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단결정 성장장치용 석영 도가니 및 그 제조방법

  • 기술번호 : KST2015049308
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 쵸크랄스키법(Cz)으로 반도체 단결정을 성장시키는 성장장치에 사용되는 석영 도가니에 관한 것으로서, 내부 표면으로부터 0.5㎜ 깊이까지 마이크로 버블이 존재하지 않는 투명한 내부층; 및 상기 내부층의 바깥을 둘러싸는 불투명한 외부층;을 포함하는 석영 도가니가 개시된다. 본 발명에 의하면 도가니 내부에서의 마이크로 버블 성장을 원천적으로 억제할 수 있는 석영 도가니가 개시되므로 단결정 성장시 수율을 향상시킬 수 있다. 쵸크랄스키법, 석영 도가니, 마이크로 버블, 오픈 버블, Ostwald Growth
Int. CL C30B 15/10 (2006.01)
CPC C30B 15/10(2013.01) C30B 15/10(2013.01) C30B 15/10(2013.01)
출원번호/일자 1020070089581 (2007.09.04)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-0907184-0000 (2009.07.02)
공개번호/일자 10-2009-0024519 (2009.03.09) 문서열기
공고번호/일자 (20090709) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.04)
심사청구항수 3

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 심복철 대한민국 대구 북구
2 정요한 미국 인천 남동구
3 이홍우 대한민국 경북 구미시

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2007-0643548-01
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.02.11 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.03.13 수리 (Accepted) 9-1-2008-0012920-48
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.06.30 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0348992-43
5 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.08.06 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0565020-33
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.08.06 수리 (Accepted) 1-1-2008-0565022-24
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.12.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0648665-87
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.03.02 수리 (Accepted) 1-1-2009-0126103-39
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.03.02 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0126102-94
10 등록결정서
Decision to grant
2009.07.01 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0277278-53
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
쵸크랄스키법(Cz)으로 반도체 단결정을 성장시키는 성장장치에 사용되는 석영 도가니에 있어서, 내부 표면으로부터 0
2 2
삭제
3 3
투명한 내부층과 상기 내부층을 둘러싸는 불투명한 외부층을 포함하는 반도체 단결정 성장장치용 석영 도가니의 제조방법에 있어서, 상기 내부층의 형성시, 내부 표면으로부터 0
4 4
제3항에 있어서, 상기 석영 도가니에 대응하는 도가니 주형의 내부에 실리카 그레인을 투입한 후 용융시켜 상기 내부층과 외부층을 형성하고, 상기 내부층의 형성시, 상기 도가니 주형를 수용하는 챔버 내부에 대한 가스 유동과 배기를 제어하여 상기 마이크로 버블의 농도를 0으로 유지하는 것을 특징으로 하는 단결정 성장장치용 석영 도가니의 제조방법
5 5
삭제
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.