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N-반도체층, 활성층 및 P-반도체층으로 구성되는 반도체 발광소자에 있어서,상기 P-반도체층은 제1 내지 제3반도체층으로 이루어진 단위층이 복수개 적층되고, 상기 제3반도체층은 P타입 불순물이 소정 농도로 도핑되고, 상기 제2반도체층은 상기 제1반도체층 또는 상기 제3반도체층과 조성성분이 동일하고, P타입 불순물의 농도가 다르게 도핑되는 반도체 발광소자
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N-클래드층, 상기 N-클래드층 상부의 N-웨이브가이드층, 상기 N-웨이브 가이드층 상부의 활성층, 상기 활성층 상부의 P-웨이브가이드층, 및 상기 P-웨이브 가이드층 상부의 P-클래드 층으로 구성되는 반도체 발광소자에 있어서,상기 P-클래드층은 제1 내지 제3반도체층으로 이루어진 단위층이 복수개 적층되고,상기 제3반도체층은 P타입 불순물이 소정 농도로 도핑되고, 상기 제2반도체층은 상기 제1반도체층 또는 상기 제3반도체층과 조성성분이 동일하고, P타입 불순물의 농도가 다르게 도핑되는 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3반도체층은, 3-5족 질화물 반도체인 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3반도체층은, Ga, Al, In 중 적어도 하나의 3족 원소를 포함하는 반도체 발광소자
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5
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3반도체층 각각의 두께는 1Å ~ 100Å인 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1반도체층과 및 제3반도체층은, 조성성분이 다르거나 또는 다른 3족 원소를 포함하는 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3반도체층은, 밴드갭 에너지가 다른 반도체 발광소자
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8
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1반도체층과 제3반도체층은, 밴드갭 에너지 및 불순물 농도가 다른 반도체 발광소자
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9
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 제3반도체층의 두께보다 상기 제2반도체층의 두께가 얇은 반도체 발광소자
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10
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 내지 제3반도체층에 P타입 불순물이 도핑되고, 상기 제3반도체층에서 상기 제1반도체층까지 P타입 불순물의 농도가 점점 낮아지는 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제2 및 제3반도체층은 P타입 불순물이 도핑되고, 상기 제1반도체층은 P타입 불순물이 도핑되지 않은 반도체 발광소자
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12
제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1 및 제2반도체층은 P타입 불순물이 도핑되지 않은 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 P타입 불순물은, Mg, Zn, C 중 하나인 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제3반도체층은 Mg가 도핑된 Alx1Gay1In1-x1-y1N층이고, 상기 제2반도체층은 Alx2Gay2In1-x2-y2N층이고, 상기 제1반도체층은 Alx3Gay3In1-x3-y3N층인 반도체 발광소자
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제14항에 있어서, 상기 제1 및 제3반도체층의 조성성분이 다른 반도체 발광소자
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제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 제1반도체층 또는 상기 제3반도체층이 상기 활성층에 근접하는 반도체 발광소자
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