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CI(G)S(Cupper-Indium-Gallium-Selenide) 광흡수층을 포함하는 태양전지의 후면 전극(back contact)을 제조하는 방법으로서, 불활성 가스 분위기에서 DC 스퍼터링에 의해 기판 상에 후면 전극을 형성하는 과정에서, 상기 후면 전극층은 2 ~ 10 mTorr의 아르곤 분위기에서 700 ~ 1500 nm의 두께로 형성되고, 타겟의 전체 중량 대비 1 ~ 3 중량%로 알칼리 성분이 도핑된 후면 전극용 타겟을 사용하며, 상기 기판 상에 RF 바이어스를 인가함으로써 CI(G)S 광흡수층에 포함시키고자 하는 알칼리 성분의 함량을 RF 바이어스의 강도 또는 인가 시간의 제어에 의해 조절하는 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 RF 바이어스의 강도는 10 내지 300 W인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 RF 바이어스의 인가 시간은 5 내지 60 분(min)인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 알칼리 성분은 Na 또는 K인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 DC 스퍼터링은 DC 마그네트론 스퍼터링인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판, 알루미늄 호일, 카본 필름 또는 폴리이미드이고, 상기 후면 전극은 몰리브덴, 알루미늄, 텅스텐, 크롬 또는 탄탈륨인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 기판은 유리 기판이고, 상기 후면 전극은 몰리브덴인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항에 있어서, 상기 불활성 가스는 아르곤인 것을 특징으로 하는 방법
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제 1 항 및 제 4 항 내지 제 10 항 중 어느 하나에 따른 방법으로 제조된 후면 전극을 포함하는 CI(G)S 태양전지셀
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제 13 항에 따른 다수의 태양전지셀로 구성된 태양전지 모듈
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