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투명기판; 상기 투명기판의 상부에 형성되는 제1 윈도우층; 상기 제1 윈도우층 위에 형성되는 제1 광흡수층; 상기 제1 광 흡수층 위에 형성되는 투명산화물전극층; 상기 투명기판의 하부에 형성되는 제2 윈도우층;상기 제2 윈도우층 위에 형성되는 제2 광흡수층; 및 상기 제2 윈도우층 위에 형성되는 배면전극을 포함하고, 상기 제1 윈도우층의 구성물질과 상기 제2 윈도우층의 구성물질이 서로 동일하고, 상기 제1 및 제2 윈도우층 각각은, 상기 투명기판에 인접하여 형성되며 불순물이 도핑된 산화아연층 및 상기 도핑된 산화아연층 위에 형성되는 도핑되지 않은 산화아연층을 포함하고, 상기 제1 광흡수층의 구성물질과 상기 제2 광흡수층의 구성물질이 서로 동일한 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 선택되는 화합물 반도체로 형성된 적어도 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 도핑된 산화아연층의 상기 불순물이 알루미늄인 탠덤형 박막 태양전지
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제 1항에 있어서, 상기 투명산화물전극층 위에 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
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제 1항에 있어서,상기 제1 윈도우층과 제1 광흡수층 사이 및 상기 제2 윈도우층과 상기 제2 광흡수층 사이 중 적어도 하나에 층간 밴드갭 에너지 차이와 격자상수 차이를 완화하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
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투명기판의 상부에 제1 윈도우층을 형성하고 상기 투명기판의 하부에 제2 윈도우층을 형성하는 단계; 상기 제1 윈도우층 위에 제1 광흡수층을 형성하고 상기 제2 윈도우층 위에 제2 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 제1 광흡수층 위에 투명산화물전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 광흡수층 위에 배면전극을 형성하고 상기 투명산화물전극층 위에 그리드전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 및 제2 윈도우층 각각은, 상기 투명기판에 인접하여 형성되며 불순물이 도핑된 산화아연층 및 상기 도핑된 산화아연층 위에 형성되는 도핑되지 않은 산화아연층을 포함하고, 상기 제1 광흡수층의 구성물질과 상기 제2 광흡수층의 구성물질이 동일한 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 제1 윈도우층과 상기 제1 광흡수층 사이 및 상기 제2 윈도우층과 상기 제2 광흡수층 사이 중 적어도 하나에 층간 밴드갭 에너지 차이와 격자상수 차이를 완화하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 화합물 반도체로 형성된 층을 적어도 하나 이상 적층하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서,상기 배면전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni) 중에서 선택된 1종 이상의 금속막을 사용하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 윈도우층, 상기 배면전극, 및 상기 그리드전극은,스퍼터법, 증발법, 전자빔 증발법, 유기금속화학기상증착(MOCVD)법, 졸겔법, 열분해법, 스프레이 열분해법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,스퍼터법, 증발법, 진공증착법, 셀렌화(Selenization)법, 전착(electrodeposition)법, 스크린프린팅법, 근접승화법, 유기금속화학기상증착(MOCVD)법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
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