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상부에 곡선형 타입의 캐비티가 형성된 실리콘 웨이퍼의 패키지 몸체;
상기 캐비티에 배치된 적어도 하나의 발광 다이오드 칩을 포함하며,
상기 캐비티는 상기 실리콘 웨이퍼의 패키지 몸체를 에칭하여 형성되는 발광다이오드 패키지
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제1항에 있어서,
상기 패키지 몸체에는 전기적으로 오픈되게 형성된 복수개의 전극단자를 포함하며,
상기 전극단자는 티타늄, 니켈, 구리, 금 및 알루미늄, 은 중에서 적어도 하나를 포함하는 발광 다이오드 패키지
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제 1항에 있어서,
상기 캐비티의 내측면은 에칭에 의해 곡면으로 처리되는 발광다이오드 패키지
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제 1항에 있어서,
상기 캐비티의 직경은 4~10mm로 형성되며,
상기 캐비티의 깊이는 0
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제 1항에 있어서,
상기 캐비티에 형성된 몰드 부재 또는 형광체가 첨가된 몰드 부재를 포함하는 발광다이오드 패키지
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실리콘 웨이퍼의 패키지 몸체의 상부에 마스크 패턴을 이용하여 곡선형의 개방영역을 형성하는 단계;
상기 패키지 몸체의 곡선형 타입의 개방 영역을 건식 식각하여 곡선형 캐비티를 형성하는 단계;
상기 캐비티를 습식 식각하여 상기 캐비티의 내측면을 곡면 형태로 처리하는 단계;
상기 마스크 패턴을 제거하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 캐비티 깊이는 0
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제 7항에 있어서,
상기 습식 식각 전에 곡선형 타입의 개방 영역 둘레의 상기 마스크 패턴을 상기 습식 식각 영역까지 부분 식각하는 단계를 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제 7항에 있어서,
상기 습식 식각은 초산, 불산, 질산의 혼합 재료를 이용하여 등방성 식각하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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11
제 7항 또는 제10항에 있어서,
상기 습식식각은 초산:불산:질산의 비율이 30:20:40이고, 상기 각 산의 비율은 ±20% 범위로 변경되는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제 7항 또는 제10항에 있어서,
상기 습식식각 공정에 의해 상기 캐비티의 전체 둘레가 곡면으로 처리되어,곡선형 타입의 캐비티로 형성되는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제 7항 또는 제10항에 있어서,
상기 캐비티에 탑재된 적어도 하나의 발광다이오드 칩을 포함하는 발광다이오드 패키지 제조방법
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제 13항에 있어서,
상기 캐비티에는 몰드 부재 또는 형광체가 첨가된 몰드 부재가 몰딩되는 발광다이오드 패키지 제조방법
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삭제
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제13항에 있어서,
상기 패키지 몸체의 표면에는 전기적으로 오픈된 복수개의 전극단자를 포함하며,
상기 전극단자는 티타늄, 니켈, 구리, 금 및 알루미늄, 은 중에서 적어도 하나로 형성되는 발광다이오드 패키지 제조방법
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