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가스 공급부로부터 공급되는 가스를 수용하는 가스 챔버;상기 가스 챔버의 하단에 배치되어 상기 가스 챔버에 착탈가능하게 체결되고, 복수개의 가스전달홀이 마련된 중간 플레이트;상기 중간 플레이트에 착탈가능하게 체결되는 서포터;상기 서포터에 착탈가능하게 체결되는 상부전극조립체;상기 상부전극조립체의 하부에 소정 간격 이격되도록 배치되어 상기 상부전극조립체와의 방전을 통해 상기 가스를 플라즈마로 변환시키고, 변환된 플라즈마를 하부로 배출하는 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 하부전극조립체;상기 하부전극조립체를 지지하도록 내측벽으로부터 돌출형성된 안착턱이 마련된 홀더; 및상기 중간플레이트와 상기 홀더를 착탈가능하게 연결하고 하단에 단차부가 형성된 브라켓을 포함하며, 상기 하부전극조립체는 상기 안착턱에 지지되고 상면에서 상기 단차부에 의해 압박되어 상기 홀더에 지지고정되는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항에 있어서,상기 중간 플레이트와 상기 브라켓 사이에 착탈가능하게 개재되어 상기 상부 및 하부전극조립체 사이의 간격을 조절하는 스페이서가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항에 있어서,상기 하부전극조립체의 측면과 상기 홀더의 내측벽 사이에는 갭(gap)이 존재하도록 상기 하부전극조립체의 폭방향 길이는 상기 홀더의 대향하는 내측벽간의 길이보다 작은 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항에 있어서,상기 홀더와 상기 브라켓의 연결시, 상기 홀더의 상면과 상기 브라켓의 하면 사이에는 갭(gap)이 존재하는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항에 있어서,상기 중간 플레이트에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고, 상기 냉매 주입포트를 통해 공급되는 냉매를 상기 상부전극조립체로 전달하는 냉매 주입라인 및 상기 상부전극조립체 내부에서 순환된 냉매를 상기 냉매 배출포트로 전달하는 냉매 배출라인이 상기 중간플레이트와 상기 상부전극조립체 사이에 더 마련되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 5 항에 있어서,상기 상부전극조립체는상부가 개방된 박스형 형상을 갖는 유전체;상기 유전체의 바닥부 상면에 형성된 상부전극;상기 상부전극의 상면에 접착되어 상기 서포터에 체결되고, 상기 냉매 주입라인 및 냉매 배출라인과 연결되어 공급되는 냉매가 이동하는 냉매유로가 형성된 냉각블럭;상기 상부전극과 상기 상부전극에 고전압을 인가하는 전원공급부를 연결시키는 고전압 와이어; 및상기 유전체의 내부 공간에 충진되어 상기 상부전극 및 상기 냉각블럭을 외부와 차단시키는 에폭시를 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 6 항에 있어서,상기 에폭시는 상기 유전체와 비슷한 열팽창계수를 갖는 고전압 에폭시인 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 6 항에 있어서,상기 에폭시는 진공상태하에서 120℃를 유지하여 경화시킴으로써 내부에 형성될 수 있는 기포를 최소화한 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 6 항에 있어서,상기 유전체의 내측벽에는 상기 상부전극과 연결된 리드 단자가 더 마련되고, 상기 고전압 와이어는 상기 리드 단자와 연결됨으로써 상기 상부전극과 전기적으로 연결되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 하부전극조립체는 상기 복수개의 플라즈마 배출홀이 마련된 평판형상으로서 중심층에 배치되는 하부전극과, 상기 하부전극을 둘러싸도록 형성되어 상기 하부전극이 외부로 노출되지 않도록 하는 유전체로 구성되는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 10 항에 있어서,상기 하부전극조립체는 유전체를 평판형상으로 평면연마하고, 상기 유전체의 상면에 Ag를 코팅하여 하부전극을 형성하고, 레이저가공을 통해 상기 하부전극에 복수개의 단차홀을 형성하고, 상기 유전체 및 하부전극을 덮도록 유전체를 용사하고, 상기 단차홀의 중심축을 기준으로 상기 단차홀보다 작은 직경을 갖는 홀을 뚫어 상기 복수개의 플라즈마 배출홀을 형성하여 제조된 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,상기 홀더에는 냉매 주입포트 및 냉매 배출포트가 더 마련되고,상기 홀더의 내부에는 상기 홀더의 냉매 주입 및 배출포트와 연결되어 공급되는 냉매가 순환하는 냉매유로가 형성되어 상기 하부전극조립체를 간접적으로 냉각시키는 것을 특징으로 하는 대기압 플라즈마를 이용한 표면처리장치
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