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전자전도도가 향상된 리튬티탄산화물

  • 기술번호 : KST2015048707
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요약 본 발명은 표면에 탄소를 피복한 리튬티탄산화물 입자 및 이를 구비하는 전극을 제공한다. 또한, 본 발명은 탄소 전구체를 습식 또는 건식으로 리튬티탄산화물 입자와 분산하여 혼합시키는 단계; 분산된 탄소 전구체와 리튬티탄산화물의 혼합물을 불활성 분위기에서 열처리하는 단계;를 포함하는, 표면에 탄소가 피복된 리튬티탄산화물 입자의 제조방법을 제공한다. 본 발명은 리튬 2차전지의 전극재료로서 표면이 탄소로 피복된 리튬티탄산화물 입자를 사용하여, 전극의 전자전도도를 높임으로써 리튬 2차 전지의 레이트 특성을 향상시킬 수 있다. 2차전지, 리튬티탄산화물, 전극, 탄소 피복, 전자전도도, 레이트 특성
Int. CL C01D 15/00 (2006.01) C01D 15/02 (2006.01) C01G 23/00 (2006.01) C01G 23/04 (2006.01)
CPC C01G 23/005(2013.01) C01G 23/005(2013.01)
출원번호/일자 1020070061721 (2007.06.22)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1023354-0000 (2011.03.10)
공개번호/일자 10-2008-0112809 (2008.12.26) 문서열기
공고번호/일자 (20110318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2008.09.16)
심사청구항수 2

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 이명훈 대한민국 서울 동작구
2 박영선 대한민국 대전 유성구
3 이재원 대한민국 대전 대덕구
4 오병훈 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김기효 대한민국 서울특별시 강남구 논현로**길 **, ***호(역삼동)(특허법인 강인)
2 조우제 대한민국 서울특별시 서대문구 경기대로 **, 진양빌딩 *층(충정로*가)(특허법인위더피플)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 특허출원서
Patent Application
2007.06.22 수리 (Accepted) 1-1-2007-0455165-18
2 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2008.09.16 수리 (Accepted) 1-1-2008-0650449-88
3 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.03.04 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
4 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.04.13 수리 (Accepted) 9-1-2010-0020462-29
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2010.09.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2010-0414043-81
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0750827-15
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2010.11.17 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2010-0750861-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2010.11.17 수리 (Accepted) 1-1-2010-0750877-87
9 등록결정서
Decision to grant
2011.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0107625-65
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
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6 6
a)탄소 전구체를 습식 또는 건식으로 리튬티탄산화물 입자와 분산하여 혼합시키는 단계; 및 b)분산된 탄소 전구체와 리튬티탄산화물의 혼합물을 불활성 분위기에서 열처리하는 단계; 를 포함하여 표면에 탄소 피복된 리튬티탄산화물 입자를 제조하는 방법으로서, 상기 탄소 전구체는 수크로스, 수용성 고분자, 핏치, 레진, 유기산, 및 셀룰로오스 계로 구성된 군에서 선택된 물질인 것이 특징인 제조방법
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8 8
제 6항에 있어서, 열처리 온도는 600℃ ~ 900℃ 범위인 것이 특징인 제조방법
9 9
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10 10
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지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.