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반도체 웨이퍼 연마방법 및 이를 위한 반도체 웨이퍼연마장치

  • 기술번호 : KST2015049413
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명에 따르면 웨이퍼의 일면과 연마 패드 사이에 슬러리를 공급하고, 상기 웨이퍼와 연마 패드를 접촉시킨 상태에서 상대 회전시켜 상기 웨이퍼의 단면을 연마하는 반도체 웨이퍼 연마방법으로서, 스톡 패드(stock pad)와 스톡 슬러리(stock slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 스톡 연마 단계와, 상기 스톡 연마 종료 후에, 파이널 패드(final pad)와 파이널 슬러리(final slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 파이널 연마 단계를 포함하고, 상기 스톡 연마의 최종단계에서는 스톡 패드와 파이널 슬러리를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마방법이 개시된다.스톡 연마, 파이널 연마, 스톡 패드, 파이널 패드, 스톡 슬러리, 파이널 슬러리, 표면거칠기
Int. CL H01L 21/304 (2006.01)
CPC B24B 37/042(2013.01) B24B 37/042(2013.01) B24B 37/042(2013.01)
출원번호/일자 1020070094642 (2007.09.18)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-0880108-0000 (2009.01.15)
공개번호/일자
공고번호/일자 (20090121) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.09.18)
심사청구항수 4

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 문도민 대한민국 경북 구미시
2 유환수 대한민국 경북 구미시
3 안진우 대한민국 서울 마포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.09.18 수리 (Accepted) 1-1-2007-0674597-43
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.06.05 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.07.10 수리 (Accepted) 9-1-2008-0041615-07
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2008.08.26 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2008-0444187-35
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2008.10.27 수리 (Accepted) 1-1-2008-0741715-30
6 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2008.10.29 수리 (Accepted) 1-1-2008-0751626-54
7 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2008.10.29 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2008-0751625-19
8 등록결정서
Decision to grant
2009.01.09 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0010919-83
9 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
10 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
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웨이퍼의 일면과 연마 패드 사이에 슬러리를 공급하고, 상기 웨이퍼와 연마 패드를 접촉시킨 상태에서 상대 회전시켜 상기 웨이퍼의 단면을 연마하는 반도체 웨이퍼 연마방법에 있어서,스톡 패드(stock pad)와 스톡 슬러리(stock slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 스톡 연마 단계와,상기 스톡 연마 종료 후에, 파이널 패드(final pad)와 파이널 슬러리(final slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하는 파이널 연마 단계를 포함하고,상기 스톡 연마의 최종단계에서는 스톡 패드와 파이널 슬러리를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하고,상기 스톡 패드와 파이널 슬러리를 사용하는 단계에서의 연마 속도 및 압력을 그 직전단계에서의 연마 속도 및 압력에 비해 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마방법
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웨이퍼와 연마 패드 사이에 슬러리를 공급하고, 상기 웨이퍼와 연마 패드를 접촉시킨 상태에서 상대 회전시켜 웨이퍼의 표면을 연마하는 반도체 웨이퍼 연마방법에 있어서,스톡 패드(stock pad)와 스톡 슬러리(stock slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼의 양면을 스톡 연마하는 양면 연마공정을 포함하고,상기 스톡 연마의 최종 단계에서는 스톡 패드와 파이널 슬러리(final slurry)를 사용하여 상기 웨이퍼를 연마하고, 이때 연마 속도 및 압력을 그 직전단계에서의 연마 속도 및 압력에 비해 높게 설정하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마방법
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제3항에 있어서,상기 양면 연마공정 종료 후에 상기 웨이퍼의 일면을 연마하는 단면 연마공정을 더 수행하고,상기 단면 연마공정은, 스톡 패드와 스톡 슬러리를 사용하여 상기 웨이퍼의 표면을 평탄화하는 초기 평탄화 연마 단계를 포함하고, 상기 초기 평탄화 연마의 최종단계에서는 스톡 패드와 파이널 슬러리를 사용하여 웨이퍼 표면을 평탄화하는 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마방법
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제1항, 제3항 또는 제4항 중 어느 한 항에 있어서,상기 스톡 슬러리는 평균입경이 12~17㎚인 연마제를 함유하고, 상기 파이널 슬러리는 평균입경이 32~38㎚인 연마제를 함유한 것을 특징으로 하는 반도체 웨이퍼 연마방법
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