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웨이퍼에 연마제를 제공하여 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 제1 연마 단계;상기 웨이퍼에 수소수를 포함하는 알칼리성의 제1 연마액을 제공하여 상기 웨이퍼에 잔류한 상기 연마제 또는 파티클을 제거하는 제2 연마 단계; 및상기 웨이퍼에 오존수를 포함하는 산성의 제2 연마액을 제공하여 상기 웨이퍼에 잔류한 상기 제1 연마액 및 파티클을 제거하는 제3 연마 단계;를 포함하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 웨이퍼는 실리콘 웨이퍼인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 수소수의 농도는 1 내지 3 ppm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 오존수의 농도는 5 내지 50 ppm인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 연마액은 알칼리성 첨가제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제6항에 있어서,상기 첨가제는 수산화암모늄, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제6항에 있어서,상기 첨가제가 포함된 상기 제1 연마액은 pH7 내지 pH11을 갖는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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9
제1항에 있어서,상기 제1 연마액은 수소수와 오존수의 혼합액이고, 상기 제2 연마액은 오존수인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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10
제9항에 있어서,상기 제1 연마액은 알칼리성 첨가제가 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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삭제
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제10항에 있어서,상기 첨가제는 수산화암모늄, 수산화나트륨, 수산화칼륨 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(tetramethylammonium hydroxide, TMAH)로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 제1 연마단계는 상기 웨이퍼에 대해 대한 화학적 기계적 연마(chemical mechanical polishing, CMP) 공정이 수행되는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 연마제는 슬러리(slurry)인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제1항에 있어서,상기 제3 연마단계 후,상기 웨이퍼를 언로딩하는 단계;상기 웨이퍼를 세정조로 이송하는 단계; 및상기 웨이퍼로 세정액을 제공하여 상기 제2 연마액 및 이물질을 제거하는 세정 단계;를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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제15항에 있어서,상기 세정액은 희석 불산액인 것을 특징으로 하는 웨이퍼 연마 방법
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