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금속 산화물 투명 도전막을 제조하는 방법으로서,
(i) 금속 산화물 나노 입자를 분산매에 분산시켜 페이스트를 제조하는 과정;
(ii) 상기 제조된 페이스트를 기재 상에 도포하여 코팅층을 형성하는 과정;
(iii) 상기 코팅층을 건조하여 분산매를 제거하는 과정; 및
(iv) 상기 코팅층에 대하여 레이저 어닐링 공정을 수행하는 과정;
을 포함하고;
상기 기재는 태양전지의 p형 흡수층으로서 Cu-In(Ga)-Se 막('CI(G)S계 흡수층')이고,
상기 CI(G)S계 흡수층은 금속 셀레나이드 나노 입자를 전구체 물질로 사용하여 기재 상에 도포한 후 열처리하여 제조되는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 투명 도전막은 태양전지의 n형 윈도우층인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 페이스트는 바인더 성분을 포함하지 않는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 ZnO(Zinc Oxide), ITO(Indium Tin Oxide), FTO(Fluorine Tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), ATO(Antinomy Tin Oxide), 및 Al:ZnO(Aluminum Zinc Oxide)로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 4 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자는 산화아연계인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 분산매는 물, 알코올, 에테르, 케톤, 글리콜, 글리세롤, 및 터피놀로 이루어진 군에서 선택되는 하나 또는 둘 이상인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 금속 산화물 나노 입자에는, 주석, 갈륨, 알루미늄, 티타늄(titanium), 니오브(niobium), 탄탈륨(tantalum), 텅스텐(tungsten), 몰리브덴(molybdenum), 및 안티몬(antimony)으로 이루어진 군으로부터 선택된 적어도 1 종의 도펀트가 포함되어 있는 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기재는 태양전지의 p형 흡수층에 부가된 버퍼층인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 8 항에 있어서, 상기 버퍼층은 Cd-S 막인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항에 있어서, 상기 페이스트의 코팅층은 0
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제 1 항에 있어서, 상기 레이저는 UV 레이저, Nd-Yag 레이저, 디스크 레이저 또는 파이버 레이저인 것을 특징으로 하는 금속 산화물 투명 도전막의 제조방법
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제 1 항 내지 제 8 항 및 제 11 항 내지 제 13 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조되고, 80% 이상의 평균 가시광선(400 내지 800 ㎚) 투과도 및 20 Ω/□ 이하의 비저항을 가진 투명 도전성 박막
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