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유기박막트랜지스터 제조방법

  • 기술번호 : KST2015050348
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요약 본 발명은 유기박막트랜지스터 제조방법에 관한 것으로서, 본 발명에 따른 유기박막트랜지스터 제조방법은 기판상에 일정간격을 두고 이격되는 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계; 상기 소스/드레인전극이 형성된 기판을 타용매처리하는 단계; 상기 기판과 소스/드레인전극상에 유기반도체층을 형성하는 단계; 상기 유기반도체층상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 및 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되는 것을 특징으로한다. 유기박막트랜지스터, 유기반도체층, 타용매처리
Int. CL H01L 29/786 (2006.01) H01L 51/00 (2006.01)
CPC H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01) H01L 51/0003(2013.01)
출원번호/일자 1020070126393 (2007.12.06)
출원인 엘지디스플레이 주식회사
등록번호/일자 10-1397445-0000 (2014.05.14)
공개번호/일자 10-2009-0059511 (2009.06.11) 문서열기
공고번호/일자 (20140520) 문서열기
국제출원번호/일자
국제공개번호/일자
우선권정보
법적상태 소멸
심사진행상태 수리
심판사항
구분 신규
원출원번호/일자
관련 출원번호
심사청구여부/일자 Y (2012.12.06)
심사청구항수 13

출원인

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 대한민국 서울특별시 영등포구

발명자

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번호 이름 국적 주소
1 김경록 대한민국 경기도 수원시 권선구
2 김민주 대한민국 서울특별시 영등포구

대리인

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번호 이름 국적 주소
1 박장원 대한민국 서울특별시 강남구 강남대로 ***, *층~*층 (논현동, 비너스빌딩)(박장원특허법률사무소)

