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웨이퍼의 표면처리방법

  • 기술번호 : KST2015048831
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요약 특정 시간 내에 연마가 진행되는 경우 산화막의 영향을 배제하는 것이 가능하지만 그렇지 못할 경우 대기 중에서 공기 중의 산소와, 혹은 물속에 보관할 경우 물속의 용존 산소에 의해서 산화막이 재 형성되고 이로 인하여 웨이퍼 연마시 산화막에 의한 부하가 증가하고 연마 품질이 저하된다. 본 발명은 이러한 영향을 방지하기 위하여, 웨이퍼 표면을 SC1 세정하고 희석 불산을 사용하여 세정하여 웨이퍼 표면의 산화막을 제거한 후, 웨이퍼 표면에 양이온계, 음이온계 및 비이온계 중 선택된 어느 하나의 수용성 고분자 화합물로 이루어진 보호 용액을 제공함으로써 세정된 웨이퍼 표면에 산화막이 재생성되는 것을 방지하는 산화 방지막을 형성함으로써, 장시간 웨이퍼를 대기하여도 표면에 산화막 발생을 방지하고, 산화막에 의한 연마 불균일 없이 균일한 연마 속도 유지 및 웨이퍼 평탄도를 개선할 수 있다. 실리콘 웨이퍼, 연마, 산화막 제거, 수용성 고분자 화합물 용액
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC H01L 21/02307(2013.01) H01L 21/02307(2013.01)
출원번호/일자 1020070069985 (2007.07.12)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-0931195-0000 (2009.12.02)
공개번호/일자 10-2009-0006551 (2009.01.15) 문서열기
공고번호/일자 (20091210) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.12)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 최은석 대한민국 충청남도 연기군
2 배소익 대한민국 대전시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인 무한 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(역삼동,화물재단빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.12 수리 (Accepted) 1-1-2007-0507661-06
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028484-51
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.07.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0393450-64
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0630005-62
6 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2008-0630004-16
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.09.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0630007-53
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.01.23 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0032356-93
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.20 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0170153-88
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.20 수리 (Accepted) 1-1-2009-0170152-32
11 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.07.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0295408-14
12 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.08.17 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0042105-78
13 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.09.21 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0389983-72
14 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0698654-89
15 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.11.13 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0698655-24
16 등록결정서
Decision to grant
2009.11.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0489730-51
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
실리콘 웨이퍼의 표면에 SC1을 제공하여 세정하는 단계; 상기 SC1 세정된 웨이퍼 표면에 희석 불산(HF)을 제공하여 상기 웨이퍼 표면에서 표면 산화막을 제거하는 단계; 상기 웨이퍼 표면에 양이온계, 음이온계 및 비이온계 중 선택된 어느 하나의 수용성 고분자 화합물로 이루어진 보호 용액을 제공하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막 형성을 방지하는 산화 방지막을 형성하는 단계; 및 상기 산화 방지막이 형성된 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계; 를 포함하는 웨이퍼의 표면처리방법
2 2
삭제
3 3
삭제
4 4
제1항에 있어서, 상기 웨이퍼의 표면을 연마하는 단계 이전에 상기 웨이퍼를 대기시키는 웨이퍼 대기 단계를 더 포함하는 웨이퍼의 표면처리방법
5 5
삭제
6 6
웨이퍼의 표면을 처리하는 표면처리방법에 있어서, 희석 불산(HF)을 제공하여 웨이퍼 표면에서 산화막을 제거한 후, 양이온계, 음이온계 및 비이온계 중 선택된 어느 하나의 수용성 고분자 화합물로 이루어진 보호 용액을 제공하여 상기 웨이퍼 표면에 산화막 생성을 억제하고 상기 웨이퍼의 연마 공정을 수행하는 것을 특징으로 하는 웨이퍼의 표면처리방법
7 7
삭제
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.