맞춤기술찾기

이전대상기술

플라스틱 기판의 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015048839
  • 담당센터 :
  • 전화번호 :
요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 플라스틱 기판 및 그 형성 방법이 제공된다. 상기 형성 방법은 유기성 기판 상에 무기물 및 유기물을 포함하는 혼합물을 도포하여 코팅막을 형성하는 단계를 포함한다. 상기 코팅막으로부터 무기물층 및 유기물층을 포함하는 보호막이 형성된다.플라스틱 기판, 수분 및 산소 차단, 무기물, 유기물
Int. CL G02F 1/1333 (2006.01) H01L 27/12 (2006.01)
CPC
출원번호/일자 1020070074981 (2007.07.26)
출원인 한국전자통신연구원
등록번호/일자 10-0880447-0000 (2009.01.19)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090129) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호 1020080115278;
심사청구여부/일자 Y (2007.07.26)
심사청구항수 16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 한국전자통신연구원 대한민국 대전광역시 유성구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 김기현 대한민국 대전광역시 유성구
2 김철암 대한민국 서울특별시 영등포구
3 서경수 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오세준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 *길 ** *층(역삼동)(특허법인 고려)
2 권혁수 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 ***, *층(삼일빌딩, 역삼동)(KS고려국제특허법률사무소)
3 송윤호 대한민국 서울특별시 강남구 언주로 *** (역삼동) *층(삼일빌딩)(케이에스고려국제특허법률사무소)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호 이름 국적 주소
1 오한주 경기도 시흥시 배곧*로 **-**, **
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.07.26 수리 (Accepted) 1-1-2007-0543602-56
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0015438-67
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.04.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0226994-17
5 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.06.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0420404-51
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.06.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0420401-14
7 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2008.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0543988-34
8 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2008.11.19 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2008-0053122-67
9 [분할출원]특허출원서
[Divisional Application] Patent Application
2008.11.19 수리 (Accepted) 1-1-2008-0798416-18
10 등록결정서
Decision to grant
2008.12.31 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0651732-19
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.08.04 수리 (Accepted) 4-1-2009-5150899-36
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.02.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-0006137-44
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
유기성 기판 상에 무기물 및 유기물을 포함하는 혼합물을 도포하여 코팅막을 형성하는 단계; 및상기 코팅막으로부터 실질적으로 동시에 형성된 무기물층 및 유기물층을 포함하는 보호막을 형성하는 단계를 포함하는 플라스틱 기판의 형성 방법
2 2
제 1 항에 있어서,상기 보호막을 형성하는 단계는: 상기 혼합물 내 상기 무기물을 상기 유기성 기판 표면에 축적시켜 상기 무기물층을 형성하는 단계; 및상기 무기물층 상에 상기 유기물로부터 상기 유기물층을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
3 3
제 1 또는 2 항에 있어서,상기 무기물은 실리콘 옥사이드, 티타늄 옥사이드, 실리콘 나이트라이드, 실리콘, 스멕타이트(smectite), 카올리나이트(kaolinite), 딕카이트(dickite), 나크라이트(nacrite), 할로이사이트(halloysite), 안티고라이트(antigorite), 크리소타일(chrysotile), 피로필라이트(pyrophyllite), 몬모릴로나이트(montmorillonite), 헥토라이트(hectorite), 테트라실릴릭마이카, 나트륨테니올라이트, 백운모, 진주운모, 활석, 버미큘라이트(vermiculite), 금운모, 잔소피라이트, 녹니석 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
4 4
제 1 또는 2 항에 있어서,상기 혼합물 내에서 상기 무기물의 중량 퍼센트는 5~90wt%인 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
5 5
제 1 또는 2 항에 있어서,상기 혼합물은 습식 공정에 의해 도포되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
6 6
삭제
7 7
제 5 항에 있어서,상기 습식 공정은 바 코팅, 스핀 코팅 또는 딥 코팅을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
8 8
제 2 항에 있어서,상기 무기물은 상기 유기물과의 비중의 차이에 의해 시간이 경과함에 따라 상기 유기성 기판 표면에 축적되는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
9 9
제 2 항에 있어서,상기 혼합물은 상기 유기물을 녹이는 용매를 포함하고,상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 용매를 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
10 10
제 9 항에 있어서,상기 유기물은 고분자 폴리머를 포함하고,상기 고분자 폴리머는 열가소성 수지인 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
11 11
