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폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법

기술번호 : KST2015049663
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약	본 발명은 폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법에 관해 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계 발광소자 형성방법은 기판 상에 제 1비정질 실리콘막을 형성하는 단계와, 제 1비정질 실리콘막을 제 1결정화하는 단계와, 제 1결정화된 실리콘막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와, 활성층을 가진 기판 상에 게이트 절연막 및 제 2비정질 실리콘막을 차례로 형성하는 단계와, 제 2비정질 실리콘막을 제 2결정화하되, 상기 제 2결정화 공정을 진행하는 동안 발생되는 열이 상기 활성층에 전달되도록 하는 단계와, 제 2결정화가 완료된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 게이트 전극을 가진 기판 상에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 드레인전극과 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계와, 제 1전극 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계와, 유기막 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함한다.
Int. CL	H01L 29/786 (2006.01) H01L 21/20 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01) H01L 51/50 (2006.01)
CPC	H01L 21/2022(2013.01) H01L 21/2022(2013.01) H01L 21/2022(2013.01) H01L 21/2022(2013.01) H01L 21/2022(2013.01)
출원번호/일자	1020070102158 (2007.10.10)
출원인	엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자	10-1343501-0000 (2013.12.13)
공개번호/일자	10-2009-0036872 (2009.04.15) 문서열기
공고번호/일자	(20131219) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태	등록
심사진행상태	수리
심판사항
구분
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자	Y (2012.10.09)
심사청구항수	24

출원인

번호, 이름, 국적, 주소의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 인명정보 - 출원인 표입니다.
번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사	대한민국	서울특별시 영등포구

발명자

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번호	이름	국적	주소
1	조덕용	대한민국	경상남도 김해시

대리인

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번호	이름	국적	주소
1	박장원	대한민국	서울특별시 강남구 강남대로 **, 층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호	이름	국적	주소
1	엘지디스플레이 주식회사		서울특별시 영등포구

번호, 서류명, 접수/발송일자, 처리상태, 접수/발송일자의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 행정처리 표입니다.
번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서 [Patent Application] Patent Application	2007.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0727583-36
2	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서 Notification of change of applicant's information	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서 [Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)	2012.10.09	수리 (Accepted)	1-1-2012-0819826-89
7	선행기술조사의뢰서 Request for Prior Art Search	2013.06.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서 Report of Prior Art Search	2013.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0057526-12
9	의견제출통지서 Notification of reason for refusal	2013.09.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0617613-60
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서 [Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)	2013.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-1003621-23
11	[명세서등 보정]보정서 [Amendment to Description, etc.] Amendment	2013.11.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1003626-51
12	등록결정서 Decision to grant	2013.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0846004-80

