기술이전플랫폼 Tech-Bridge-이전대상기술

맞춤기술찾기

홈으로 가기

맞춤기술찾기

이전대상기술

프린트하기

이전대상기술

어레이 기판 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015049224
담당센터 :
전화번호 :

상담신청 PDF 받기

상세정보
공개전문
공고전문
등록사항
통합행정정보
기술정보
과제정보
관련기술
심판사항

서지정보
인명정보
행정처리
청구항
지정국
패밀리정보
국가R&D 연구정보

이전 슬라이드 보기 다음 슬라이드 보기

요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 어레이 기판은 기판상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극를 포함하는 상기 기판상에 배치된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴, 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴상에 연장되어 배치된 나노 반도체, 상기 나노 반도체를 포함하는 상기 기판상에 배치되며, 상기 제 2 오믹 콘택 패턴의 일부를 노출하는 보호 패턴 및 상기 보호 패턴상에 상기 제 2 오믹 콘택 패턴과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함한다.어레이 기판, 나노 반도체, 전계, 어레이, 오믹 콘택
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC	H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자	1020070087607 (2007.08.30)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1396665-0000 (2014.05.12)
공개번호/일자	10-2009-0022327 (2009.03.04) 문서열기
공고번호/일자	(20140519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.08.14)
심사청구항수	11

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 발명자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	김재현	대한민국	경기도 수원시 장안구
2	채기성	대한민국	인천광역시 연수구
3	이보현	대한민국	서울 성북구

대리인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 대리인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 최종권리자 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0632626-17
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.08.14	수리 (Accepted)	1-1-2012-0649170-48
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2012.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2012-0706442-33
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0064366-78
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569997-16
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0936264-20
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0936263-85
13	등록결정서 Decision to grant	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0143929-87

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판상에 배치된 게이트 전극;상기 게이트 전극를 포함하는 상기 기판상에 배치된 게이트 절연막;상기 게이트 절연막상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극;상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴;상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴상에 연장되어 배치된 나노 반도체;상기 나노 반도체의 일단부와 상기 제 1 오믹 콘택 패턴상에 배치된 보조 소스 전극;상기 나노 반도체의 타단부와 상기 제 2 오믹 콘택 패턴상에 배치된 보조 드레인 전극;상기 나노 반도체, 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극을 포함하는 상기 기판상에 배치되며, 상기 보조 드레인 전극의 일부를 노출하는 보호 패턴; 및상기 보호 패턴상에 상기 보조 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함하는 어레이 기판
2	2 삭제
3	3 제 1 항에 있어서,상기 보조 소스 전극 하부에 배치된 보조 제 1 오믹 콘택 패턴; 및상기 보조 드레인 전극 하부에 배치된 보조 제 2 오믹 콘택 패턴을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 각각 대응된 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
5	5 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴은 Ti, ITO, Pd 및 Au 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
6	6 기판상에 게이트 전극을 형성하는 단계;상기 게이트 전극를 포함하는 상기 기판상에 게이트 절연막을 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 서로 마주하는 소스 전극, 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴의 각 일부에 전기적으로 접촉된 나노 반도체를 형성하는 단계;상기 나노 반도체의 일단부와 상기 제 1 오믹 콘택 패턴상에 배치된 보조 소스 전극과 상기 나노 반도체의 타단부와 상기 제 2 오믹 콘택 패턴상에 배치된 보조 드레인 전극을 형성하는 단계;상기 보조 드레인 전극의 일부를 노출하며, 상기 나노 반도체를 포함하는 상기 기판상에 보호 패턴을 형성하는 단계; 및상기 보호 패턴상에 상기 보조 드레인 전극과 전기적으로 연결된 화소 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법
7	7 제 6 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계에서 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 평행하는 어레이 배선을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
8	8 제 7 항에 있어서,상기 나노 반도체를 형성하는 단계는 상기 데이터 배선 및 상기 어레이 배선을 포함하는 상기 기판상에 나노물질 분산 용액을 코팅하는 단계; 상기 데이터 배선 및 상기 어레이 배선중 어느 하나의 배선에 외부 전압을 인가하여 상기 나노물질을 배열하는 단계; 및상기 나노물질이 배열된 상기 기판을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
9	9 제 8 항에 있어서,상기 나노물질을 배열하는 단계와 상기 기판을 건조하는 단계 사이에 상기 나노물질이 배열된 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
10	10 제 8 항에 있어서,상기 기판을 건조하는 단계 이후에 상기 어레이 배선을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
11	11 삭제
12	12 제 6 항에 있어서,상기 보조 소스 전극 및 상기 보조 드레인 전극 하부에 각각 보조 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴이 더 형성되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
13	13 제 10 항에 있어서,상기 보조 소스 전극 및 상기 보조 드레인 전극을 형성하는 단계에서 상기 어레이 배선이 제거되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법

본 등록정보는 참고용으로 법적증빙자료로 사용할 수 없습니다.
데이터 이관에 따른 소요기간(1일)으로 인하여 등록원부와 일부 차이가 발생할 수 있으며, 일부 정보(부기, 상세 주소 등)를 제공하지 않고 있습니다.
법적증빙자료로 활용하시거나 더 자세한 정보를 보시려면 등록원부를 발급받아 사용하시기 바랍니다.

