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Ti계 물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법및 하프톤마스크

  • 기술번호 : KST2015049867
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요약, Int. CL, CPC, 출원번호/일자, 출원인, 등록번호/일자, 공개번호/일자, 공고번호/일자, 국제출원번호/일자, 국제공개번호/일자, 우선권정보, 법적상태, 심사진행상태, 심판사항, 구분, 원출원번호/일자, 관련 출원번호, 기술이전 희망, 심사청구여부/일자, 심사청구항수의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 서지정보 표입니다.
요약 본 발명은 Ti계 물질을 선택적으로 에칭하는 에천트와 상기 에천트를 이용하여 선택적 에칭 공정을 도입한 하프톤 마스크의 제조방법에 관한 것이다. 특히 본 발명은 상기 에천트는 전체 혼합액의 중량 중, H2O 70~99중량%, H2O2 1~30중량%, NH4OH 30~1중량% 를 이용하거나, 이와는 달리 상기 에천트는 전체 혼합액의 중량중 H2O 70~94 중량 % , H2O2 3~15 중량%, NH4OH 3~15중량% 가 혼합된 에칭액을 사용하는 것을 특징으로 한다.본 발명에 따르면, Ti 계 물질로 형성되는 박막층을 포함하는 복수의 적층구조물에서 상기 Ti 계 물질로 형성되는 박막층만을 H2O, H2O2, ,NH4OH의 혼합 에칭액(에천트)을 통하여 선택적으로 에칭할 수 있도록 함으로써, 다른 층을 구성하는 물질의 부식을 배제하여 안정적이고 저렴한 제조비용으로 구조물을 제조할 수 있는 효과가 있다.Ti계 물질, 선택적 에칭, 하프톤 마스크
Int. CL G03F 1/32 (2012.01) C09K 13/06 (2006.01) H01L 21/027 (2006.01)
CPC C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01) C09K 13/06(2013.01)
출원번호/일자 1020070109693 (2007.10.30)
출원인 엘지이노텍 주식회사
등록번호/일자 10-1369302-0000 (2014.02.25)
공개번호/일자 10-2009-0043893 (2009.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20140304) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.01.26)
심사청구항수 6

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 대한민국 서울특별시 강서구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 구찬규 대한민국 경기도 안양시 동안구
2 김무성 대한민국 경기도 안산시 단원구
3 이선화 대한민국 경기도 수원시 장안구
4 이근식 대한민국 인천광역시 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 김인한 대한민국 서울특별시 서초구 사임당로 **, **층 (서초동, 신영빌딩)(특허법인세원)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지이노텍 주식회사 서울특별시 강서구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.10.30 수리 (Accepted) 1-1-2007-0780008-93
2 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2007.12.07 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2007-0883143-86
3 [출원인변경]권리관계변경신고서
[Change of Applicant] Report on Change of Proprietary Status
2009.11.13 수리 (Accepted) 1-1-2009-0696971-01
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.02.24 수리 (Accepted) 4-1-2010-5032116-06
5 [심사청구] 심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.01.26 수리 (Accepted) 1-1-2012-0064030-55
6 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.02.28 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
7 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.04.09 수리 (Accepted) 9-1-2013-0027925-89
8 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.07.04 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0466263-85
9 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2013.09.04 수리 (Accepted) 1-1-2013-0809721-49
10 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2013.09.04 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2013-0809724-86
11 등록결정서
Decision to grant
2013.12.05 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0847745-61
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2014.10.27 수리 (Accepted) 4-1-2014-0093826-77
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.03.08 수리 (Accepted) 4-1-2017-5035901-08
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.07.18 수리 (Accepted) 4-1-2018-5136723-03
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2020.01.15 수리 (Accepted) 4-1-2020-5011221-01
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
글래스 기판과 빛을 투과하지 않는 물질로 형성되는 차광층, Ti계물질로 이루어진 반투과층을 포함하여 복수의 층으로 형성된 적층구조의 박막층을 에칭하는 에천트에 있어서,H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 용액으로 Ti 계 물질로 이루어진 층만을 선택적으로 에칭하는 것을 특징으로 하는 Ti 계 물질용 에천트
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3 3
청구항 1에 있어서,상기 에천트는 전체 혼합액의 중량중 H2O 70~94 중량 % , H2O2 3~15 중량%, NH4OH 3~15중량% 가 혼합된 에칭액인 것을 특징으로 하는 Ti 계 물질용 에천트
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5 5
삭제
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b1)투명기판에 Ti 계 물질로 형성되는 반투과층과 차광층을 순차로 형성하는 단계;b2)상기 차광층 상부에 포토레지스트를 형성하고 제1 패터닝하는 단계;b3)상기 패터닝된 포토레지스트를 통해 노출된 상기 차광층을 제2 에칭액으로 에칭하여 상기 반투과층을 외부로 노출하는 단계;b4) 노출된 상기 차광층과 상기 반투과층 영역 위에 포토레지스트를 도포한 후, 제2 패터닝하는 단계;b5) 제2 패터닝으로 노출된 상기 반투과층 영역을 H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 제1 에칭액으로 선택적으로 에칭 제거하여 상기 투명기판을 외부로 노출시키는 단계; 및b6)상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 제1에칭액은 전체 혼합액의 중량 중 H2O 70~94 중량%, H2O2 3~15 중량%, NH4OH 3~15중량%가 혼합된 에칭액인 것을 특징으로 하는 Ti 계 물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법
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c1) 투명기판 위에 차광층을 형성하는 단계;c2) 상기 차광층의 상면에 포토레지스트를 도포하고 제1 패터닝하는 단계;c3) 상기 패터닝된 포토레지스트를 통해 노출된 상기 차광층을 제2에칭액으로 에칭하여 상기 투명기판을 외부로 노출하는 단계;c4) 상기 노출된 상기 투명기판과 상기 차광층 영역 위에 Ti 계 물질로 형성된 반투과층을 도포하는 단계;c5) 상기 반투과층의 상면에 포토레지스트를 도포하고 제2 패터닝하는 단계;c6) 제2 패터닝으로 노출된 상기 반투과층을 H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 제1 에칭액으로 선택적으로 에칭 제거하여 상기 투명기판을 외부로 노출시키는 단계; 및c7) 상기 포토레지스트를 제거하는 단계;를 포함하고,상기 제1 에칭액은 전체 혼합액의 중량 중 H2O 70~94 중량%, H2O2 3~15 중량%, NH4OH 3~15중량%가 혼합된 에칭액인 것을 특징으로 하는 Ti 계 물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법
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청구항 6 또는 7에 있어서,상기 차광층은 빛을 투과하지 않는 물질인 것을 특징으로 하는 Ti 계 물질의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크제조방법
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투명기판상에 Ti 계 물질로 형성되는 반투과층과 차광층을 적층하고 청구항 6 또는 7에 의한 제조방법을 이용하여 하프톤 마스크를 제조하되, 상기 Ti 계 물질로 형성되는 반투과층 에칭하는 에칭액은 H2O 70~94 중량 % , H2O2 3~15 중량%, NH4OH 3~15중량% 가 혼합된 에칭액에 의해 선택적으로 에칭되는 과정을 통해 제조되는 하프톤 마스크
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.