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a1) 투명기판 위에 차광층을 형성하고 상기 차광층에 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 단계;a2) 상기 패터닝된 차광층에 반투과층과 희생층을 순차로 형성하는 단계;a3) 상기 희생층을 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 단계;a4) 상기 패터닝된 희생층을 보호막으로 하여 상기 반투과층을 H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 에칭액으로 선택적으로 에칭하여 패터닝 하는 단계;a5) 상기 반투과층 상부의 포토레지스트와 희생층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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b1) 투명기판상에 Ti계 또는 Ti를 포함하는 혼합물로 구성되는 반투과층과 Au 계 또는 Au를 포함하는 혼합물질로 이루어지는 희생층, 차광층을 순차로 형성하는 단계;b2) 상기 차광층 상부에 포토레지스트를 도포하여 차광층을 패터닝하는 단계;b3) 상기 차광층 하부의 희생층을 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 단계;b4) 상기 패터닝된 희생층을 보호막으로 하여 상기 반투과층을 H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 에칭액으로 선택적으로 에칭하여 패터닝 하는 단계;b5) 상기 반투과층 상부의 포토레지스트와 상기 차광층에 의해 덮히지 않는 상기 반투과층 상부면의 희생층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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c1) 투명기판 위에 차광층을 형성하고 상기 차광층을 포토레지스트를 도포하여 패터닝하는 단계;c2) 상기 패터닝된 차광층에 반투과층과 감광물질이 포함된 희생층을 순차로 형성하는 단계;c3) 상기 희생층을 패터닝하는 단계;c4) 상기 패터닝된 희생층을 보호막으로 하여 상기 반투과층을 H2O, H2O2, NH4OH가 혼합된 에칭액으로 선택적으로 에칭하여 패터닝 하는 단계;c5) 상기 반투과층 상부의 희생층을 제거하는 단계;를 포함하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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청구항 1 또는 청구항 3에 있어서,상기 반투과층은 Ti계 또는 Ti를 포함하는 혼합물인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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청구항 4에 있어서,상기 희생층은 Au 계 또는 Au를 포함하는 혼합물질로 이루어지는 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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6
청구항 5에 있어서,상기 반투과 층을 에칭하는 에칭액은 100중량% 기준으로 H2O 40 ~ 90중량%,H2O2 5 ~ 30중량%, NH4OH 30 ~ 5중량%가 혼합된 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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7
청구항 5에 있어서,상기 반투과층의 에칭액은 H2O, H2O2, NH4OH의 배합비율은 7~13: 1~5: 5~1 인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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청구항 7에 있어서,상기 차광층은 Cr박막이거나 Cr 또는 CrO계 물질인 것을 특징으로 하는 희생층을 이용한 반투과막의 선택적 에칭을 통한 하프톤 마스크 제조방법
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9
투명기판, 반투과층, 희생층, 차광층이 순차로 적층되며,상기 반투과층은 Ti계 물질로 이루어지고,상기 희생층은 Au계 또는 Au를 포함하는 혼합물질로 이루어지며,상기 차광층은 Cr 또는 CrO계 물질로 이루어지는,청구항 2의 하프톤마스크 제조방법에 적용되는 하프톤마스크블랭크
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10
투명기판;상기 투명기판 상에 적층되는 Ti계 물질로 형성되는 반투과층;상기 반투과층을 패터닝하여 투명기판이 노출되는 광투과부;상기 반투과층 상면 일부에 적층되며, Au계 또는 Au를 포함하는 혼합물질로 이루어지는 희생층; 및상기 희생층 상면에 적층되며, Cr 또는 CrO계 물질로 이루어지는 차광층;을 포함하는 청구항 2의 하프톤 마스크 제조방법에 의해 제조되는 하프톤마스크
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