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실리콘 태양전지 및 그 제조 방법

  • 기술번호 : KST2015048988
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요약 본 발명은 실리콘 태양전지 및 그 제조 방법을 개시한다. 본 발명에 따르면, 제1도전형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판을 준비하는 단계; 상기 기판의 전면에 제1도전형과 반대 도전형의 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계; 상기 제2도전형 불순물이 도핑된 기판 표면을 에치-백(etch-back)하여 기판 상부에 제2도전형의 불순물이 저 농도로 도핑된 에미터층을 형성하는 단계; 상기 에미터층 상에 고 농도의 제2도전형 불순물이 도핑된 마이크로 실리콘 결정층 또는 그 패턴을 형성하는 단계; 상기 마이크로 실리콘 결정층 또는 그 패턴 상에 반사방지막을 형성하는 단계; 상기 반사방지막을 관통시켜 상기 마이크로 실리콘 결정층 또는 그 패턴과 전면 전극을 접속시키는 단계; 및 상기 기판의 배면에 후면 전극을 접속시키는 단계를 포함한다.본 발명에 따르면, 저 농도의 불순물이 도핑된 에미터층과 전면 전극 간에 양호한 오믹 콘택을 형성할 수 있다. 또한, 에미터 에치-백 공정을 도입하더라도 전면 전극과 에미터층 간의 콘택 특성이 열화되지 않는다. 나아가, 선택적 에미터를 형성하는데 필요한 사진 식각 공정이나 고온의 불순물 확산 공정을 별도로 진행하지 않으므로, 태양전지 제조 과정을 단순화할 수 있고 제조 비용을 절감할 수 있다.실리콘 태양전지, 에미터 에치-백, 마이크로 실리콘 결정층, 오믹 콘택
Int. CL H01L 31/06 (2014.01) H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1824(2013.01) H01L 31/1824(2013.01) H01L 31/1824(2013.01)
출원번호/일자 1020070082280 (2007.08.16)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1383940-0000 (2014.04.03)
공개번호/일자 10-2009-0017812 (2009.02.19) 문서열기
공고번호/일자 (20140410) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.06)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안준용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.16 수리 (Accepted) 1-1-2007-0591492-89
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0180573-95
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0625300-36
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.22 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0083848-63
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.12 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0776861-16
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.27 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1198794-29
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-1198793-84
13 등록결정서
Decision to grant
2014.03.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0209797-72
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되고 상기 제1도전형과 반대 극성을 갖는 제2도전형의 불순물이 저 농도로 도핑된 에미터층; 상기 에미터층 상에 형성되고 제2도전형의 불순물이 고 농도로 도핑된 마이크로 실리콘 결정층; 상기 마이크로 실리콘 결정층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 마이크로 실리콘 결정층에 접속된 전면 전극; 및상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하고,상기 마이크로 실리콘 결정층은 50 ~ 100nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
2 2
삭제
3 3
제1항에 있어서,상기 에미터층은 에미터 에치-백 공정에 의해 상부의 고 농도 불순물 도핑 영역이 제거된 것임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
4 4
제1도전형의 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판; 상기 기판 상부에 형성되고 상기 제1도전형과 반대 극성을 갖는 제2도전형의 불순물이 저 농도로 도핑된 에미터층; 상기 에미터층 상의 전면 전극 접속 지점에 형성되고 제2도전형의 불순물이 고 농도로 도핑된 마이크로 실리콘 결정층 패턴; 상기 마이크로 실리콘 결정층 패턴과 에미터층 상에 형성된 반사방지막; 상기 반사방지막을 관통하여 상기 마이크로 실리콘 결정층 패턴에 접속된 전면 전극; 및 상기 기판의 배면에 접속된 후면 전극을 포함하고,상기 마이크로 실리콘 결정층 패턴은 50 ~ 500nm의 두께를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
5 5
삭제
6 6
제4항에 있어서,상기 에미터층은 에미터 에치-백 공정에 의해 상부의 고 농도 불순물 도핑 영역이 제거된 것임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지
7 7
(a) 제1도전형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 전면에 제1도전형과 반대 극성의 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계;(c) 상기 제2도전형 불순물이 도핑된 기판 표면을 에치-백하여 기판 상부에 제2도전형의 불순물이 저 농도로 도핑된 에미터층을 형성하는 단계;(d) 상기 에미터층 상에 고농도의 제2도전형 불순물이 도핑된 마이크로 실리콘 결정층을 형성하는 단계;(e) 상기 마이크로 실리콘 결정층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;(f) 상기 반사방지막을 관통시켜 상기 마이크로 실리콘 결정층과 전면 전극을 접속시키는 단계; 및(g) 상기 기판의 배면에 후면 전극을 접속시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하고,상기 마이크로 실리콘 결정층은 50 ~ 100nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지 제조 방법
8 8
제7항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,질산(HNO3), 불산(HF), 아세트산(CH3COOH) 및 물(H2O)이 10:0
9 9
삭제
10 10
(a) 제1도전형의 실리콘 반도체로 이루어진 기판을 준비하는 단계;(b) 상기 기판의 전면에 제1도전형과 반대 도전형의 제2도전형 불순물을 도핑하는 단계;(c) 상기 제2도전형 불순물이 도핑된 기판 표면을 에치-백하여 기판 상부에 제2도전형의 불순물이 저 농도로 도핑된 에미터층을 형성하는 단계;(d) 상기 에미터층 상의 전면 전극 접속 지점에 고농도의 제2도전형 불순물이 도핑된 마이크로 실리콘 결정층 패턴을 형성하는 단계;(e) 상기 마이크로 실리콘 결정층 패턴 및 에미터층 상에 반사방지막을 형성하는 단계;(f) 상기 반사방지막을 관통시켜 상기 마이크로 실리콘 결정층 패턴과 전면 전극을 접속시키는 단계; 및(g) 상기 기판의 배면에 후면 전극을 접속시키는 단계를 포함하고,상기 마이크로 실리콘 결정층은 50 ~ 500nm의 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지 제조 방법
11 11
제10항에 있어서, 상기 (c) 단계에서,질산(HNO3), 불산(HF), 아세트산(CH3COOH) 및 물(H2O)이 10:0
12 12
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.