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어레이 기판 및 이의 제조 방법

기술번호 : KST2015049373
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 어레이 기판은 나노 반도체 패턴과 소스 전극 및 드레인 전극사이에 각각 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 구비하여 반도체 패턴과 소스 전극 및 드레인 전극간의 접촉 특성을 향상시켜 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 전계를 이용하여 나노 물질을 정렬함에 따라 균일한 전기적 특성을 갖는 트랜지스터들을 갖는 어레이 기판을 제공할 수 있다.나노 반도체, 전계, 어레이, 오믹 콘택, 트랜지스터
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) B82Y 10/00 (2011.01)
CPC	H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01) H01L 29/0669(2013.01)
출원번호/일자	1020070087606 (2007.08.30)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1396629-0000 (2014.05.12)
공개번호/일자	10-2009-0022326 (2009.03.04) 문서열기
공고번호/일자	(20140519) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	소멸
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.08.14)
심사청구항수	16

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	김재현	대한민국	경기도 수원시 장안구
2	채기성	대한민국	인천광역시 연수구
3	문태형	대한민국	서울 서대문구

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	서교준	대한민국	서울특별시 강남구 테헤란로 길, **층 (역삼동, 케이앤아이타워)(특허사무소소담)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0632624-15
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.08.14	수리 (Accepted)	1-1-2012-0649169-02
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서 [Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)	2012.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2012-0706442-33
8	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0064132-02
10	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569996-60
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.10.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0936254-74
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0936253-28
13	등록결정서 Decision to grant	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0143928-31

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 배치된 소스 전극;상기 기판 상에 배치되고, 상기 소스 전극과 마주하는 드레인 전극;상기 소스 전극 상에 배치된 제 1 오믹 콘택 패턴;상기 드레인 전극 상에 배치된 제 2 오믹 콘택 패턴;상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴 상에 각각 양단부가 배치되는 나노 반도체 패턴;상기 나노 반도체 패턴 상에 배치되고, 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 각각 노출하는 비아홀을 구비하는 게이트 절연막; 상기 게이트 절연막 상에 형성된 비아홀을 통해서 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴과 각각 전기적으로 연결된 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극; 및상기 나노 반도체 패턴의 일정 부분과 대응되며, 상기 게이트 절연막 상에 배치된 게이트 전극을 포함하는 어레이 기판
2	2 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴과 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 각각 대응된 면적을 갖는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
3	3 제 1 항에 있어서,상기 소스 전극과 전기적으로 연결되고, 상기 소스 전극의 형성 물질 및 제 1 오믹 콘택 패턴의 형성 물질이 순차적으로 적층된 데이터 배선; 및상기 게이트 전극과 전기적으로 연결된 게이트 배선을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
4	4 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴은 Pd, Au, Ti 및 ITO 중 적어도 어느 하나로 이루어진 것을 특징으로 하는 어레이 기판
5	5 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극을 포함하는 상기 기판상에 배치된 보호막; 및상기 보호막상에 상기 제 2 오믹 콘택 패턴과 전기적으로 연결된 화소 전극을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
6	6 삭제
7	7 제 1 항에 있어서,상기 게이트 전극은 상기 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극과 동일한 재질로 이루어진 것을 특징으로 하는 어레이 기판
8	8 제 7 항에 있어서,상기 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극하부에 각각 보조 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴이 더 배치되는 것을 특징으로 하는 어레이 기판
9	9 기판상에 서로 마주하는 소스 전극 및 드레인 전극과, 상기 소스 전극 및 드레인 전극상에 각각 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계;상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴상에 나노 반도체 패턴을 형성하는 단계;상기 나노 반도체 패턴상에 게이트 절연막을 형성하고, 상기 게이트 절연막을 식각하여 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴의 일부를 각각 노출하는 비아홀을 형성하는 단계;상기 비아홀을 통해 상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극과 각각 전기적으로 연결된 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극을 형성하는 단계; 및상기 나노 반도체 패턴의 일정 부분과 대응되며, 상기 게이트 절연막상에 게이트 전극을 형성하는 단계를 포함하는 어레이 기판의 제조 방법
10	10 제 9 항에 있어서,상기 소스 전극, 상기 드레인 전극, 상기 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 형성하는 단계에서 상기 드레인 전극과 전기적으로 연결된 데이터 배선과 상기 데이터 배선과 평행하는 어레이 배선을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
11	11 제 10 항에 있어서,상기 소스 전극 및 상기 드레인 전극은 제 1 의 간격을 가지고, 상기 제 1 의 간격보다 큰 제 2 의 간격을 갖는 상기 데이터 배선의 일 끝단에 배치된 제 1 패드부와 상기 어레이 배선의 일 끝단에 배치된 제 2 패드부를 더 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
12	12 제 10 항에 있어서,상기 나노 반도체 패턴을 형성하는 단계는 상기 데이터 배선 및 상기 어레이 배선을 포함하는 상기 기판상에 나노물질 분산 용액을 코팅하는 단계; 상기 데이터 배선 및 상기 어레이 배선중 어느 하나의 배선에 외부 전압을 인가하여 상기 나노물질을 배열하는 단계; 및상기 나노물질이 배열된 상기 기판을 건조하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
13	13 제 12 항에 있어서,상기 나노물질을 배열하는 단계와 상기 기판을 건조하는 단계사이에 상기 나노물질이 배열된 상기 기판을 세정하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
14	14 제 12 항에 있어서,상기 나노물질이 배열된 상기 기판을 건조하는 단계 이후에 상기 어레이 배선을 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
15	15 제 10 항에 있어서,상기 비아홀을 형성하는 단계에서 상기 어레이 배선을 노출하는 개구를 형성하는 단계;상기 게이트 절연막상에 상기 개구를 노출하는 포토레지스트 패턴을 형성하는 단계; 및상기 포토레지스트 패턴을 식각 마스크로 사용하여 상기 어레이 배선을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
16	16 제 15 항에 있어서,상기 보조 소스 전극 및 보조 드레인 전극을 형성하는 단계와 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는 동시에 이루어지는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법
17	17 제 15 항에 있어서,상기 게이트 전극을 형성하는 단계에서 상기 게이트 전극과 전기적으로 연결되며, 적어도 일부는 상기 기판상에 배치되는 게이트 배선을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 어레이 기판의 제조 방법

