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환경친화적 도전성 입자 및 그 제조방법과 상기 도전성입자를 포함하는 이방 도전성 접착재료

  • 기술번호 : KST2015049313
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요약 본 발명은 환경친화적 도전성 입자 및 그 제조방법과 상기 도전성 입자를 포함하는 이방 도전성 접착재료에 관한 것이다. 본 발명에 따른 도전성 입자의 제조방법은, 비공유 전자쌍을 갖는 산소 또는 질소 원자를 갖는 수지로 된 표층을 갖는 핵제를 준비하는 단계; 상기 핵제를 팔라듐 나노입자 분산액에 첨가하고 교반시켜 팔라듐 나노입자를 핵제 표면에 흡착시키는 단계; 및 상기 팔라듐 나노입자가 흡착된 핵제를 니켈 도금액으로 처리하여 핵제 표면에 니켈 도금층을 형성하는 단계 를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명의 도전성 입자의 제조방법은 니켈 도금 시 에칭 단계 및 민감화 단계를 거치지 않으므로 간단한 공정으로도 니켈 도금을 완료할 수 있으며, 에칭 단계 및 민감화 단계에서 사용되는 유해 물질들이 필요하지 않으므로 환경친화적이다.도전성 입자, 팔라듐 나노입자, 이방 도전성 접착재료.
Int. CL H01B 1/00 (2006.01)
CPC H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01) H01B 1/22(2013.01)
출원번호/일자 1020070091624 (2007.09.10)
출원인 주식회사 엘지화학
등록번호/일자 10-1173199-0000 (2012.08.06)
공개번호/일자 10-2009-0026559 (2009.03.13) 문서열기
공고번호/일자 (20120810) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2009.11.25)
심사청구항수 8

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구종민 대한민국 대전광역시 유성구
2 박도연 대한민국 충북 청주시 흥덕구
3 전문석 대한민국 대전광역시 유성구
4 김수경 대한민국 경남 창녕군
5 이민형 대한민국 대전광역시 유성구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 주식회사 엘지화학 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.10 수리 (Accepted) 1-1-2007-0655859-10
2 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2008.03.10 수리 (Accepted) 1-1-2008-0173721-92
3 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2009.11.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0724598-75
4 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2010.11.17 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
5 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2010.12.10 수리 (Accepted) 9-1-2010-0074411-11
6 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2011.08.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2011-0449709-23
7 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.10.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0789227-67
8 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.11.10 수리 (Accepted) 1-1-2011-0887683-39
9 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2011.12.09 수리 (Accepted) 1-1-2011-0978149-82
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.01.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0025402-88
11 지정기간연장관련안내서
Notification for Extension of Designated Period
2012.01.11 발송처리완료 (Completion of Transmission) 1-5-2012-0005457-13
12 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2012.02.10 수리 (Accepted) 1-1-2012-0110245-88
13 지정기간연장승인서
Acceptance of Extension of Designated Period
2012.02.15 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0089104-12
14 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2012.03.12 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2012-0199450-49
15 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2012.03.12 수리 (Accepted) 1-1-2012-0199449-03
16 등록결정서
Decision to grant
2012.08.02 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2012-0452152-19
17 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.01.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5000389-31
18 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.12.02 수리 (Accepted) 4-1-2015-5161532-51
19 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.11.12 수리 (Accepted) 4-1-2018-5227604-80
20 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.12.19 수리 (Accepted) 4-1-2018-5261818-30
21 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2019.08.19 수리 (Accepted) 4-1-2019-5164284-96
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번호 청구항
1 1
(S1) 비공유 전자쌍을 갖는 산소 또는 질소 원자를 갖는 수지로 된 표층을 갖는 핵제를 준비하는 단계;(S2) 상기 핵제를 팔라듐 나노입자 분산액에 첨가하고 교반시켜 팔라듐 나노입자를 핵제 표면에 흡착시키는 단계; 및(S3) 상기 (S2) 단계의 결과물을 니켈 도금액으로 처리하여 핵제 표면에 니켈 도금층을 형성하는 단계를 포함하고,상기 니켈 도금층 표면에 금 도금층을 형성하는 단계를 더 포함하는, 니켈 도금층이 형성된 도전성 입자의 제조방법
2 2
제1항에 있어서,상기 표층의 수지는 카르복실기 및 아민기 중에서 적어도 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
3 3
제1항에 있어서,상기 핵제는 평균 입경이 1~1,000㎛인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
4 4
제1항에 있어서,상기 팔라듐 나노 입자의 입경은 50nm 이하인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
5 5
제1항에 있어서, 니켈 도금층의 두께는 60~1,000nm인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
6 6
삭제
7 7
제1항에 있어서,상기 금 도금층의 두께는 5~100nm인 것을 특징으로 하는 도전성 입자의 제조방법
8 8
제1항의 제조방법에 따라 제조되고,비공유 전자쌍을 갖는 산소 또는 질소 원자를 갖는 수지로 된 표층을 갖는 핵제;상기 핵제 표면에 흡착된 팔라듐 나노입자;상기 핵제 표면에 형성된 니켈 도금층; 및상기 니켈 도금층 표면에 형성된 금 도금층을 포함하고,상기 핵제의 평균 입경이 1-1,000㎛이고, 상기 니켈 도금층의 두께가 60-1,000nm인 도전성 입자
9 9
절연성 접착성분 및 상기 절연성 접착성분에 분산된 다수의 도전성 입자를 함유하는 이방 도전성 접착재료에 있어서,상기 도전성 입자가 제8항의 도전성 입자인 것을 특징으로 하는 이방 도전성 접착재료
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.