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고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양 전지 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015048845
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지와 그 제조방법으로서, 벌크형 태양전지는 도핑 농도 기울기를 가지는 반도체층과, 상기 반도체층 위에 순차로 형성된 활성층 및 상기 반도체층과 다른 영역의 반도체층을 포함하고, 도핑 농도 기울기는 층간 접합면을 기준으로 저농도에서 고농도로 구배되는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 온도가 증가함에 따라 광전변환효율이 감소되는 태양전지의 품질 특성을 개선함과 동시에 층간 접합성을 개선하는 효과를 얻을 수 있어 간단한 공정을 통해 효율이 높은 태양전지를 제공할 수 있다. 태양 전지, 벌크형, 실리콘, 도핑 농도, 광전변환효율
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/075 (2014.01)
CPC H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01) H01L 31/068(2013.01)
출원번호/일자 1020070073634 (2007.07.23)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-0913114-0000 (2009.08.13)
공개번호/일자 10-2009-0010498 (2009.01.30) 문서열기
공고번호/일자 (20090819) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.07.23)
심사청구항수 5

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김종환 대한민국 경기 성남시 분당구
2 윤주환 대한민국 경기 부천시 원미구
3 정일형 대한민국 경기 안양시 동안구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 황이남 대한민국 서울시 송파구 법원로 ***, ****호 (문정동, 대명벨리온지식산업센터)(아시아나국제특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application		 2007.07.23 수리 (Accepted) 1-1-2007-0533095-17
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search		 2008.04.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search		 2008.05.14 수리 (Accepted) 9-1-2008-0028436-70
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 의견제출통지서
Notification of reason for refusal		 2009.01.14 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0017468-01
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment		 2009.03.16 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0158492-68
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)		 2009.03.16 수리 (Accepted) 1-1-2009-0158493-14
8 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
9 등록결정서
Decision to grant		 2009.07.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0310147-01
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information		 2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1 도전형의 불순물로 도핑되고, 상기 불순물의 도핑 농도가 기울기를 가지는 n형 또는 p형 결정질 반도체 기판; 및 상기 반도체 기판 상에 순차로 형성된 i형 반도체층 및 상기 제1도전형과 다른 도전형의 불순물로 도핑된 반도체층을 포함하는 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지
2 2
제 1 항에 있어서, 상기 도핑 농도 기울기는, 층간 접합면을 기준으로 저농도에서 고농도로 구배되는 것을 특징으로 하는 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지
3 3
삭제
4 4
제 1 항에 있어서, 상기 도핑 농도 기울기를 가지는 반도체 기판은, 기판의 하부의 제1 도핑농도와, 상기 반도체층과의 접합면에서의 제2 도핑농도를 가지며, 상기 제2 도핑농도는 제1 도핑농도보다 낮은 것을 특징으로 하는 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지
5 5
제 4항에 있어서, 상기 제1 도핑농도가 차지하는 구간이 제2 도핑농도가 차지하는 구간보다 많은 것을 특징으로 하는 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지
6 6
삭제
7 7
제 1 항에 있어서, 상기 도핑 농도의 기울기는 이온 주입(Ion Implantation)법, 열확산법, 포스포러스 옥시클로라이드(Phospho Oxychloride, POCl3) 확산법 중 어느 하나의 방법을 사용한 후 전기장을 인가하여 형성하는 것을 특징으로 하는 고온 특성이 개선된 벌크형 실리콘 태양전지
8 8
삭제
9 9
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.