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특허 등록번호	10-1396629-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20070830 출원 번호 : 1020070087606 공고 연월일 : 20140519 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20140227 청구범위의 항수 : 16 유별 : H01L 29/786 발명의 명칭 : 어레이 기판 및 이의 제조 방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

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제 1 - 3 년분	금 액	669,000 원	2014년 05월 12일	납입
제 4 년분	금 액	392,000 원	2017년 04월 13일	납입
제 5 년분	금 액	392,000 원	2018년 04월 16일	납입
제 6 년분	금 액	392,000 원	2019년 04월 17일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.08.30	수리 (Accepted)	1-1-2007-0632624-15
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.08.14	수리 (Accepted)	1-1-2012-0649169-02
7	[대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서	2012.08.31	수리 (Accepted)	1-1-2012-0706442-33
8	선행기술조사의뢰서	2013.07.03	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
9	선행기술조사보고서	2013.08.08	수리 (Accepted)	9-1-2013-0064132-02
10	의견제출통지서	2013.08.20	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0569996-60
11	[명세서등 보정]보정서	2013.10.17	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-0936254-74
12	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.10.17	수리 (Accepted)	1-1-2013-0936253-28
13	등록결정서	2014.02.27	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2014-0143928-31


기술번호	KST2015049373
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	어레이 기판 및 이의 제조 방법
기술개요	본 발명은 어레이 기판 및 이의 제조 방법에 관한 것으로, 어레이 기판은 나노 반도체 패턴과 소스 전극 및 드레인 전극사이에 각각 제 1 및 제 2 오믹 콘택 패턴을 구비하여 반도체 패턴과 소스 전극 및 드레인 전극간의 접촉 특성을 향상시켜 트랜지스터의 전기적 특성을 향상시킬 수 있으며, 전계를 이용하여 나노 물질을 정렬함에 따라 균일한 전기적 특성을 갖는 트랜지스터들을 갖는 어레이 기판을 제공할 수 있다.나노 반도체, 전계, 어레이, 오믹 콘택, 트랜지스터
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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