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습식 게이트 산화막 형성 방법

  • 기술번호 : KST2015050062
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요약 본 발명은 반도체 웨이퍼의 게이트 산화막 형성 방법에 관한 것으로서, RCA 세정약품을 이용하여 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 단계; 상기 반도체 웨이퍼 표면을 불산(HF) 용액으로 세정하는 단계; 및 상기 반도체 웨이퍼 표면에 오존수를 공급하여, 세정과 동시에 상기 반도체 웨이퍼 표면에 오존에 의한 게이트 산화막을 형성하는 단계;를 포함하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면 절연 내압이 우수하고 최대 주입 전하량이 크면서도 얇은 두께를 가진 반도체 게이트막을 실현할 수 있다. 게이트 산화막, RCA 세정법, 불산, 오존수, 절연 내압, 최대 주입 전하량
Int. CL H01L 21/336 (2006.01) H01L 21/31 (2006.01)
CPC H01L 21/28167(2013.01) H01L 21/28167(2013.01)
출원번호/일자 1020070111069 (2007.11.01)
출원인 주식회사 엘지실트론
등록번호/일자 10-0914606-0000 (2009.08.21)
공개번호/일자 10-2009-0044812 (2009.05.07) 문서열기
공고번호/일자 (20090831) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 등록
심사진행상태 수리
심판사항 심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2007.11.01)
심사청구항수 1

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김인정 대한민국 대전광역시 중구
2 배소익 대한민국 대전 서구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 특허법인필앤온지 대한민국 서울특별시 서초구 서초중앙로 **, *층(서초동, 준영빌딩)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 에스케이실트론 주식회사 대한민국 경상북도 구미시
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.11.01 수리 (Accepted) 1-1-2007-0787352-92
2 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2008.07.07 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
3 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2008.08.12 수리 (Accepted) 9-1-2008-0051148-65
4 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2009.02.25 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0084227-64
5 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2009.04.27 수리 (Accepted) 1-1-2009-0254998-88
6 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2009.05.25 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2009-0312328-68
7 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2009.05.25 수리 (Accepted) 1-1-2009-0312329-14
8 거절결정서
Decision to Refuse a Patent
2009.06.10 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0245945-15
9 명세서 등 보정서(심사전치)
Amendment to Description, etc(Reexamination)
2009.07.08 보정승인 (Acceptance of amendment) 7-1-2009-0033743-76
10 등록결정서
Decision to grant
2009.08.17 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2009-0341207-68
11 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.01.10 수리 (Accepted) 4-1-2011-5005193-13
12 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.28 수리 (Accepted) 4-1-2015-5070977-42
13 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2015.05.29 수리 (Accepted) 4-1-2015-5071326-18
14 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2017.08.31 수리 (Accepted) 4-1-2017-5140469-15
15 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2018.02.21 수리 (Accepted) 4-1-2018-5031039-07
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번호 청구항
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반도체 웨이퍼의 게이트 산화막 형성 방법에 있어서, RCA 세정약품을 이용하여 반도체 웨이퍼 표면을 세정하는 제1단계; 상기 제1단계에 의해 세정된 반도체 웨이퍼 표면을 불산(HF) 용액으로 세정하는 제2단계; 및 상기 제2단계에 의해 세정된 반도체 웨이퍼 표면에 오존수를 공급하여, 세정과 동시에 상기 반도체 웨이퍼 표면에 오존에 의한 게이트 산화막을 형성하는 제3단계;를 포함하고, 상기 제3단계에서, 상기 반도체 웨이퍼를 오존수가 담긴 약액조 내에서 10초 내지 10분 동안 침지 처리하되, 상기 오존수의 오존 농도를 1 내지 20 ppm으로 제어하여 30Å 이하 두께의 산화막을 형성하는 것을 특징으로 하는 습식 게이트 산화막 형성 방법
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