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기판 상에 서로 마주보도록 형성되어 채널 영역을 정의하는 소스 전극 및 드레인 전극;상기 채널 영역을 덮도록 상기 소스 전극 및 드레인 전극에 전기적으로 접속되도록 형성된 유기 반도체층;상기 유기 반도체층 상부에 적층되어 형성된 절연층 및 게이트 전극;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면을 덮도록 형성된 제 1 패시베이션막 및 제 2 패시베이션막을 포함하여 구성되고,상기 제 1 패시베이션막은 소수성을 가지고 유전상수가 3
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제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극과 제 1 패시베이션막 사이에 마스크 패턴이 개재된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 2 항에 있어서,상기 마스크 패턴은 포토 아크릴로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 1 패시베이션막은 비극성 주사슬로 이루어진 고분자와 퍼플루오로에틸렌 주사슬로 이루어진 고분자가 연결된 공중합체(copolymer) 또는 부테닐 바이닐 에테르 주사슬로 이루어진 고분자와 퍼플루오로에틸렌 주사슬로 이루어진 고분자가 연결된 공중합체 중 어느 하나로 형성된 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 패시베이션막의 두께는 상기 제 1 패시베이션막의 두께보다 얇은 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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제 1 항에 있어서,상기 제 2 패시베이션막은 포토 아크릴인 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터
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기판 상에 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 유기 반도체 물질층과 절연 물질층 및 전도층을 차례로 형성하는 단계;상기 전도층 상부에 포토레지스트를 도포하여 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계;상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 전도층 및 절연 물질층과 유기 반도체 물질층을 식각하여 유기 반도체층과 절연층 및 게이트 전극을 형성한 후 상기 포토레지스트 패턴을 제거하는 단계;상기 게이트 전극을 포함한 기판 전면에 소수성을 가지고 유전상수가 3
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기판 상에 서로 마주보도록 배치되어 채널 영역을 정의하도록 소스 전극 및 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 소스 전극 및 드레인 전극을 포함한 기판 전면에 유기 반도체 물질층과 절연 물질층 및 전도층을 차례로 형성하는 단계;상기 전도층 상부에 마스크 패턴을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 마스크로 하여 상기 전도층 및 절연 물질층과 유기 반도체 물질층을 식각하여 유기 반도체층과 절연층 및 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 마스크 패턴을 포함한 기판 전면에 소수성을 가지고 유전상수가 3
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제 7 항 또는 제 8 항에 있어서,상기 제 2 패시베이션막의 두께는 상기 제 1 패시베이션막의 두께보다 작도록 형성하는 것을 특징으로 하는 유기 박막 트랜지스터의 제조 방법
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복수의 게이트 라인 및 상기 게이트 라인과 교차하여 화소 영역을 정의하도록 형성된 데이터 라인과, 상기 화소 영역에 형성된 화소셀 및 상기 게이트 라인 및 데이터 라인에 접속되어 상기 화소셀을 구동하기 위한 스위칭 소자를 구비한 표시 패널;상기 게이트 라인을 통해 상기 화소셀을 구동하기 위한 스캔 신호를 공급하는 게이트 드라이버;상기 데이터 라인을 통해 화상을 구현하기 위한 화상 신호를 공급하는 데이터 드라이버를 포함하여 구성되고,상기 스위칭 소자는 제 1 항 내지 제 6 항의 유기 박막 트랜지스터 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 평판 표시 장치
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