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PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법

  • 기술번호 : KST2015049170
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 PLD(Programmable Logic device)를 이용하여 NAND 플래시 메모리를 리드 모드(read mode)로 전환하여 부팅을 수행할 수 있도록 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법에 관한 것이다.본 발명에 따른 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법은, 전원 인가가 감지되면 상기 NAND 플래시 메모리에 최초 전원 인가인지 판단하고 상기 NAND 플래시 메모리에 전원인가가 감지되면 상기 PLD와 NAND와의 엑세스 상태로 전환되면 상기 PLD와 NAND와의 엑세스 상태로 전환되면 NAND를 리셋(reset) 시키고 상기 최초 NAND가 리셋 되면 읽기 명령(read command) 신호 전달을 1 사이클(cycle) 진행하고 상기 읽기 명령 신호 전달 후 읽기 주소(read address) 신호 전달을 5 사이클(cycle) 진행하고 최종적으로 읽기 승인(read confirm) 신호 전달을 1 사이클(cycle) 진행하여 읽기 모드(read mode) 과정을 수행하는 것으로서, PLD에서 NAND가 리드 모드를 수행하도록 제어함으로써, 5 사이클을 지원하는 CPU에서도 NAND 플래시 부팅이 가능하도록 하는 효과가 있다.NAND 플래시, PLD(Programmable Logic Device), CPU, 리드 모드(read mode)
Int. CL G06F 9/24 (2006.01)
CPC G06F 9/4401(2013.01) G06F 9/4401(2013.01)
출원번호/일자 1020070079791 (2007.08.08)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1394693-0000 (2014.05.07)
공개번호/일자 10-2009-0015463 (2009.02.12) 문서열기
공고번호/일자 (20140515) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.07.05)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 조정훈 대한민국 경기도 평택시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 서교준 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로 **길**, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.08 수리 (Accepted) 1-1-2007-0576519-26
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.07.05 수리 (Accepted) 1-1-2012-0537521-22
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.03.13 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027552-52
8 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2013.08.27 수리 (Accepted) 1-1-2013-0780306-91
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.16 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0645983-38
10 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.11 수리 (Accepted) 1-1-2013-1025668-73
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.11 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1025666-82
12 등록결정서
Decision to grant
2014.02.28 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0151809-49
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
CPU와 NAND 플래시 메모리 사이에 PLD를 구비하는 전자기기의 부팅 방법으로서,(a) 상기 PLD에 의해, 전원 인가가 감지되면 상기 NAND 플래시 메모리에 최초 전원 인가인지 판단하는 단계;(b) 상기 PLD에 의해, 상기 NAND 플래시 메모리에 전원인가가 감지되면 상기 PLD와 상기 NAND 플래시 메모리와의 엑세스 상태로 전환되는 단계;(c) 상기 PLD에 의해, 상기 PLD와 상기 NAND 플래시 메모리와의 엑세스 상태로 전환되면 상기 NAND 플래시 메모리를 리셋(reset) 시키는 단계;(d) 상기 PLD에 의해, 상기 최초 NAND 플래시 메모리가 리셋 되면 읽기 명령(read command) 신호 전달을 1 사이클(cycle) 진행하는 단계;(e) 상기 PLD에 의해, 상기 읽기 명령 신호 전달 후 읽기 주소(read address) 신호 전달을 5 사이클(cycle) 진행하는 단계;(f) 상기 PLD에 의해, 최종적으로 읽기 승인(read confirm) 신호 전달을 1 사이클(cycle) 진행하여 읽기 모드(read mode) 과정을 수행하는 단계;(g) 상기 PLD에 의해, 상기 읽기 모드 과정을 수행하는 동안 상기 NAND 플래시 메모리가 상기 CPU에 엑세스 되지 않도록 상기 CPU와의 연결 신호를 차단하는 단계; 및(h) 상기 CPU에 의해, 상기 NAND 플래시 메모리가 읽기 모드로 전환되면 상기 NAND 플래시 메모리로 상기 전자기기의 부팅을 수행하는 단계를 포함하는 것을 특징을 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서,상기 PLD에 의해, 상기 읽기 모드 과정을 마치면 상기 CPU가 상기 NAND 플래시 메모리를 엑세스할 수 있는 상태로 전환하고 상기 PLD를 버퍼 동작을 수행하도록 하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
4 4
제 1항에 있어서,상기 단계 (a)는 상기 PLD에 의해, 상기 PLD에 파워 연속 제어 플립플롭(Power sequence control Flip-flop)를 추가하여 전원이 켜지는 시점을 상기 NAND 플래시 메모리가 깨어나는 시점으로 판단하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
5 5
제 1항에 있어서,상기 단계 (b)는 상기 PLD에 의해, 전원인가 신호가 감지되면 CS(chip select)를 로우(low)로 떨어뜨려 PLD가 NAND를 엑세스 할 수 있도록 설정하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
6 6
제 1항에 있어서,상기 단계 (c)는 상기 PLD에 의해, CLE(command latch enable)를 하이(high), WE(write enable)를 로우(low)로 하여 0xFF 신호를 NAND에 전달하여 리셋(reset)하고 다시 CLE(command latch enable)를 로우(low), WE(write enable)를 하이(high)로 설정하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
7 7
제 1항에 있어서,상기 단계 (d)는 상기 PLD에 의해, CLE(command latch enable)를 하이(high), WE(write enable)를 로우(low)로 하여 0x00(read command) 신호 전달하고 다시 CLE(command latch enable)를 로우(low), WE(write enable)를 하이(high)로 설정하는 과정을 1 사이클 진행하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
8 8
제 1항에 있어서,상기 단계 (e)는 상기 PLD에 의해, ALE(address latch enable)를 하이(high), WE(write enable)를 로우(low)로 하여 0x00(read command) 신호를 전달하고 ALE(address latch enable)를 로우(low), WE(write enable)를 하이(high)로 설정하는 과정을 5 사이클 진행하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
9 9
제 1항에 있어서,상기 단계 (f)는 상기 PLD에 의해, CLE(command latch enable)를 하이(high), WE(write enable)를 로우(low)로 하여 0x30(confirm command) 신호 전달하고 다시 CLE(command latch enable)를 로우(low), WE(write enable)를 하이(high)로 설정하는 과정을 1 사이클 진행하는 것을 특징으로 하는 PLD 및 NAND 플래시 메모리를 이용한 전자기기의 부팅 방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.