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(A) 폴리실록산계 고분자 용액에 탄소계 음극재를 침지시킨 다음 열처리하여 탄소계 음극재 표면에 폴리실록산계 고분자 코팅층을 형성시키는 단계;
(B) 상기 폴리실록산계 고분자층으로 코팅된 탄소계 음극재를 불활성 분위기에서 상기 폴리실록산계 고분자층을 열분해시키는 단계; 및
(C) 상기 열분해된 폴리실록산층이 코팅된 탄소계 음극재를 산소 분위기에서 열처리하여 상기 폴리실록산층을 산화시키는 단계
를 포함하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 폴리실록산계 고분자는 다음의 구조식으로 표시되는 폴리실록산 및 이들과 실리콘 고무의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법:
식중 R1~R14는 각각 독립적으로 H, OH, COOH, 탄소수 1~20의 알킬기를 나타내며, m, n, k는 0~2500이고, m, n, k가 동시에 0은 아니다
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제1항에 있어서,
상기 폴리실록산계 고분자는 폴리 메틸 에틸 실록산, 폴리 메틸 프로필 실록산, 폴리 메틸 옥틸 실록산, 폴리 트리플루오로프로필 실록산, 폴리 트리플루오로프로필 메틸 실록산, 폴리 페닐 메틸 실록산 및 이들과 실리콘 고무의 공중합체 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
탄소계 음극재는 연화탄소, 경화탄소, 천연 흑연, 키시흑연, 열분해 탄소, 액정 피치계 탄소섬유, 탄소 미소구체, 액정피치 및 석유와 석탄계 코크스로 이루어진 군에서 선택되는 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 (A) 단계에서 열처리 온도는 200~600℃인 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 (B) 단계의 열분해 온도는 700~1400℃인 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 (C) 단계에서 열처리 온도는 200~600℃인 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항에 있어서,
상기 (C) 단계의 폴리실록산층은 두께가 100~600nm인 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재 제조방법
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제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 것을 특징으로 하는 리튬이차전지용 음극재
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양극, 음극, 전해액 및 세퍼레이터를 포함하는 리튬이차전지에 있어서, 상기 음극은 제1항 내지 제8항 중 어느 한 항의 제조방법에 의해 제조된 음극재로 제조된 것을 특징으로 하는 리튬이차전지
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