번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호	청구항
1	1 기판 상에 제 1비정질 실리콘 박막을 형성하는 단계와,상기 제 1비정질 실리콘 박막을 제 1결정화하여 폴리실리콘 박막을 형성하는 단계와,상기 제 1 폴리실리콘 박막을 패터닝하여 제 1 폴리실리콘 박막 패턴을 형성하는 단계와,상기 제 1 폴리실리콘 박막 패턴을 가진 기판상에 절연막 및 제 2비정질 실리콘막을 차례로 형성하는 단계와,상기 제 2비정질 실리콘막을 레이저 결정화에 의해 제 2결정화하여 제 2폴리실리콘 박막을 형성하되, 상기 레이저 결정화에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막의 제 2결정화가 진행하는 동안 발생되는 열에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막이 용융 상태가 되며, 상기 용용되면서 발생된 열이 상기 절연막을 통과하여 상기 제 1폴리실리콘 박막 패턴에 전달되도록 하여 상기 제 1 폴리실리콘 박막 패턴을 재결정화시키는 단계를 포함하는 폴리실리콘막 형성방법
2	2 제 1항에 있어서, 상기 제 1결정화 단계는 SPC결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
3	3 제 1항에 있어서, 상기 절연막은 실리콘 질화막 및 실리콘 산화막 중 어느 하나인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
4	4 제 1항에 있어서, 상기 절연막은 500∼2000Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
5	5 제 1항에 있어서, 상기 제 2결정화 단계는 엑시머 레이저 결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
6	6 제 5항에 있어서, 상기 엑시머 레이저 결정화 기술은 1000℃ 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
7	7 제 1항에 있어서, 상기 기판과 상기 제 1비정질 실리콘막 사이에 완충막을 형성하는 단계를 더 포함하는 폴리실리콘막 형성방법
8	8 제 1항에 있어서, 상기 제 1폴리실리콘 박막 패턴은 박막 트랜지스터의 활성층인 것을 특징으로 하는 폴리실리콘막 형성방법
9	9 제 8항에 있어서, 상기 제 2결정화하는 단계를 진행한 다음,상기 제 2폴리실리콘 박막을 가진 기판 상에 금속막을 형성하는 단계와,상기 금속막을 패터닝하여 게이트전극을 형성하는 단계를 더 포함하는 폴리실리콘막 형성방법
10	10 제 9항에 있어서, 상기 금속막을 형성하기 이전에, 상기 제 2폴리실리콘 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 폴리실리콘막 형성방법
11	11 기판 상에 제 1비정질 실리콘막을 형성하는 단계와,상기 제 1비정질 실리콘막을 제 1결정화하여 제 1폴리실리콘 박막을 형성하는 단계와,상기 제 1폴리 실리콘막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층을 가진 기판 상에 게이트 절연막 및 제 2비정질 실리콘막을 차례로 형성하는 단계와,상기 제 2비정질 실리콘막을 레이저 결정화에 의해 제 2결정화하여 제 2폴리실리콘 박막을 형성하되, 상기 레이저 결정화에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막의 제 2결정화가 진행하는 동안 발생되는 열에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막이 용융 상태가 되며, 상기 용용되면서 발생된 열이 상기 게이트 절연막을 통과하여 상기 활성층에 전달되도록 하여 상기 활성층을 재결정화시키는 단계와,상기 제 2결정화가 완료된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 가진 기판 상에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함한 박막 트랜지스터 형성방법
12	12 제 11항에 있어서, 상기 제 1결정화 단계는 SPC결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형성방법
13	13 제 11항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 500∼2000Å두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형성방법
14	14 제 11항에 있어서, 상기 제 2결정화 단계는 엑시머 레이저 결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형성방법
15	15 제 14항에 있어서, 상기 엑시머 레이저 결정화 기술은 1000℃ 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 박막 트랜지스터 형성방법
16	16 제 11항에 있어서, 상기 게이트전극 형성 단계 이전에, 상기 제 2폴리실리콘 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 형성방법
17	17 제 11항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 제 2결정화가 완료된 기판 위에 금속막을 형성하는 단계와,상기 금속막 및 제 2폴리실리콘 박막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 박막 트랜지스터 형성방법
18	18 기판 상에 제 1비정질 실리콘막을 형성하는 단계와,상기 제 1비정질 실리콘막을 제 1결정화하는 단계와,상기 제 1결정화된 실리콘막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와,상기 활성층을 가진 기판 상에 게이트 절연막 및 제 2비정질 실리콘막을 차례로 형성하는 단계와,상기 제 2비정질 실리콘막을 레이저 결정화에 의해 제 2결정화하되, 상기 레이저 결정화에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막의 제 2결정화가 진행하는 동안 발생되는 열에 의해 상기 제 2비정질 실리콘막이 용융 상태가 되며, 상기 용용되면서 발생된 열이 상기 게이트 절연막을 통해 상기 활성층에 전달되도록 하여 상기 활성층을 재결정화시키는 단계와,상기 제 2결정화가 완료된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 상기 게이트 전극을 가진 기판상에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와,상기 드레인전극과 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계와,상기 제 1전극 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계와,상기 유기막 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함한 유기전계 발광소자 형성방법
19	19 제 18항에 있어서, 상기 제 1결정화 단계는 SPC결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 형성방법
20	20 제 18항에 있어서, 상기 게이트 절연막은 500∼2000Å 두께로 형성하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 형성방법
21	21 제 18항에 있어서, 상기 제 2결정화 단계는 엑시머 레이저 결정화 기술을 이용하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 형성방법
22	22 제 21항에 있어서, 상기 엑시머 레이저 결정화 기술은 1000℃ 온도에서 진행하는 것을 특징으로 하는 유기전계 발광소자 형성방법
23	23 제 18항에 있어서, 상기 게이트전극 형성 단계 이전에, 상기 제 2폴리실리콘 박막을 제거하는 단계를 더 포함하는 유기전계 발광소자 형성방법
24	24 제 18항에 있어서, 상기 게이트 전극을 형성하는 단계는, 상기 제 2결정화가 완료된 기판 위에 금속막을 형성하는 단계와,상기 금속막 및 제 2폴리실리콘 박막을 패터닝하는 단계를 더 포함하는 유기전계 발광소자 형성방법

