐클로라이드 또는 1,2-디아지도나프토퀴논-6-술포닐클로라이드이고, 상기 폴리페놀류는 2,3,4-트리하이드록시벤조페논, 2,3,4,4'-테트라하이드록시벤조페논, 2,4-디하이드록시벤조페논, 2,3,4,3',4',5'-헥사하이드록시벤조페논, 4,4'-(1-(4-(1-(4-하이드록시페닐)-1-메틸에틸)페닐)에틸리덴)비스페놀, 비스페놀-A, 메틸갈레이트, 프로필갈레이트, 피로갈롤-아세톤 반응축합물, 페놀노볼락수지, m-크레졸노볼락수지, p-크레졸노볼락수지 및 폴리비닐페놀수지로 이루어진 군으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
|
| 5 |
5
청구항 1에 있어서, 상기 c) 화학식 1로 표시되는 화합물은 5-메틸-1-(5-메틸-1H-벤조[d][1,2,3]트리아졸-1-yl)-1H-벤조[d][1,2,3]트리아졸,비스(5-메틸-1H-벤조[d][1,2,3]트리아졸-1-yl)메탄, 비스(5-메틸-1H-벤조[d][1,2,3]트리아졸-1-yl)에탄, 비스(5-메틸-1H-벤조[d][1,2,3]트리아졸-1-yl)프로판으로 이루어지는 군으로부터 선택된 하나 또는 2 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
|
| 6 |
6
청구항 1에 있어서, 상기 d) 유기 용매는 아세톤, 메틸에틸케톤, 메틸이소부틸케톤, 사이클로펜타논 또는 사이클로헥사논의 케톤류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노프로필에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디프로필렌글리콜모노메틸에테르의 글리콜에테르류; 및 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 부틸아세테이트, 메틸프로피오네이트, 에틸프로피오네이트, 3-메톡시메틸프로피오네이트, 에틸락테이트, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르아세테이트 및 디프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트의 아세테이트류로 이루어지는 군에서 선택된 하나 또는 그 이상의 화합물인 것인 감광성 수지 조성물
|
| 7 |
7
a) 기판상에 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 감광성 수지 조성물을 코팅하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계; 및
b) 상기 형성된 포토레지스트 막을 선택적 노광 및 현상을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계
를 포함하는 포토레지스트의 패터닝 방법
|
| 8 |
8
청구항 7에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체 막 또는 절연막인 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
|
| 9 |
9
청구항 7에 있어서, 상기 코팅된 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 포토레지스트의 패터닝 방법
|
| 10 |
10
청구항 7의 방법에 의하여 제조된 포토레지스트 패턴을 포함하는 액정표시소자
|
| 11 |
11
a) 기판상에 청구항 1 내지 청구항 6 중 어느 하나의 감광성 수지 조성물을 코팅하여 포토레지스트 막을 형성하는 단계;
b) 상기 형성된 포토레지스트 막을 선택적 노광 및 현상을 통하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;
c) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 기판을 에칭하는 단계; 및
d) 상기 포토레지스트 패턴을 스트리핑하는 단계
를 포함하는 미세회로의 패터닝 방법
|
| 12 |
12
청구항 11에 있어서, 상기 기판은 금속 기판, 반도체 막 또는 절연막인 것인 미세회로의 패터닝 방법
|
| 13 |
13
청구항 11에 있어서, 상기 코팅된 막의 두께는 1 내지 3㎛인 것인 미세회로의 패터닝 방법
|
| 14 |
14
청구항 11에 있어서, a) 단계는 코팅 후 80 내지 115℃에서 1 내지 5분간 프리베이크 하여 수행하는 것인 미세회로의 패터닝 방법
|
| 15 |
15
청구항 11에 있어서, 상기 노광 조건은 20 내지 200mJ/cm2인 것인 미세회로의 패터닝 방법
|
| 16 |
16
청구항 11에 있어서, b) 단계 후 추가로 120 내지 150℃에서 2 내지 5분간 포스트베이크를 실시하는 것인 미세회로의 패터닝 방법
|
