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탠덤형 박막 태양전지 및 그의 제조방법

  • 기술번호 : KST2015049420
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요약 본 발명은 탠덤형 박막 태양전지 및 그의 제조방법에 관한 것으로서, 구체적으로는 투명기판의 상부 및 하부에 윈도우층과 광흡수층으로 구성된 태양전지층을 적어도 하나 이상 포함하는 탠덤(Tandem)형 구조를 가지는 태양전지와 이를 제조하는 방법에 관한 것이다.본 발명은 박막형 화합물 반도체 태양전지, 특히 씨아이지에스(CIGS) 태양전지의 제조에 있어서 탠덤형 구조를 도입하여 단일 구조의 태양전지에 비하여 광전변환효율을 개선하는 장점이 있다.태양전지, 화합물 반도체, 윈도우층, 광흡수층, 탠덤형, CIGS, 광전변환효율
Int. CL H01L 31/18 (2014.01) H01L 31/047 (2014.01) H01L 31/0725 (2014.01)
CPC H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01) H01L 31/0725(2013.01)
출원번호/일자 1020070099240 (2007.10.02)
출원인 엘지전자 주식회사
등록번호/일자 10-1372536-0000 (2014.03.04)
공개번호/일자 10-2009-0034078 (2009.04.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140318) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.06.25)
심사청구항수 11

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김호경 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 최영호 대한민국 경기도 하남시 신평로 **
3 최용우 대한민국 경기도 성남시 분당구
4 이영희 대한민국 서울특별시 강동구
5 김형석 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박병창 대한민국 서울특별시 강남구 테헤란로*길 *, 동주빌딩 *층 팍스국제특허법률사무소 (역삼동)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지전자 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.02 수리 (Accepted) 1-1-2007-0710217-54
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.08.08 수리 (Accepted) 4-1-2008-5128387-76
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.04.27 수리 (Accepted) 4-1-2009-5080835-50
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2009.11.03 수리 (Accepted) 4-1-2009-0023850-26
5 [대리인선임]대리인(대표자)에 관한 신고서
[Appointment of Agent] Report on Agent (Representative)
2010.04.06 수리 (Accepted) 1-1-2010-0219335-97
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.06.25 수리 (Accepted) 1-1-2012-0504205-47
7 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.10.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0729257-57
8 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.12.23 수리 (Accepted) 1-1-2013-1178250-46
9 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.12.23 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-1178249-00
10 등록결정서
Decision to grant
2014.02.24 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0128748-12
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.22 수리 (Accepted) 4-1-2015-5068349-97
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2020-5118228-40
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
투명기판; 상기 투명기판의 상부에 형성되는 제1 윈도우층; 상기 제1 윈도우층 위에 형성되는 제1 광흡수층; 상기 제1 광 흡수층 위에 형성되는 투명산화물전극층; 상기 투명기판의 하부에 형성되는 제2 윈도우층;상기 제2 윈도우층 위에 형성되는 제2 광흡수층; 및 상기 제2 윈도우층 위에 형성되는 배면전극을 포함하고, 상기 제1 윈도우층의 구성물질과 상기 제2 윈도우층의 구성물질이 서로 동일하고, 상기 제1 및 제2 윈도우층 각각은, 상기 투명기판에 인접하여 형성되며 불순물이 도핑된 산화아연층 및 상기 도핑된 산화아연층 위에 형성되는 도핑되지 않은 산화아연층을 포함하고, 상기 제1 광흡수층의 구성물질과 상기 제2 광흡수층의 구성물질이 서로 동일한 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체 중에서 선택되는 화합물 반도체로 형성된 적어도 하나 이상의 층을 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
4 4
제 1항에 있어서, 상기 도핑된 산화아연층의 상기 불순물이 알루미늄인 탠덤형 박막 태양전지
5 5
삭제
6 6
삭제
7 7
제 1항에 있어서, 상기 투명산화물전극층 위에 반사방지막을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
8 8
제 1항에 있어서,상기 제1 윈도우층과 제1 광흡수층 사이 및 상기 제2 윈도우층과 상기 제2 광흡수층 사이 중 적어도 하나에 층간 밴드갭 에너지 차이와 격자상수 차이를 완화하는 버퍼층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지
9 9
투명기판의 상부에 제1 윈도우층을 형성하고 상기 투명기판의 하부에 제2 윈도우층을 형성하는 단계; 상기 제1 윈도우층 위에 제1 광흡수층을 형성하고 상기 제2 윈도우층 위에 제2 광흡수층을 형성하는 단계; 상기 제1 광흡수층 위에 투명산화물전극층을 형성하는 단계; 및상기 제2 광흡수층 위에 배면전극을 형성하고 상기 투명산화물전극층 위에 그리드전극을 형성하는 단계를 포함하며, 상기 제1 및 제2 윈도우층 각각은, 상기 투명기판에 인접하여 형성되며 불순물이 도핑된 산화아연층 및 상기 도핑된 산화아연층 위에 형성되는 도핑되지 않은 산화아연층을 포함하고, 상기 제1 광흡수층의 구성물질과 상기 제2 광흡수층의 구성물질이 동일한 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
10 10
삭제
11 11
삭제
12 12
제 9항에 있어서,상기 제1 윈도우층과 상기 제1 광흡수층 사이 및 상기 제2 윈도우층과 상기 제2 광흡수층 사이 중 적어도 하나에 층간 밴드갭 에너지 차이와 격자상수 차이를 완화하는 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
13 13
삭제
14 14
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15 15
제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ족 화합물 반도체, Ⅱ-Ⅵ족 화합물 반도체 및 Ⅲ-Ⅴ족 화합물 반도체로 이루어진 그룹 중에서 선택되는 화합물 반도체로 형성된 층을 적어도 하나 이상 적층하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
16 16
제 9항에 있어서,상기 배면전극은 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 은(Ag), 금(Au), 백금(Pt), 구리(Cu), 니켈(Ni) 중에서 선택된 1종 이상의 금속막을 사용하는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
17 17
제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 윈도우층, 상기 배면전극, 및 상기 그리드전극은,스퍼터법, 증발법, 전자빔 증발법, 유기금속화학기상증착(MOCVD)법, 졸겔법, 열분해법, 스프레이 열분해법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
18 18
제 9항에 있어서, 상기 제1 및 제2 광흡수층은,스퍼터법, 증발법, 진공증착법, 셀렌화(Selenization)법, 전착(electrodeposition)법, 스크린프린팅법, 근접승화법, 유기금속화학기상증착(MOCVD)법 중에서 선택된 어느 하나 이상의 방법으로 형성되는 것을 특징으로 하는 탠덤형 박막 태양전지의 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.