| 1 |
1
실리콘 웨이퍼 세정 방법에 있어서,
(S11) 실리콘 웨이퍼 표면을 표준세정1에 따른 SC-1 세정액으로 세정하는 단계;
(S12) 상기 (S11)단계에서 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 탈이온수를 이용하여 린스하는 단계;
(S13) 상기 (S12)단계에서 린스된 실리콘 웨이퍼 표면을 염산, 오존 및 탈이온수를 포함하여 이루어진 세정액을 이용하여 세정하는 단계;
(S14) 상기 (S13)단계에서 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 탈이온수를 이용하여 린스하는 단계; 및
|
| 2 |
2
제1항에 있어서,
상기 (S13)단계는, 세정액에 대해 초음파 진동을 인가하면서 동시에 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 3 |
3
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S11)단계의 표준세정1에 따른 SC-1 세정액은, 수산화암모늄, 과산화수소 및 탈이온수를 포함하여 이루어지며,
상기 수산화암모늄은 상기 탈이온수 중량 대비 2 내지 20% 농도로 포함되고,
상기 과산화수소는 상기 탈이온수 중량 대비 4 내지 20% 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 4 |
4
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S11)단계의 세정은, 50 내지 80℃의 온도에서 3 내지 10분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 5 |
5
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S13)단계의 세정액은, 상기 염산이 상기 탈이온수 중량 대비 1 내지 10% 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 6 |
6
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S13)단계의 세정은, 20 내지 30℃의 온도에서 3 내지 10분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 7 |
7
제1항 또는 제2항에 있어서,
상기 (S13)단계의 세정액에 포함되는 오존은, 탈이온수 중량 대비 1 내지 20 ppm의 농도를 갖는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 8 |
8
실리콘 웨이퍼 세정 방법에 있어서,
(S21) 실리콘 웨이퍼 표면을 표준세정1에 따른 SC-1 세정액으로 세정하는 단계;
(S22) 상기 (S21)단계에서 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 탈이온수를 이용하여 린스하는 단계;
(S23) 상기 (S22)단계에서 린스된 실리콘 웨이퍼 표면을 표준세정2에 따른 SC-2 세정액으로 세정하는 단계;
(S24) 상기 (S23)단계에서 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 탈이온수를 이용하여 린스하는 단계;
(S25) 상기 (S24)단계에서 린스된 실리콘 웨이퍼 표면을 오존수를 이용하여 세정하는 단계;
(S26) 상기 (S25)단계에서 세정된 실리콘 웨이퍼 표면을 탈이온수를 이용하여 린스하는 단계; 및
(S27) 상기 (S26)단계에서 린스된 실리콘 웨이퍼 표면을 건조하는 단계;를 포함하여 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 9 |
9
제8항에 있어서,
상기 (S21)단계의 표준세정1에 따른 SC-1 세정액은, 수산화암모늄, 과산화수소 및 탈이온수를 포함하여 이루어지며,
상기 수산화암모늄은 상기 탈이온수 중량 대비 2 내지 20% 농도로 포함되고,
상기 과산화수소는 상기 탈이온수 중량 대비 4 내지 20% 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 10 |
10
제8항에 있어서,
상기 (S21)단계의 세정은, 50 내지 80℃의 온도에서 3 내지 10분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 11 |
11
제8항에 있어서,
상기 (S23)단계의 표준세정2에 따른 SC-2 세정액은, 염산, 과산화수소 및 탈이온수를 포함하여 이루어지며,
상기 염산은 상기 탈이온수 중량 대비 10 내지 40% 농도로 포함되고,
상기 과산화수소는 상기 탈이온수 중량 대비 10 내지 40% 농도로 포함되는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
| 12 |
12
제8항에 있어서,
상기 (S23)단계의 세정은, 50 내지 80 ℃의 온도에서 3 내지 10분 동안 진행하는 것을 특징으로 하는 실리콘 웨이퍼 세정 방법
|
