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기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 제1전극은 금속층 및 도전층을 포함하고,상기 소오스 및 상기 드레인 전극의 테이퍼 각은 10˚ ~ 60˚이고,상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚이고, 상기 도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚이며, 상기 금속층의 두께는 상기 도전층의 두께보다 9
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기판 상에 위치하는 게이트, 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 제1전극은 제1도전층, 금속층 및 제2도전층을 포함하고,상기 소오스 및 상기 드레인 전극의 테이퍼 각은 10˚ ~ 60˚이고,상기 제1도전층의 테이퍼 각은 50˚ ~ 90˚이고, 상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚이며, 상기 제2도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚이고, 상기 금속층의 두께는 상기 제1도전층 및 상기 제2도전층의 두께보다 9
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기판 상에 위치하는 게이트와, 제1층 및 제2층을 포함하는 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 제1전극은 금속층 및 도전층을 포함하고,상기 제1층의 테이퍼 각은, 70˚ ~ 90˚이고, 상기 제2층의 테이퍼 각은 40˚ ~ 50˚이고, 상기 제1층의 두께는 400~450(Å)이고, 상기 제2층의 두께는 70~100(Å)이고,상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚이고, 상기 도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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기판 상에 위치하는 게이트와, 제1층 및 제2층을 포함하는 소오스 및 드레인 전극을 포함하는 트랜지스터;상기 소오스 또는 상기 드레인 전극에 연결된 제1전극;상기 제1전극 상에 위치하는 유기 발광층; 및상기 유기 발광층 상에 위치하는 제2전극을 포함하되,상기 제1전극은 제1도전층, 금속층 및 제2도전층을 포함하고,상기 제1층의 테이퍼 각은, 70˚ ~ 90˚이고, 상기 제2층의 테이퍼 각은 40˚ ~ 50˚이며, 상기 제1층의 두께는 400~450(Å)이고, 상기 제2층의 두께는 70~100(Å)이고,상기 제1도전층의 테이퍼 각은 50˚ ~ 90˚이고, 상기 금속층의 테이퍼 각은 35˚ ~ 70˚이며, 상기 제2도전층의 테이퍼 각은 70˚ ~ 90˚인 것을 특징으로 하는 유기전계발광표시장치
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