최종권리자

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번호 이름 국적 주소
1 엘지디스플레이 주식회사 서울특별시 영등포구
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번호 서류명 접수/발송일자 처리상태 접수/발송번호
1 [특허출원]특허출원서
[Patent Application] Patent Application
2007.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2007-0879935-80
2 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2008.04.18 수리 (Accepted) 4-1-2008-5061241-15
3 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2010.12.21 수리 (Accepted) 4-1-2010-5241074-12
4 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.10.04 수리 (Accepted) 4-1-2011-5199065-15
5 출원인정보변경(경정)신고서
Notification of change of applicant's information
2011.12.29 수리 (Accepted) 4-1-2011-5262372-95
6 [심사청구]심사청구(우선심사신청)서
[Request for Examination] Request for Examination (Request for Preferential Examination)
2012.12.06 수리 (Accepted) 1-1-2012-1015221-65
7 선행기술조사의뢰서
Request for Prior Art Search
2013.08.20 수리 (Accepted) 9-1-9999-9999999-89
8 선행기술조사보고서
Report of Prior Art Search
2013.10.10 수리 (Accepted) 9-1-2013-0077357-61
9 의견제출통지서
Notification of reason for refusal
2013.11.07 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2013-0768940-82
10 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.01.07 수리 (Accepted) 1-1-2014-0016239-00
11 [지정기간연장]기간연장(단축, 경과구제)신청서
[Designated Period Extension] Application of Period Extension(Reduction, Progress relief)
2014.02.06 수리 (Accepted) 1-1-2014-0118851-92
12 [거절이유 등 통지에 따른 의견]의견(답변, 소명)서
[Opinion according to the Notification of Reasons for Refusal] Written Opinion(Written Reply, Written Substantiation)
2014.03.05 수리 (Accepted) 1-1-2014-0217623-33
13 [명세서등 보정]보정서
[Amendment to Description, etc.] Amendment
2014.03.05 보정승인간주 (Regarded as an acceptance of amendment) 1-1-2014-0217630-53
14 등록결정서
Decision to grant
2014.04.29 발송처리완료 (Completion of Transmission) 9-5-2014-0295103-67
번호, 청구항의 정보를 제공하는 이전대상기술 뷰 페이지 상세정보 > 청구항 표입니다.
번호 청구항
1 1
기판상에 일정간격을 두고 서로 이격되는 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인전극이 형성된 기판을 타용매처리하는 단계;상기 기판과 소스/드레인전극상에 유기반도체층을 형성하는 단계;상기 유기반도체층상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 및상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, 상기 타용매처리는 디클로로메탄(dichloromethane)용매를 코팅한 후 N2 분위기에서 건조(dry)시키는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
2 2
삭제
3 3
제 1항에 있어서, 상기 소스/드레인전극은 ITO막, IZO막 또는 이들 막중 어느 하나의 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)중 어느 하나가 적층된 이중막인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
4 4
제 1항에 있어서, 상기 유기반도체층은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block copolymer), 펜타센(pentacene), 티오펜 올리고머 (thiophene oligomer)인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
5 5
제 1항에 있어서, 상기 유기반도체층은 농도가 0
6 6
제 1항에 있어서, 상기 유기반도체층은 잉크젯장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치 또는 스핀(spin) 코팅장치중 하나의 장치를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
7 7
제 1항에 있어서, 상기 게이트절연막은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물 (SiNx) 등의 무기 절연물질이거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질, 폴리이미드, 폴리메틸메타릴레이트(polymethylmethacrylate:PMMA)와 같은 유기절연물질중에서 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
8 8
제 1항에 있어서, 상기 게이트전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄 (Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W) 계열 등의 금속물질중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
9 9
제1기판상에 일정간격을 두고 서로 이격되는 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스/드레인전극이 형성된 기판을 타용매처리하는 단계;상기 기판과 소스/드레인전극상에 유기반도체층을 형성하는 단계;상기 유기반도체층상에 게이트절연막을 형성하는 단계; 상기 게이트절연막상에 게이트전극을 형성하는 단계;상기 게이트전극을 포함한 제1기판전면에 형성되고 상기 드레인전극을 노출시키는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막상에 상기 드레인전극과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;제2기판상에 화소영역을 제외한 부분에서 빛을 차광하는 블랙매트릭스를 형성하는 단계;상기 제2기판상에 색상을 구현하기 위한 컬러필터층를 형성하는 단계; 및상기 제1기판과 제2기판사이에 액정층을 형성하는 단계;를 포함하여 구성되며, 상기 타용매처리는 디클로로메탄(dichloromethane)용매를 코팅한 후 N2 분위기에서 건조(dry)시키는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
10 10
삭제
11 11
제 9항에 있어서, 상기 소스/드레인전극은 ITO막, IZO막 또는 이들 막중 어느 하나의 크롬(Cr) 또는 몰리브덴(Mo)중 어느 하나가 적층된 이중막인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
12 12
제 9항에 있어서, 상기 유기반도체층은 LCPBC(Liquid Crystalline Polyfluorene Block copolymer), 펜타센(pentacene), 티오펜 올리고머 (thiophene oligomer)인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
13 13
제 9항에 있어서, 상기 유기반도체층은 잉크젯장치, 노즐(nozzle) 코팅장치, 바(bar) 코팅장치, 슬릿(slit) 코팅장치 또는 스핀(spin) 코팅장치중 하나의 장치를 이용하여 형성하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
14 14
제 9항에 있어서, 상기 게이트절연막은 실리콘산화물(SiOx) 또는 실리콘 질화물 (SiNx) 등의 무기 절연물질이거나 또는 BCB(Benzocyclobutene), 아크릴계 물질, 폴리이미드, 폴리메틸메타릴레이트(polymethylmethacrylate:PMMA)와 같은 유기절연물질중에서 하나인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
15 15
제 9항에 있어서, 상기 게이트전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄 (Al), 알루미늄 합금(Al alloy), 텅스텐(W) 계열 등의 금속물질중에서 적어도 하나 또는 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 액정표시소자 제조방법
지정국 정보가 없습니다
패밀리정보가 없습니다
국가 R&D 정보가 없습니다.