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실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015049184
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요약 본 발명은 실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법에 대한 것으로서, 제1도전형의 실리콘 반도체 기판을 준비하는 단계; 상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 실리콘 반도체 기판 표면으로 확산시켜 기판 상부에 에미터층을 형성하는 단계; 및 상기 에미터층의 상부에 존재하고 실리콘 반도체 내에서의 고체 용해도 이상으로 제2도전형의 불순물이 도핑된 데드 레이어(dead layer)를 질산, 불산, 아세트산 및 물이 10:0.1~0.01:1~3:5~10의 부피비로 혼합된 식각액을 이용하여 선택적으로 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 따르면, 실리콘 태양전지의 제조 시 불순물 확산 공정에 의해 에미터층을 형성한 후 최상부의 데드 레이어를 선택적으로 제거함으로써 캐리어의 재결합 속도를 감소시켜 캐리어의 수명을 증가시킬 수 있다. 그 결과, 태양전지의 개방 전압이 증가되어 태양전지의 효율을 향상시킬 수 있다.실리콘 태양전지, 에미터층, 불순물 확산, 에칭 선택도, 질산, 아세트산, 불산
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/068 (2014.01) H01L 31/04 (2014.01)
CPC H01L 31/1804(2013.01) H01L 31/1804(2013.01)
출원번호/일자 1020070080485 (2007.08.10)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1370107-0000 (2014.02.26)
공개번호/일자 10-2009-0016089 (2009.02.13) 문서열기
공고번호/일자 (20140305) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.08.06)
심사청구항수 7

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 안준용 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인로얄 대한민국 서울특별시 서초구 반포대로 ***, *층(서초동,서일빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.08.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0580784-58
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2008-0180573-95
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2008.07.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0496734-16
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
6 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
7 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-0625296-30
8 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.01 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
9 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.08.26 수리 (Accepted) 9-1-2013-0071248-53
10 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.09.27 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0669011-47
11 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.11.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1072742-45
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2013-1072741-00
13 등록결정서
Decision to grant
2014.01.20 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0041107-15
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
제1도전형의 실리콘 반도체 기판을 준비하는 단계;상기 제1도전형과 반대 도전형인 제2도전형의 불순물을 상기 실리콘 반도체 기판 표면으로 확산시켜 기판 상부에 에미터층을 형성하는 단계; 및상기 에미터층의 상부에 존재하고 실리콘 반도체 내에서의 고체 용해도 이상으로 n형 불순물이 도핑된 데드 레이어를 질산, 불산, 아세트산 및 물이 10:0
2 2
제1항에 있어서, 상기 데드 레이어의 불순물 도핑 농도는 1020atom/cm3 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법
3 3
제1항에 있어서, 상기 실리콘 반도체 기판은 p형 불순물이 도핑된 실리콘 반도체 기판이고, 상기 에미터층은 n형 불순물이 도핑된 실리콘 반도체층임을 특징으로 하는 실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법
4 4
삭제
5 5
제1항에 있어서,상기 데드 레이어에 대한 식각 속도는 0
6 6
제1항에 있어서,상기 에미터층을 형성하는 단계는,상기 제2도전형의 불순물을 함유하는 산화막을 상기 반도체 기판의 상부에 형성하는 단계;상기 산화막 내에 포함된 상기 제2도전형의 불순물을 상기 반도체 기판의 상부 표면으로 드라이브인시키는 단계; 및상기 반도체 기판의 표면에 잔류하는 상기 산화막을 제거하는 단계를 포함하는 실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법
7 7
제2항에 있어서,상기 데드 레이어의 불순물 도핑 농도는 상기 데드 레이어 이외의 상기 에미터층의 불순물 도핑 농도보다 높은 실리콘 태양전지의 에미터층 형성 방법
8 8
제5항에 있어서,상기 데드 레이어는 0
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.