| 1 |
1
친수성 기재에 소수성 표면개질층을 형성하는 단계;
레이저를 이용하여 원하는 패턴형상으로 소수성 표면개질층을 제거하는 단계;
원하는 패턴형상으로 소수성 표면개질층이 제거된 기재면에 끓는점이 최소 10℃ 차이나는 2가지 이상의 분산매의 혼합 분산매에 분산된 친수성 금속염 혹은 금속나노입자 분산액을 코팅하는 단계; 및
친수성 금속염 혹은 금속나노입자 분산액의 분산매를 제거하는 단계를 포함하여 금속 미세패턴 형성방법
|
| 2 |
2
제 1항에 있어서, 상기 친수성 기재는 유리, 실리콘 웨이퍼, 금속기판, 아크릴 고분자, 폴리카보네이트 고분자, 사이클로 올레핀 고분자, 에폭시 고분자 및 에스테르 고분자 필름으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 일종임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 3 |
3
제 2항에 있어서, 상기 친수성 기재의 친수성이 충분하지 않는 경우, 자외선-산소 처리, 플라즈마 처리, 코로나 처리 또는 염기처리하여 기재 표면을 친수화함을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 4 |
4
제 1항에 있어서, 상기 친수성 기재는 투명함을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 5 |
5
제 1항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층은 친수성 기재와 접착가능하고 표면이 소수성 특성을 갖는 소수성 표면개질층 형성물질로 형성됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 6 |
6
제 5항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 형성물질은 물과의 접촉각이 60도 이상임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 7 |
7
제 5항에 있어서, 소수성 표면개질층 형성물질은 테플론 및 불화에틸렌프로필렌을 포함하는 불소계 고분자 혹은 불소계 고무, 폴리다이메틸실록산, 폴리에틸메틸실록산 및 폴리메틸페닐실록산을 포함하는 실리콘계 고분자나 실리콘계 고무, 및 폴리에틸아크릴레이트, 폴리벤질프로필아크릴레이트, 디펜타에리트리톨펜타아크릴레이트, 및 폴리이소보닐메타아크릴레이트를 포함하는 아크릴레이트계 고분자로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 8 |
8
제 1항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층은 두께가 형성하고자 금속 미세패턴 두께 이상임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 9 |
9
제 1항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층은 두께가 형성하고자 금속 미세패턴 두께 이하임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 10 |
10
제 1항에 있어서, 상기 친수성 기재와 상기 소수성 표면개질층의 접착력을 증대시키기 위해 상기 친수성 기재와 상기 소수성 표면개질층 사이에 접착개선층이 형성됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 11 |
11
제 5항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 형성물질은 상기 친수성 기재와 상기 소수성 표면개질층의 접착력을 증대시키기 위해 접착개선물질을 포함함을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 12 |
12
제 11항에 있어서, 상기 접착개선물질은 아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 글리시독시프로필트리메톡시실란, 메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 아크릴산, 메타크릴산, N-비닐프탈이미드, N,N’-디메틸아크릴아미드, N-메틸-N-비닐 아세트아미드, 아크릴로일 모르폴린, N-비닐 카프로락탐으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 일종 이상임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 13 |
13
제 1항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 제거시 레이저로는 상기 소수성 표면개질층에 대하여는 흡수되나, 상기 친수성 기재에는 흡수되지 않는 파장의 레이저가 사용됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 14 |
14
제 13항에 있어서, 상기 친수성 기재는 사이클로 올레핀계 고분자 기재이고 상기 소수성 표면개질층은 아크릴레이트계 고분자로 형성되며, 소수성 표면개질층 제거시 레이저로 355 nm 파장의 레이저가 사용됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 15 |
15
제 1항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 제거는 쉐도우 마스크법 또는 스캐너법으로 행하여짐을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 16 |
16
제 15항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 제거는 쉐도우 마스크법으로 행하여지며, KrF레이저 또는 ArF레이저가 사용됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 17 |
17
제 15항에 있어서, 상기 소수성 표면개질층 제거는 스캐너법으로 행하여지며, CO2레이저, Nd:YAG 레이저 또는 He-Cd레이저가 사용됨을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 18 |
18
제 1항에 있어서, 상기 금속염 혹은 금속 나노입자 분산액에서 금속염 혹은 금속 나노입자는 은, 구리, 금, 크롬, 알루미늄, 텅스텐, 아연, 니켈, 철, 백금, 납으로 구성되는 그룹으로부터 선택된 최소 1종 이상의 전도성 금속을 포함하는 금속염 또는 금속나노입자임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 19 |
19
제 18항에 있어서, 상기 금속염 혹은 금속 나노입자 분산액에서 금속염은 은염 혹은 구리염이며, 상기 금속 나노입자는 은 나노입자 혹은 구리 나노입자임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 20 |
20
제 1항에 있어서, 상기 혼합 분산매는 1가 알코올, 다가 알코올, 카르비톨류 및 에틸렌계 불포화 화합물로 구성되는 그룹으로부터 선택된 것으로 끓는점이 최소 10℃ 차이나는 2가지 이상의 분산매의 혼합물임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 21 |
21
제 20항에 있어서, 상기 혼합 분산매는 메탄올, 에탄올, 이소프로판올, 글리세린, 에틸렌 글리콜, 프로필렌 글리콜, 디에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사아크릴레이트 및 펜타에리트리톨 트리아크릴레이트, N-메틸-2-피롤리돈으로 구성되는 그룹으로부터 선택된, 끓는점이 최소 10℃ 차이나는 2가지 이상의 분산매의 혼합물임을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 22 |
22
제 1항에 있어서, 상기 코팅은 스핀코팅, 스프레이 코팅, 슬릿 코팅, 스크린 코팅, 잉크 젯, 바코팅 또는 딥(dip) 코팅법으로 행함을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 23 |
23
제 1항에 있어서, 상기 분산매 제거단계 후에, 상기 소수성 표면개질층만을 선택적으로 용해하거나 건식식각으로 제거하는 단계를 추가로 포함함을 특징으로 하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 24 |
24
소수성 기재에 친수성 표면개질층을 형성하는 단계;
레이저를 이용하여 원하는 패턴형상으로 친수성 표면개질층을 제거하는 단계;
원하는 패턴형상으로 친수성 표면개질층이 제거된 기재면에 끓는점이 최소 10℃ 차이나는 2가지 이상의 분산매의 혼합 분산매에 분산된 소수성 금속염 혹은 금속나노입자 분산액을 코팅하는 단계; 및
소수성 금속염 혹은 금속나노입자 분산액의 분산매를 제거하는 단계를 포함하는 금속 미세패턴 형성방법
|
| 25 |
25
청구항 1 또는 24의 방법으로 형성된 금속 패턴
|
