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표면이 요철 형상으로 형성된 요철표면의 반도체층;상기 요철표면의 반도체층의 아래에 상기 요철 형상 중 요 형상의 영역 아래에 대응되는 마스크 패턴이 형성된 기판; 및상기 요철표면의 반도체층 위에 각 층이 요철 형태로 형성된 발광 구조물을 포함하며,상기 기판은 요철 패턴이 일체로 형성되며,상기 기판의 요철 패턴의 요 패턴에 상기 마스크 패턴이 형성되며,상기 발광 구조물은 상기 요철표면의 반도체층 위에 요철 구조로 형성된 제 1도전성 반도체층; 상기 제 1도전성 반도체층 위에 요철 구조로 형성된 활성층; 상기 활성층 위에 요철 구조로 형성된 제 2도전성 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제1도전성 반도체층에 형성된 제1전극 및 상기 제2도전성 반도체층에 형성된 제2전극을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 마스크 패턴은 SiO2, SiOx, SiN2, SiNx, SiOxNy 또는 금속물질 중에서 선택적으로 형성되는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 요철표면의 반도체층은 GaN, InN, AlN, InGaN, AlGaN 또는 InAlGaN 중에서 적어도 하나를 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서, 상기 요철표면의 반도체층은 상기 기판 위의 마스크 패턴 사이에 성장되는 제 1반도체층 및, 상기 제 1반도체층 및 마스크 패턴 위에 성장되며 그 표면이 역 다각형 뿔 또는 역피라미드 구조로 형성되는 제 2반도체층을 포함하는 반도체 발광 소자
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제 5항에 있어서, 상기 제 1반도체층은 경사진 구조를 갖는 삼각형 단면 형상으로 형성되는 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판과 상기 요철표면의 반도체층 사이에 배치된 버퍼층을 포함하는 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 기판은 Al203, GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP 또는 GaAs으로 이루어진 군에서 선택되는 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철표면의 반도체층의 관통 전위 밀도는 a×107/cm2 이하이며, 상기 0003c# a ≤10인 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 요철표면의 반도체층의 요 깊이는 0003c#깊이003c#10um이며,상기 요 또는 철 간의 주기는 0003c#주기003c#20um인 반도체 발광 소자
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제 1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 요철표면의 반도체층은 도펀토가 도핑되지 않은 언도프드 반도체층인 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 발광 구조물의 각 층은 화합물 반도체의 c-축[0001]과 수직인 평면 또는 계면(0001), 그리고 c-축[0001]으로부터 경사진 경사면을 포함하며, 상기 각 층의 요철 구조 중 요 영역이 철 영역보다 크게 형성되는 반도체 발광소자
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제 1항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서,상기 제 1도전성 반도체층은 적어도 하나의 n형 반도체층이고,상기 제 2도전성 반도체층은 적어도 하나의 p형 반도체층이며,상기 활성층은 단일 또는 다중 양자우물 구조로 이루어진 반도체 발광소자
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제 1항에 있어서,상기 제 2도전성 반도체층 위에 형성된 전도성 지지기판 또는 제 3도전성 반도체층을 포함하는 반도체 발광소자
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