이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허 등록번호 표입니다.
특허 등록번호	10-1396665-0000

권리란

표시번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 권리란 표입니다.
표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070830 출원 번호 : 1020070087607 공고 연월일 : 20140519 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140227 청구범위의 항수 : 11 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 어레이 기판 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 특허권자란 표입니다.
순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	474,000 원	2014년 05월 12일	납입
제 4 년분	금 액	282,000 원	2017년 04월 13일	납입
제 5 년분	금 액	282,000 원	2018년 04월 16일	납입
제 6 년분	금 액	282,000 원	2019년 04월 17일	납입

본 '원본보기 서비스'는 참고용이므로, 일부 오류 및 누락이 발생할 수 있습니다.
정확한 서류를 확인하시려면 해당 웹사이트에서 조회하시기 바랍니다. (특허로 바로가기: http://www.patent.go.kr)
해당 서비스는 점검으로 인해 매주 일요일 00:00 ~ 02:00까지 이용이 중단됩니다.

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송번호의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 통합행정정보 > 등록료란 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0632626-17
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.08.14	수리 (Accepted)	1-1-2012-0649170-48
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2012.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2012-0706442-33
8	선행기술조사의뢰서	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0064366-78
10	의견제출통지서	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569997-16
11	[명세서등 보정]보정서	2013.10.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0936264-20
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0936263-85
13	등록결정서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0143929-87


기술번호	KST2015049224
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	어레이 기판 및 이의 제조 방법
기술개요	본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 어레이 기판은 기판상에 배치된 게이트 전극, 상기 게이트 전극를 포함하는 상기 기판상에 배치된 게이트 절연막, 상기 게이트 절연막상에 서로 이격되어 배치된 소스 전극 및 드레인 전극, 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극상에 각각 배치된 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴, 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴상에 연장되어 배치된 나노 반도체, 상기 나노 반도체를 포함하는 상기 기판상에 배치되며, 상기 제 2 오믹 콘택 패턴의 일부를 노출하는 보호 패턴 및 상기 보호 패턴상에 상기 제 2 오믹 콘택 패턴과 전기적으로 연결된 화소 전극을 포함한다.어레이 기판, 나노 반도체, 전계, 어레이, 오믹 콘택
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
도입시고려사항

중요키워드

이전대상기술 뷰 페이지 관련기술 표
[KST2015024611][LG그룹]	박막 트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015025967][LG그룹]	폴리실리콘 박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015023344][LG그룹]	박막트랜지스터형 광 감지센서와 그 제조방법	새창보기
[KST2015024599][LG그룹]	컬러필터, 이를 구비한 박막트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015023326][LG그룹]	박막 트랜지스터형 광 감지소자	새창보기
[KST2015023447][LG그룹]	박막트랜지스터의 패드부 및 제조방법	새창보기
[KST2015023474][LG그룹]	박막트랜지스터 및 그의 제조방법	새창보기
[KST2015023635][LG그룹]	박막트랜지스터 제조 방법 및 그를 이용한 액정표시소자제조방법	새창보기
[KST2015024717][LG그룹]	박막트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015027056][LG그룹]	폴리실리콘 박막의 제조방법	새창보기
[KST2015023307][LG그룹]	박막 트랜지스터형 광 감지소자 제조방법	새창보기
[KST2015024561][LG그룹]	박막 트랜지스터 표시소자 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015028198][LG그룹]	박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015023276][LG그룹]	박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015023364][LG그룹]	박막트랜지스터의 게이트전극 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015023657][LG그룹]	박막트랜지스터 제조방법	새창보기
[KST2015023749][LG그룹]	엑스-선 검출용 박막트랜지스터 기판 제조방법	새창보기
[KST2015023801][LG그룹]	비정질 박막트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015026192][LG그룹]	비정질 실리콘의 결정화 방법 및 이를 이용한박막트랜지스터의 형성방법	새창보기
[KST2015027187][LG그룹]	박막트랜지스터 소자의 제조방법	새창보기
[KST2015023328][LG그룹]	박막트랜지스터형 광 감지센서의 제조방법	새창보기
[KST2015024616][LG그룹]	액정표시장치용 박막트랜지스터의 제조방법 및 그 제조방법에 따른 박막트랜지스터	새창보기
[KST2015025397][LG그룹]	박막 트랜지스터 및 그 제조방법	새창보기
[KST2015025877][LG그룹]	마스크와 이를 이용한 실리콘 결정화방법	새창보기
[KST2014004900][LG그룹]	다결정 실리콘 박막 트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015023416][LG그룹]	박막트랜지스터형 어레이기판의 액티브층 제조방법	새창보기
[KST2015023451][LG그룹]	박막트랜지스터의 제조방법	새창보기
[KST2015023507][LG그룹]	박막 트랜지스터 어레이 기판, 액정 표시장치	새창보기
[KST2015023851][LG그룹]	ＴＦＴ-ＬＣＤ 패널 및 그 제조 방법	새창보기
[KST2015028117][LG그룹]	다결정 박막트랜지스터의 제조방법	새창보기

의뢰할 수요기술을 선택합니다

담당자명, 주소, 이메일, 연락처, 내용, 파일선택의 정보를 제공하는 도입희망기술 뷰 페이지 의뢰하기 입력표입니다.
담당자명		활동구분※필수입력항목
이메일		연락처	- -
내용
파일선택	파일선택

기술이전 상담신청 드립니다.
기업명
신청자 성명		직책
연락처	- -
이메일	@
상담희망전담센터	※ 사업장(본점) 소재지가 속한 지역의 기술혁신센터를 지정해주세요.