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특허 등록번호	10-1343501-0000

권리란

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표시번호	사항
1	출원 연월일 : 20071010 출원 번호 : 1020070102158 공고 연월일 : 20131219 공고 번호 : 특허결정(심결)연월일 : 20131204 청구범위의 항수 : 24 유별 : H01L 21/20 발명의 명칭 : 폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법 존속기간(예정)만료일 :

특허권자란

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순위번호	사항
1	(권리자) 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구...

등록료란

순위번호, 사항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 등록사항 > 등록료란 표입니다.
제 1 - 3 년분	금 액	981,000 원	2013년 12월 16일	납입
제 4 년분	금 액	568,000 원	2016년 11월 18일	납입
제 5 년분	금 액	568,000 원	2017년 11월 16일	납입
제 6 년분	금 액	568,000 원	2018년 11월 14일	납입
제 7 년분	금 액	1,012,000 원	2019년 11월 13일	납입

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번호	서류명	접수/발송일자	처리상태	접수/발송번호
1	[특허출원]특허출원서	2007.10.10	수리 (Accepted)	1-1-2007-0727583-36
2	출원인정보변경(경정)신고서	2008.04.18	수리 (Accepted)	4-1-2008-5061241-15
3	출원인정보변경(경정)신고서	2010.12.21	수리 (Accepted)	4-1-2010-5241074-12
4	출원인정보변경(경정)신고서	2011.10.04	수리 (Accepted)	4-1-2011-5199065-15
5	출원인정보변경(경정)신고서	2011.12.29	수리 (Accepted)	4-1-2011-5262372-95
6	[심사청구]심사청구(우선심사신청)서	2012.10.09	수리 (Accepted)	1-1-2012-0819826-89
7	선행기술조사의뢰서	2013.06.17	수리 (Accepted)	9-1-9999-9999999-89
8	선행기술조사보고서	2013.07.10	수리 (Accepted)	9-1-2013-0057526-12
9	의견제출통지서	2013.09.03	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0617613-60
10	[거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서	2013.11.04	수리 (Accepted)	1-1-2013-1003621-23
11	[명세서등 보정]보정서	2013.11.04	보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment)	1-1-2013-1003626-51
12	등록결정서	2013.12.04	발송처리완료 (Completion of Transmission)	9-5-2013-0846004-80


기술번호	KST2015049663
자료제공기관	NTB
기술공급기관	LG그룹
기술명	폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법
기술개요	본 발명은 폴리실리콘막 형성방법, 이를 이용한 박막 트랜지스터의 형성방법 및 유기전계 발광소자 형성방법에 관해 개시한다. 개시된 본 발명의 유기전계 발광소자 형성방법은 기판 상에 제 1비정질 실리콘막을 형성하는 단계와, 제 1비정질 실리콘막을 제 1결정화하는 단계와, 제 1결정화된 실리콘막을 패터닝하여 활성층을 형성하는 단계와, 활성층을 가진 기판 상에 게이트 절연막 및 제 2비정질 실리콘막을 차례로 형성하는 단계와, 제 2비정질 실리콘막을 제 2결정화하되, 상기 제 2결정화 공정을 진행하는 동안 발생되는 열이 상기 활성층에 전달되도록 하는 단계와, 제 2결정화가 완료된 기판 위에 게이트 전극을 형성하는 단계와, 게이트 전극을 가진 기판 상에 소오스전극 및 드레인전극을 형성하는 단계와, 드레인전극과 연결되는 제 1전극을 형성하는 단계와, 제 1전극 상에 적어도 유기발광층을 포함하는 유기막을 형성하는 단계와, 유기막 상에 제 2전극을 형성하는 단계를 포함한다.
개발상태
기술의 우수성
응용분야
시장규모 및 동향
희망거래유형
사업화적용실적
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