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플라스틱기판;상기 플라스틱기판상에 형성된 소스전극과 드레인전극;상기 소스전극과 드레인전극의 상부 및 이들사이의 플라스틱기판상에 적층된 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극;상기 적층된 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 포함한 플라스틱기판상에 형성되고 상기 제1게이트전극과 드레인전극 일부분을 노출시키는 보호막;상기 보호막상부에 형성되고 상기 제1게이트전극과 드레인전극과 각각 전기적으로 연결되는 제2게이트전극과 화소전극연결패턴; 및상기 화소전극연결패턴과 전기적으로 연결되는 화소전극;을 포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 플라스틱기판과 소스/드레인전극사이에 오버코트층과 버퍼층이 형성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 유기반도체는 펜타센(pentacene), 티오펜 올리고머(thiophene oligomer)인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 제1 게이트전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴 (Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 1항에 있어서, 제2 게이트전극과 화소전극연결패턴은 Cu/Ti, AlNd, 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 1항에 있어서, 상기 보호막은 서로 다른 물질로 구성된 이중 보호막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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제 6항에 있어서, 상기 이중 보호막 중에서 제1보호막은 유기물질이고, 제2보호막은 감광성의 포토아크릴로 구성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터
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플라스틱기판상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스전극과 드레인전극의 상부 및 이들사이의 플라스틱기판상에 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 적층시키는 단계;상기 적층된 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 포함한 플라스틱기판상에 상기 제1게이트전극과 드레인전극 일부분을 노출시키는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막상부에 상기 제1게이트전극과 드레인전극과 각각 전기적으로 연결되는 제2게이트전극과 화소전극연결패턴을 형성하는 단계; 및상기 화소전극연결패턴과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계;를포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 플라스틱기판과 소스/드레인전극사이에 오버코트층과 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 유기반도체는 펜타센(pentacene), 티오펜 올리고머 (thiophene oligomer)인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 9항에 있어서, 상기 제1 게이트전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴 (Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 8항에 있어서, 제2 게이트전극과 화소전극연결패턴은 Cu/Ti, AlNd, 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 보호막은 서로 다른 물질로 구성된 이중 보호막으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 13항에 있어서, 상기 이중 보호막 중에서 제1보호막은 유기물질이고, 제2보호막은 감광성의 포토아크릴로 구성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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제 8항에 있어서, 상기 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 형성하는 단계는 습식식각공정과 건식식각공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터 제조방법
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플라스틱기판상에 소스전극과 드레인전극을 형성하는 단계;상기 소스전극과 드레인전극의 상부 및 이들사이의 플라스틱기판상에 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 적층시키는 단계;상기 적층된 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 포함한 플라스틱기판상에 상기 제1게이트전극과 드레인전극 일부분을 노출시키는 보호막을 형성하는 단계;상기 보호막상부에 상기 제1게이트전극과 드레인전극과 각각 전기적으로 연결되는 제2게이트전극과 화소전극연결패턴을 형성하는 단계; 상기 화소전극연결패턴과 전기적으로 연결되는 화소전극을 형성하는 단계; 및상기 화소전극을 포함한 플라스틱기판상에 전기영동필름을 형성하는 단계;를포함하여 구성되는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 플라스틱기판과 소스/드레인전극사이에 오버코트층과 버퍼층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 유기반도체는 펜타센(pentacene), 티오펜 올리고머 (thiophene oligomer)인 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 제1 게이트전극은 크롬(Cr), 구리(Cu), 몰리브덴 (Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 제2 게이트전극과 화소전극연결패턴은 Cu/Ti, AlNd, 구리(Cu), 몰리브덴(Mo), 알루미늄(Al), 알루미늄합금(Al alloy), 텅스텐(W)계열 또는 Ti 등의 금속물질중에서 적어도 하나 이상으로 이루어진 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 보호막은 서로 다른 물질로 구성된 이중 보호막으로 구성되되, 상기 이중 보호막 중에서 제1보호막은 유기물질이고, 제2보호막은 감광성의 포토아크릴로 구성된 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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제 16항에 있어서, 상기 유기반도체층과 유기절연막 및 제1게이트전극을 형성하는 단계는 습식식각공정과 건식식각공정에 의해 이루어지는 것을 특징으로 하는 유기박막트랜지스터를 적용한 전기영동표시소자 제조방법
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