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기판 상에 계면활성제가 코팅되어 있는 화합물 반도체 나노입자를 포함하는 화합물 반도체 나노입자 잉크를 코팅하는 단계;상기 계면활성제를 제거하기 위해 열처리하는 1차 열처리 단계; 및상기 화합물 반도체 나노입자의 결정화를 위해 열처리하는 2차 열처리 단계를 포함하고, 상기 화합물 반도체 나노입자가 CuInSe2 화합물 반도체, CuGaSe2 화합물 반도체, CuGaS2 화합물 반도체, CuInS2 화합물 반도체, CuInGaSe2 화합물 반도체, 및 Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2 화합물 반도체로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제 1항에 있어서, 상기 화합물 반도체 나노입자는, 상기 화합물 반도체 나노입자를 계면활성제가 첨가된 유기용매에 넣고 혼합시킨 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제 3항에 있어서, 상기 계면활성제는 옥탄 셀레놀(Octane Selenol), 아크릴에스텔, 폴리아크릴산, 폴리아미드, 폴리스틸렌, 합성고무, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 요소수지, 멜라민수지, 페놀수지, 레졸시놀수지, 푸란수지, 에폭시수지, 불포화폴리에스테르수지로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제 3항에 있어서,상기 유기용매는 톨루엔, 피리딘, 클로로포름, 크실렌, 헥산, 디클로로벤젠, 메틸렌 클로라이드, 알킬아민, 부탄올, 메탄올 및 이소프로판으로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 1차 열처리 단계는, 진공분위기에서 250℃ 이상 375℃ 이하의 온도로 1시간 동안 가열함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서, 상기 2차 열처리 단계는, 셀렌(Se) 분위기에서 500℃ 이상 700℃ 이하로 1시간 동안 가열함으로써 수행되는 것을 특징으로 하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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제1항에 있어서,상기 화합물 반도체 나노입자 잉크를 도포하고 균일하게 코팅하는 단계 이후에, 무산소 분위기에서 150℃ 이상 250℃ 이하의 온도로 5분 내지 10분의 시간 동안 가열하여 나노입자 잉크의 잔류 용매를 제거하는 단계를 더 포함하는 태양전지용 박막의 제조 방법
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CuInSe2 화합물 반도체, CuGaSe2 화합물 반도체, CuGaS2 화합물 반도체, CuInS2 화합물 반도체, CuInGaSe2 화합물 반도체, 및 Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2 화합물 반도체로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물 반도체의 나노입자에 옥탄 셀레놀이 코팅되어 유기용매에 분산된 태양전지용 박막 조성물
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화합물 반도체 태양전지에 있어서,기판 위에, 계면 활성제가 코팅된 CuInSe2 화합물 반도체, CuGaSe2 화합물 반도체, CuGaS2 화합물 반도체, CuInS2 화합물 반도체, CuInGaSe2 화합물 반도체, 및 Cu(InxGa1-x)(SeyS1-y)2 화합물 반도체로 구성된 그룹 중에서 선택되는 1종 이상의 화합물 반도체의 나노입자 잉크로부터 소결과정으로 거쳐 다결정 또는 단결정으로 성장된 화합물 반도체 박막을 적어도 하나 이상 포함하는 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 화합물 반도체 박막의 두께는 80nm 내지 200nm인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 10항에 있어서,상기 화합물 반도체 박막의 결정 구조는 입방정계, 정방정계, 육방정계, 사방정계 중 어느 하나의 구조인 것을 특징으로 하는 태양전지
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제 10항에 있어서, 상기 계면활성제는 옥탄 셀레놀(Octane Selenol), 아크릴에스텔, 폴리아크릴산, 폴리아미드, 폴리스틸렌, 합성고무, 폴리에틸렌글리콜, 폴리비닐피롤리돈, 폴리비닐알콜, 요소수지, 멜라민수지, 페놀수지, 레졸시놀수지, 푸란수지, 에폭시수지, 불포화폴리에스테르수지로 구성된 그룹에서 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 태양전지
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