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산화세륨 분말, 그 제조방법, 및 이를 포함하는ＣＭＰ슬러리

  • 기술번호 : KST2015048778
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 반도체 공정에서 화학적 기계적 연마시, 질화규소막 대비 산화규소막의 제거 선택비 및/또는 광역평탄도를 향상시킬 수 있는 CMP 연마재용 산화세륨 분말에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은 육방정계 결정구조의 탄산세륨을 전구 물질로 하여 제조된 산화세륨 분말; 이를 연마재로 포함하는 것이 특징인 CMP슬러리; 및 상기 CMP슬러리를 연마액으로 적용하는 것이 특징인 반도체 소자의 얕은 트랜치 소자 분리방법에 관한 것이다.
Int. CL C09K 3/14 (2006.01) C01F 17/00 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070076070 (2007.07.27)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-0918767-0000 (2009.09.16)
공개번호/일자 10-2008-0011140 (2008.01.31) 문서열기
공고번호/일자 (20090924) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보 대한민국  |   1020060071703   |   2006.07.28
대한민국  |   1020060071713   |   2006.07.28
대한민국  |   1020070046206   |   2007.05.11
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020090068979;
심사청구여부/일자 Y (2007.07.27)
심사청구항수 9

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 오명환 대한민국 대전 유성구
2 조승범 대한민국 대전광역시 유성구
3 노준석 대한민국 대전광역시 유성구
4 김종필 대한민국 대전광역시 서구
5 김장열 대한민국 대전광역시 대덕구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 홍원진 대한민국 서울특별시 강남구 역삼로 ***, *층 (역삼동, 신성빌딩)(특허법인천문)
2 함현경 대한민국 서울시 송파구 법원로 *** 대명타워 *층(한얼국제특허사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.27 수리 (Accepted) 1-1-2007-0551716-95
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.03.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.04.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0019677-55
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2008.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0600859-24
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)		 2009.01.23 수리 (Accepted) 1-1-2009-0048511-46
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.02.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0092079-99
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.02.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0092082-26
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent		 2009.06.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0270366-65
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)		 2009.07.28 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0037743-69
10 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application		 2009.07.28 수리 (Accepted) 1-1-2009-0463008-60
11 등록결정서
Decision to grant		 2009.09.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0366704-78
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
16 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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120℃ ± 20℃의 모서리를 하나 이상 가지는 육각판상 형태의 입자를 50 vol% 이상 포함하고, 육방정계 결정구조를 갖는 탄산세륨을 전구 물질로 하여 제조된 것이 특징인 산화세륨 분말
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10 10
제 8항에 있어서, 결정립(crystallite)의 평균크기가 5nm 내지 60nm인 것이 특징인 산화세륨 분말
11 11
제 8항에 있어서 질화규소막 대비 산화규소막의 제거 선택비가 30 이상인 것이 특징인 산화세륨 분말
12 12
제 8항에 있어서, 광역평탄화도가 Delta WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity) (%)값이 10% 이하인 것이 특징인 산화세륨 분말
13 13
연마재; 분산제; 및 물을 포함하는 CMP 슬러리에 있어서, 상기 연마재는 제 8항에 기재된 산화세륨 분말을 포함하는 것이 특징인 CMP 슬러리
14 14
제 13항에 있어서, 슬러리 100 중량부 당 산화세륨 분말은 0
15 15
제 13항에 있어서, 상기 분산제는 비이온성 고분자 또는 음이온성 고분자인 것이 특징인 CMP 슬러리
16 16
제 13항에 있어서, 상기 분산제는 폴리비닐알코올, 에틸렌글리콜, 글리세린, 폴리에틸렌 글리콜, 폴리프로필렌 글리콜, 폴리비닐 피놀리돈, 폴리 아크릴산, 폴리 아크릴산 암모늄염 및 폴리아크릴 말레익산으로 이루어진 군에서 선택된 것이 특징인 CMP 슬러리
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제 13항에 기재된 CMP 슬러리를 연마액으로 적용하는 것이 특징인 반도체 소자의 얕은 트랜치 소자 분리방법
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1 CN101495592 CN 중국 FAMILY
2 EP01756244 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
3 EP01756244 EP 유럽특허청(EPO) FAMILY
4 JP04472747 JP 일본 FAMILY
5 JP05247691 JP 일본 FAMILY
6 JP19527945 JP 일본 FAMILY
7 JP21544559 JP 일본 FAMILY
8 KR100682231 KR 대한민국 FAMILY
9 KR1020080011044 KR 대한민국 FAMILY
10 KR1020090094057 KR 대한민국 FAMILY
11 TW200815288 TW 대만 FAMILY
12 TWI319761 TW 대만 FAMILY
13 US08372303 US 미국 FAMILY
14 US08388710 US 미국 FAMILY
15 US20060162260 US 미국 FAMILY
16 US20080236050 US 미국 FAMILY
17 US20100009539 US 미국 FAMILY
18 WO2006080796 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY
19 WO2008013407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

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순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 CN100588698 CN 중국 DOCDBFAMILY
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3 CN101495592 CN 중국 DOCDBFAMILY
4 JP2007527945 JP 일본 DOCDBFAMILY
5 JP2009544559 JP 일본 DOCDBFAMILY
6 JP4472747 JP 일본 DOCDBFAMILY
7 JP5247691 JP 일본 DOCDBFAMILY
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10 TW200815288 TW 대만 DOCDBFAMILY
11 TWI319761 TW 대만 DOCDBFAMILY
12 US2006162260 US 미국 DOCDBFAMILY
13 US2008236050 US 미국 DOCDBFAMILY
14 US2010009539 US 미국 DOCDBFAMILY
15 US8372303 US 미국 DOCDBFAMILY
16 US8388710 US 미국 DOCDBFAMILY
17 WO2008013407 WO 세계지적재산권기구(WIPO) DOCDBFAMILY
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