제 10 항에 있어서,상기 고분자 폴리머는 아미드계 수지, 아크릴계 수지, 셀룰로오스계 수지, 할로겐 함유 수지 및 수소 결합성 수지 중에서 하나 이상을 포함하는 플라스틱 기판의 형성 방법
12 12
제 10 항에 있어서,상기 고분자 폴리머는 저밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 에틸렌-프로필렌 공중합체, 에틸렌-부텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 에틸렌-옥텐 공중합체, 에틸렌-노르보르넨 공중합체, 에틸렌-드몬 공중합체, 폴리프로필렌, 에틸렌-아세트산 비닐 공중합체, 에틸렌-메틸메타아크릴레이트 공중합체, 폴리에스테르(나일론-6, 나일론-6,6, 메타자일렌디아민-아디프산 축중합체), 폴리메틸메타아크릴이미드, 폴리메틸메타아크릴레이트, 폴리스티렌, 스티렌-아크릴로니트릴 공중합체, 스티렌-아크릴로니트릴-부타디엔 공중합체, 트리아세트산 셀룰로오스, 디아세트산 셀룰로오스, 폴리염화비닐, 폴리염화 비닐리덴, 폴리불화 비닐리덴, 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리비닐알코올, 에틸렌-비닐알코올 공중합체, 셀룰로오스 유도체, 폴리카보네이트, 폴리술폰, 폴리에테르술폰, 폴리에테르에테르케톤, 폴리페닐렌옥사이드, 폴리메틸렌옥사이드, 폴리이미드, 폴리아릴레이트 및 폴리실록산 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
13 13
제 2 항에 있어서,상기 유기물은 반응성 모노머 또는 올리고머를 포함하고, 상기 혼합물은 중합 개시제를 포함하며,상기 유기물층을 형성하는 단계는 상기 중합 개시제에 의해 상기 반응성 모노머 또는 상기 올리고머의 중합 반응을 유도하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
14 14
제 13 항에 있어서,상기 반응성 모노머 또는 상기 올리고머는 아크릴계 탄화수소, 방향족계 탄화수소, 아크릴로나이트릴계 및 크로라이드(Cl)계 탄화수소 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
15 15
제 13 항에 있어서,상기 반응성 모노머 또는 상기 올리고머는 트리에티로프로판 트라이아크릴레이트(Triethylopropane triacrylate, TEPTA), 트라이프로필렌 글라이콜 다이아크릴레이트(Tri(propylene glycol) Diacrylate, TPGDA), 펜타리스리톨 트라이아크릴레이트(Penthaerithritol Triacrylate, PETA), 트라이메티롤프로판 에톡시레이트 트라이아크릴레이트(Trimethylolpropane Ethoxylate Triacrylate, TMPEOTA), 메틸메스아크릴레이트(Methyl methacrylate, MMA), 메스아크릴레이트(Methacrylate, MA), 트라이프로필렌 글라이콜 글리세로레이트 다이아크릴레이트(Tri(propylene glycol) Glycerolate Diacrylate, TPGGDA), 비닐 아크릴레이트(Vinylacrylate, VA), 스타이렌(Styrene, ST), 다이비닐 벤젠(Divinyl Benzene, DVB), 아크릴로 나이트릴(Acrylonitrile, AN), 비닐리덴 크로라이드(Vinylidene Chloride, VDC), 비닐벤질 크로라이드(Vinylbenzyl Chloride, VBC), 비닐스테아레이트(Vinyl Stearate, VS), 비닐프로피오네이트(Vinyl Propionate, VP), 다관능기 실록산(siloxane) 및 다관능기 실리콘(silicone) 중에서 하나 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 플라스틱 기판의 형성 방법
16 16
제 13 항에 있어서,상기 중합 개시제는 광개시제, 열개시제, 레독스 개시제 및 산 개시제 중에서 하나 이상을 포함하는 플라스틱 기판의 형성 방법
17 17
제 16 항에 있어서,상기 광개시제는 1-하이드록시-사이크로헥실-펜틸-케톤(1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl-ketone, Irgacure 907), 2-메틸-1[4-(메틸티오)페닐]-2-모포리노프로판-1-원(2-methyl-1[4-(methylthio)phenyl]-2-morpholinopropane-1-one, Irgacure 184C), 2-하이드록시-2-메틸-1-페닐-프로판-1-온 (1-Hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propane-1-one, Darocur 1173), Irgacure 184C와 벤조페논(benzophenone)의 혼합 개시제(Irgacure 500), 이라가큐어 184C와 이라가큐어 1173의 혼합된 개시제(Irgacure 1000), 2-하이드록시-1-[4-(2-하이드록시에톡시)페닐]-2-메틸-1-프로파논(2-hydroxy-1-[4-(2-hydroxyethoxy)phenyl]-2-methyl-1propanone, Irgacure 2959), 메틸벤조일포메이트(methylbenzoylformate, Darocur MBF), α,α-다이메톡시-알파-페닐아세토페논(α,α-dimethoxy-α-phenylacetophenone, Irgacure 651), 2-벤질-2-(디메틸아미노)-1-[4-(4-모포리닐)페닐]-1-부타논(2-benzyl-2-(dimethylamino)-1-[4-(morpholinyl)phenyl]-1-butanone, Irgacure 369), 이라가큐어 369와 이라가큐어 651의 혼합 개시제(Irgacure 1300), 다이페닐(2,4,6-트리메틸벤조일)-포스핀 옥사이드(diphenyl(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phosphine oxide, Darocur TPO), 다로큐어 TPO와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Darocur 4265), 포스핀 옥사이드(phosphine oxide), 페닐 비스(2,4,6,-트리메틸 벤조일)(phenyl bis(2,4,6-trimethyl benzoyl), Irgacure 819), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2005), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2010), 이라가큐어 819와 다로큐어 1173의 혼합 개시제(Irgacure 2020), 비스(에타 5-2,4,-사이크로페타디엔-1-일) 비스[2,6-다이프루오르-3-(1H-피롤-1-일)페닐] 티타늄(bis(
18 18
삭제
19 19
삭제
20 20
삭제
21 21
삭제
22 22
삭제
지정국 정보가 없습니다
순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - 패밀리정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 KR100902845 KR 대한민국 FAMILY
2 US20090029149 US 미국 FAMILY

DOCDB 패밀리 정보

순번, 패밀리번호, 국가코드, 국가명, 종류의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 패밀리정보 - DOCDB 패밀리 정보 표입니다.
순번 패밀리번호 국가코드 국가명 종류
1 US2009029149 US 미국 DOCDBFAMILY
순번, 연구부처, 주관기관, 연구사업, 연구과제의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 국가R&D 연구정보 정보 표입니다.
순번 연구부처 주관기관 연구사업 연구과제
1 정보통신부 한국전자통신연구원 IT신성장동력핵심기술개발사업 Flexible 디스플레이